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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MBRB2060CTG	-	RFQ	8296	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MBRB2060	肖特基			D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	60 V	10a	950 mv @ 20 a		150 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
SJ81200	1.8500	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
MTP5N40E	0.6000	RFQ	7	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
MJE15034G	1.5400	RFQ	4104	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE15034		2 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50																																	350 v	4 a		10µA（ICBO）					NPN	500mv @ 100mA，1a	10 @ 2a，5v	30MHz
BAY71_T50R	-	RFQ	4574	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	Bay71	标准			do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																						50 V		1 V @ 20 ma	4 ns	100 na @ 35 V	175°c （最大）	200mA	2pf @ 0v，1MHz
FJZ733OTF	-	RFQ	5400	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-623F	FJZ733		100兆		SOT-623F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	50 V	150 ma		100NA（ICBO）					PNP	300mv @ 10mA，100mA	70 @ 1mA，6v	180MHz
3LN02M-TL-E	0.1000	RFQ	102	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
FDD86250-F085	2.2700	RFQ	3178	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD86250	MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		150 v	50A（TC）	10V	22mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 75 V	-	160W（TJ）
PN4121	-	RFQ	1241	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN412		625兆		TO-92-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																																	40 V	100 ma		25NA					PNP	300mv @ 5mA，50mA	60 @ 1mA，1V	-
KSA1304OTU	-	RFQ	8357	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSA13		20 w		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																	150 v	1.5 a		10µA（ICBO）					PNP	1.5V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	4MHz
NRVUHS160VT3G	0.5200	RFQ	6126	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	NRVUHS160	标准			SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						600 v		2.4 V @ 1 A	35 ns	20 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	-
2N6111	-	RFQ	7962	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6111		40 W		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N6111OS	Ear99	8541.29.0095	50																																	30 V	7 a		1ma					PNP	3.5V @ 3a，7a	30 @ 3a，4v	10MHz
1N4154_T50R	-	RFQ	9343	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4154	标准			do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																						35 v		1 V @ 30 mA	4 ns	100 na @ 25 V	175°c （最大）	100mA	4pf @ 0v，1MHz
NXH100B120H3Q0PG	90.1200	RFQ	24	Onmi	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			186 w	标准	22-PIM（55x32.5）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH100B120H3Q0PG	Ear99	8541.29.0095	24	2独立																															沟渠场停止	1200 v	61 a	2.3V @ 15V，50a	200 µA	不			9.075 NF @ 20 V
MUN5314DW1T1G	0.2700	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN5314		250MW		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																	50V	100mA		500NA					1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	47kohms
NTJD4105CT1G	0.4700	RFQ	4133	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJD4105	MOSFET （金属 o化物）	270MW		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道				20V，8V	630mA，775mA		375MOHM @ 630mA，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 4.5V		46pf @ 20V	逻辑级别门
BC237G	-	RFQ	2748	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC237		350兆		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																																	45 v	100 ma		15NA					NPN	600mv @ 5mA，100mA	380 @ 2mA，5V	200MHz
MCR100-6G	-	RFQ	6730	Onmi	-	盒子	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MCR10				TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	5,000				5 ma											400 v	800 MA	800 mv	10a @ 60hz	200 µA	1.7 v	10 µA	敏感门
1N4732ATR	0.2800	RFQ	33	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4732		1 w		do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																												10 µA @ 1 V										4.7 v	8欧姆
FJNS4210RBU	-	RFQ	4967	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS42		300兆		TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																	40 V	100 ma		100NA（ICBO）					pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	10 kohms
NJVMJD45H11T4G	0.9800	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVMJD45		1.75 w		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																																	80 V	8 a		1µA					PNP	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	90MHz
IRLM110ATF	-	RFQ	6194	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLM11	MOSFET （金属 o化物）			SOT-223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道		100 v	1.5A（TC）	5V	440MOHM @ 750mA，5V	2V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±20V	235 pf @ 25 V	-	2.2W（TC）
NYC008-6Jrlrag	-	RFQ	6918	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	NYC008				TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000				5 ma											600 v	800 MA	800 mv	10a @ 60hz	200 µA	1.7 v	10 µA	敏感门
FQA13N50CF	-	RFQ	3578	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA13	MOSFET （金属 o化物）			to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FQA13N50CF	Ear99	8541.29.0095	450			n通道		500 v	15A（TC）	10V	480MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	218W（TC）
NJV4031NT3G	0.6500	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NJV4031		2 w		SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																																	40 V	3 a		100NA（ICBO）					NPN	300mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，1V	215MHz
KSP63BU	-	RFQ	1099	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSP63		625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																	30 V	500 MA		100NA（ICBO）					pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
FQD5N60CTM_F080	-	RFQ	2947	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5	MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		600 v	2.8A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），49W（tc）
FDD86581-F085	1.3400	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD86581	MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		60 V	25A（TC）	10V	15mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	880 pf @ 30 V	-	48.4W（TJ）
MCR22-008	-	RFQ	2039	Onmi	-	大部分	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MCR22				TO-92（to-226）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	5,000				5 ma											600 v	1.5 a	800 mv	15a @ 60hz	200 µA	1.7 v	10 µA	敏感门
efc2k102anuztdg	0.7700	RFQ	5716	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	10-SMD，没有铅	EFC2K102	MOSFET （金属 o化物）	3.1W（TA）		10-WLCSP （2.98x1.49）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）				12V	33A（TA）		2.75MOHM @ 5A，4.5V	1.3V @ 1mA	42nc @ 3.8V		-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²