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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BC807-40LT1G	0.2000	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								45 v	500 MA	100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
SMSD1819A-RT1G	-	RFQ	6999	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SMSD1819		150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																								50 V	100 ma	100NA			NPN	500mv @ 10mA，100mA	210 @ 2mA，10v	-
1N4454_T50R	-	RFQ	6343	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4454	标准		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														50 V		1 V @ 10 mA	4 ns	100 na @ 50 V	175°c （最大）	200mA	4pf @ 0v，1MHz
BC183LC_J35Z	-	RFQ	8966	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC183		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																								30 V	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	40 @ 10µA，5V	150MHz
NSR05T30P2T5G	0.3800	RFQ	15	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-923	NSR05	肖特基		SOD-923	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														30 V			9 ns	85 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	500mA	33pf @ 1V，1MHz
BF494_D27Z	-	RFQ	7450	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF494		350MW	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000				-																				20V	30mA				NPN		67 @ 1mA，10v	-			-
SMMBTA13LT1	0.0200	RFQ	15	Onmi	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																								30 V	300 MA	100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
BC212B	-	RFQ	7876	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC212		350兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																								50 V	100 ma	15NA（icbo）			PNP	600mv @ 5mA，100mA	60 @ 2mA，5V	280MHz
NVD360N65S3	-	RFQ	4319	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	-	NVD360	-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVD360N65S3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500			-			-	-	-	-		-		-	-
2SC3332T-AA	-	RFQ	6397	Onmi	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2SC3332		700兆	3-np	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,500																								160 v	700 MA	100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 25mA，250mA	100 @ 100mA，5V	120MHz
FFA60UP30DNTU_F109	-	RFQ	8075	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FFA60	标准		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	300 v	30a	1.5 V @ 30 A	55 ns	100 µA @ 300 V	-65°C〜150°C
BC307_J35Z	-	RFQ	2013	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC307		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																								45 v	100 ma	15NA			PNP	500mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	130MHz
NSVMUN533333DW1T1G	0.4100	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NSVMUN5333		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																								50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	47kohms
1S923TR	-	RFQ	8597	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1S92	标准		do-35	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														200 v		1.2 V @ 200 ma		100 na @ 200 V		200mA	-
SBRD8320G-VF01	-	RFQ	9211	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SBRD8320	肖特基		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	75		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														20 v		600 mv @ 3 a		200 µA @ 20 V	-65°C〜175°C	3a	-
BC328TA	-	RFQ	9438	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC328		625兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																								25 v	800 MA	100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
SBAS40LT3G	0.4100	RFQ	9705	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SBAS40	肖特基		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														40 V		1 V @ 40 mA		1 µA @ 25 V	-55°C〜150°C	120mA	5pf @ 1V，1MHz
BC556CTA	-	RFQ	2676	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC556		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																								65 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
FJE3303H1TU	0.8100	RFQ	732	Onmi	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	FJE3303		20 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60																								400 v	1.5 a	10µA（ICBO）			NPN	3V @ 500mA，1.5a	8 @ 500mA，2V	4MHz
NTST30100SG	1.6400	RFQ	1	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	NTST30100	肖特基		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														100 v		950 MV @ 30 A		1 mA @ 100 V	-40°C〜150°C	30a	-
MBRD5H100T4G	1.2300	RFQ	4927	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MBRD5	肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														100 v		710 MV @ 5 A		3.5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	5a	-
2N4234	-	RFQ	4439	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N423		6 W	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																								40 V	1 a	-			PNP	600mv @ 125mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
2N7002LT1	-	RFQ	6229	Onmi	-	（CT）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		60 V	115mA（tc）		7.5OHM @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA			50 pf @ 25 V	-
1N4755A-T50A	0.3500	RFQ	6	Onmi	-	（CT）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4755		1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				5 µA @ 32.7 V							43 V	70欧姆
MTB30P06VT4	-	RFQ	5954	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MTB30	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			P通道		60 V	30A（TC）	10V	80Mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±15V	2190 pf @ 25 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
RHRG1560CC	-	RFQ	7102	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-247-3	RHRG1560	标准		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	600 v	15a	2.1 V @ 15 A	40 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C
NVDSH20120C	9.2220	RFQ	7649	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的			通过洞	TO-247-2		SIC （碳化硅）		TO-247-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NVDSH20120C	Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）														1200 v		1.75 V @ 20 A	0 ns	200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	26a	1480pf @ 1V，100kHz
FDS8962C	-	RFQ	1168	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS89	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	n和p通道				30V	7a，5a		30mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	26NC @ 10V		575pf @ 15V	逻辑级别门
NTMFD4C85NT1G	-	RFQ	8670	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFD4	MOSFET （金属 o化物）	1.13W	8-DFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）				30V	15.4a，29.7a		3mohm @ 20a，10v	2.1V @ 250µA	32NC @ 10V		1960pf @ 15V	-
2N3013	-	RFQ	1622	Onmi	-		过时的		-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N3013		360兆w	TO-18	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	250																								15 v	200 ma	300NA			NPN	500mv @ 30mA，300mA	30 @ 30mA，400mv	350MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²