RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	电流 -峰值输出	fet	（ih）（IH））	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	电压 -崩溃	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）	当前 -崩溃
NSVBASH21LT1G	0.0214	RFQ	4251	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		NSVBASH21	标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									250 v	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	-55°C 〜175°C	200mA	5pf @ 0v，1MHz
KSD471AGTA	-	RFQ	3361	Onmi	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		KSD471		800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																		30 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，1V	130MHz
2n6075bg	0.2900	RFQ	1690年	Onmi	-	大部分	积极的		-40°C〜110°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					TO-225-3	下载					Ear99	8541.30.0080	1	单身的				15 ma															逻辑 -敏感门	600 v	4 a	2.5 v	30a @ 60Hz	3 ma
STD110N02RT4G-VF01	-	RFQ	3767	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD110	MOSFET （金属 o化物）		DPAK-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-STD110N02RT4G-VF01TR	Ear99	8541.29.0095	2,500				n通道						24 V	32a（ta），110a（tc）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	3440 pf @ 20 V	-	2.88W（TA），110W（tc）
FSB50550TB	-	RFQ	1241	Onmi	MOTIONSPM®5	管子	过时的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.748“，19.00mm）	MOSFET	FSB505				下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	15	3期						1.8 a	500 v	1500vrms
SCH1331-S-TL-H	-	RFQ	2309	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	SOT-563，SOT-666		SCH133	-		6-SCH	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000				-							3A（TJ）		-	-				-	-
SNST3904DXV6T1G	-	RFQ	3388	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666		ST3904		357MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SNST3904DXV6T1GTR	Ear99	8541.21.0095	1																																		40V	200mA	50NA			2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
MUN2111T1G	0.1800	RFQ	15	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MUN2111		230兆	SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																		50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
NSBC144WDP6T5G	0.0672	RFQ	9471	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-963		NSBC144		408MW	SOT-963	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																																		50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 5mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	47kohms	22KOHMS
FDA2712	-	RFQ	2003	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FDA27	MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				n通道						250 v	64A（TC）	10V	34mohm @ 40a，10v	5V @ 250µA	129 NC @ 10 V	±30V	10175 PF @ 25 V	-	357W（TC）
2N4124_S00Z	-	RFQ	7293	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		2N4124		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																		25 v	200 ma	50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	300MHz
2SC5226A-4-TL-E	0.5400	RFQ	8108	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		2SC5226		150MW	SC-70 / MCP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						12DB																												10V	70mA				NPN		90 @ 20mA，5V	7GHz			1dB @ 1GHz
提示105TU	-	RFQ	3496	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示105		2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-TIP105TU	Ear99	8541.29.0095	50																																		60 V	8 a	50µA			pnp-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	-
1N4148-T50A	0.1000	RFQ	18	Onmi	-	（CT）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N4148	标准		do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	5,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									100 v	1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-55°C 〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
MKP1V160RL	-	RFQ	8516	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜125°C（TJ）		do-204al，do-41，轴向		MKP1V			轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	5,000			900 MA		100 ma																					150〜170V																				200 µA
VEC2401-TL-E	0.1500	RFQ	480	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
NTMFS4C032NT1G	-	RFQ	3206	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500				n通道						30 V	（13A）（TA），38a tc（TC）	4.5V，10V	7.35mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	15.2 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 15 V	-	2.46W（TA），21.6W（tc）
MMFZ12T1G	-	RFQ	8222	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	表面安装	SOD-123		MMFZ12		500兆	SOD-123	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																																					12 v
MMBT4403-D87Z	-	RFQ	4937	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBT4403		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																		40 V	600 MA	-			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
KSA1175YTA	-	RFQ	7194	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		KSA1175		250兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		50 V	150 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
TN5415A	-	RFQ	7479	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		TN5415		1 w	TO-226-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500																																		200 v	100 ma	50µA			PNP	2.5V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
BAS116TT1G	0.2200	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416		BAS116	标准		SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									75 v	1.25 V @ 150 mA	3 µs	5 na @ 75 V	-55°C〜150°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
BAT54XV2T1H	0.2500	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523		BAT54	肖特基		SOD-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									30 V	800 mv @ 100 a	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜125°C	200mA	10pf @ 1V，1MHz
KSE5741TU	-	RFQ	6609	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSE57		80 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																																		350 v	8 a	-			npn-达灵顿	3V @ 400mA，8a	200 @ 4A，5V	-
MMSF7P03HDR2	-	RFQ	5802	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MMSF7P	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				P通道						30 V	7a（ta）	4.5V，10V	35mohm @ 5.3a，10v	1V @ 250µA	75.8 NC @ 6 V	±20V	1680 pf @ 24 V	-	2.5W（TA）
1N3595	0.2400	RFQ	38	Onmi	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N3595	标准		do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-1N3595-OS	Ear99	8541.10.0070	5,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									150 v	1 V @ 200 MA	3 µs	1 NA @ 125 V	175°c （最大）	200mA	8pf @ 0v，1MHz
NVD6416ANLT4G-VF01	1.1600	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NVD6416	MOSFET （金属 o化物）		DPAK-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				n通道						100 v	19a（tc）	4.5V，10V	74mohm @ 19a，10v	2.2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 25 V	-	71W（TC）
SZMMBZ5264BLT1G	0.1900	RFQ	8851	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SZMMBZ5264		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																												900 mv @ 10 ma		100 NA @ 46 V							60 V	170欧姆
NDD60N550U1-35G	-	RFQ	4214	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		NDD60	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75				n通道						600 v	8.2A（TC）	10V	550MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±25V	540 pf @ 50 V	-	94W（TC）
NVMFS5C468NLWFT1G	-	RFQ	7706	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500				n通道						40 V	37A（TC）	4.5V，10V	10.3MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	7.3 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	3.5W（ta），28W（28W）TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²