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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MMSF7P03HDR2	-	RFQ	5802	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MMSF7P	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道					30 V	7a（ta）	4.5V，10V	35mohm @ 5.3a，10v	1V @ 250µA	75.8 NC @ 6 V	±20V	1680 pf @ 24 V	-	2.5W（TA）
FJZ733OTF	-	RFQ	5400	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-623F		FJZ733		100兆	SOT-623F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	50 V	150 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	70 @ 1mA，6v	180MHz
TN5415A	-	RFQ	7479	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		TN5415		1 w	TO-226-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500																																	200 v	100 ma	50µA			PNP	2.5V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
BAT54XV2T1H	0.2500	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523		BAT54	肖特基		SOD-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								30 V	800 mv @ 100 a	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜125°C	200mA	10pf @ 1V，1MHz
FQPF30N06	-	RFQ	4346	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FQPF3	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					60 V	21a（TC）	10V	40mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	945 PF @ 25 V	-	39W（TC）
SB160-09R	0.5200	RFQ	6064	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-3P-3			肖特基		下午3点	-				2156-SB160-09R			380		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								90 v	850 mv @ 3 a	50 ns	600 µA @ 45 V	-55°C〜125°C
BZX84C27ET1	-	RFQ	9343	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±7％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84C27		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																											900 mv @ 10 ma		50 na @ 18.9 V							27 V	80欧姆
MUN5137T1G	0.0252	RFQ	8461	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		MUN5137		202兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																	50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		47科姆斯	22 KOHMS
BC337_J35Z	-	RFQ	9395	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC337		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																	45 v	800 MA	100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
NSR0130M2T5G	-	RFQ	7216	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-723		NSR013	肖特基		SOD-723	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								30 V	525 mv @ 100 mA		3 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	100mA	-
MJW21194G	5.4300	RFQ	5516	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MJW21194		200 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	MJW21194GOS	Ear99	8541.29.0095	30																																	250 v	16 a	100µA			NPN	4V @ 3.2a，16a	20 @ 8a，5v	4MHz
NYC008-6Jrlrag	-	RFQ	6918	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		NYC008			TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000				5 ma														600 v	800 MA	800 mv	10a @ 60hz	200 µA	1.7 v	10 µA	敏感门
1N5948BRLG	0.4200	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1N5948		3 W	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	6,000																											1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 69.2 V							91 v	200欧姆
NTMFS4C032NT1G	-	RFQ	3206	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					30 V	（13A）（TA），38a tc（TC）	4.5V，10V	7.35mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	15.2 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 15 V	-	2.46W（TA），21.6W（tc）
BAY71_T50R	-	RFQ	4574	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		Bay71	标准		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								50 V	1 V @ 20 ma	4 ns	100 na @ 35 V	175°c （最大）	200mA	2pf @ 0v，1MHz
MUN2111T1G	0.1800	RFQ	15	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MUN2111		230兆	SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																	50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
MUN5314DW1T1G	0.2700	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		MUN5314		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																	50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	47kohms
KSA1175YTA	-	RFQ	7194	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		KSA1175		250兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	50 V	150 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
1N3595	0.2400	RFQ	38	Onmi	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N3595	标准		do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-1N3595-OS	Ear99	8541.10.0070	5,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								150 v	1 V @ 200 MA	3 µs	1 NA @ 125 V	175°c （最大）	200mA	8pf @ 0v，1MHz
KSC4010RTU	-	RFQ	1476	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		KSC4010		60 W	to-3pn	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	450																																	120 v	6 a	10µA（ICBO）			NPN	2.5V @ 500mA，5a	55 @ 1A，5V	30MHz
BC548BZL1	-	RFQ	4361	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		BC548		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																	30 V	100 ma	15NA			NPN	250mv @ 500µA，10mA	200 @ 2mA，5V	300MHz
NVMFS4C05NWFT3G	-	RFQ	9221	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道					30 V	24.7a（TA），116a （TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1972 pf @ 15 V	-	3.61W（TA），79W（tc）
2N6518TA	-	RFQ	1824年	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		2N6518		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																	250 v	500 MA	50NA（iCBO）			PNP	1V @ 5mA，50mA	45 @ 50mA，10v	200MHz
KSA1304OTU	-	RFQ	8357	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		KSA13		20 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																	150 v	1.5 a	10µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	4MHz
STD110N02RT4G-VF01	-	RFQ	3767	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD110	MOSFET （金属 o化物）		DPAK-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-STD110N02RT4G-VF01TR	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					24 V	32a（ta），110a（tc）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	3440 pf @ 20 V	-	2.88W（TA），110W（tc）
FSB50550TB	-	RFQ	1241	Onmi	MOTIONSPM®5	管子	过时的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.748“，19.00mm）	MOSFET	FSB505				下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	15	3期				1.8 a	500 v	1500vrms
SCH1331-S-TL-H	-	RFQ	2309	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	SOT-563，SOT-666		SCH133	-		6-SCH	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			-						3A（TJ）		-	-				-	-
提示105TU	-	RFQ	3496	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示105		2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-TIP105TU	Ear99	8541.29.0095	50																																	60 V	8 a	50µA			pnp-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	-
3LN02M-TL-E	0.1000	RFQ	102	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BAS116TT1G	0.2200	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416		BAS116	标准		SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								75 v	1.25 V @ 150 mA	3 µs	5 na @ 75 V	-55°C〜150°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²