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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MMBZ5243ELT1	-	RFQ	4642	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MMBZ5243ELT1OS	Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		500 NA @ 9.9 V							13 V	13欧姆
NVTFS4C13NWFTAG	1.3200	RFQ	7301	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS4	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	9.4mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	15.2 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 15 V	-	（3W）（26W）（26W）TC）
2SC3332S	-	RFQ	4000	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2SC3332		700兆	3-np	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500																						160 v	700 MA	100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 25mA，250mA	140 @ 100mA，5V	120MHz
MMSZ5242ET1G	0.4000	RFQ	8	Onmi	mmsz52xxxt1g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ524		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		1 µA @ 9.1 V							12 v	30欧姆
FDD1600N10ALZD	-	RFQ	6090	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD	FDD160	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	6.8A（TC）	5V，10V	160MOHM @ 3.4a，10V	2.8V @ 250µA	3.61 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 50 V	-	14.9W（TC）
SS13FP	0.4900	RFQ	35	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123H	SS13	肖特基		SOD-123HE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		500 mv @ 1 A		400 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	1a	80pf @ 4V，1MHz
MUR3020WT	-	RFQ	6166	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-247-3	MUR30	标准		TO-247-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	15a	1.05 V @ 15 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
BC549BTFR	-	RFQ	6913	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC549		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																						30 V	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	300MHz
BAT54A_D87Z	-	RFQ	7745	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54	肖特基		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对公共阳极	30 V	200mA	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜150°C
NTTFS4840NTAG	-	RFQ	5901	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	30 V	4.6A（TA），26a （TC）	4.5V，11.5V	24mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	10.8 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 15 V	-	840MW（TA），27.8W（tc）
NRTSV20H100CTG	-	RFQ	2824	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	NRTSV20	肖特基		TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	100 v	10a	780 mv @ 10 a		45 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
fep16dt	-	RFQ	8398	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	FEP16	标准		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	FEP16DTFS	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	16a	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
FFPF04U40STU	-	RFQ	8914	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包	FFPF04	标准		TO-220F-2L	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.4 V @ 4 A	45 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	4a	-
MJD5731T4	-	RFQ	1714年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD57		1.56 w	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																						350 v	1 a	100µA			PNP	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
NRVUA220VT3G-GA01	-	RFQ	3767	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NRVUA220VT3G-GA01TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		950 mv @ 2 a	35 ns	2 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	2a	-
NRVUD320VT4G	1.0200	RFQ	7756	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NRVUD320	标准		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		950 mv @ 3 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	-
MMSD914T3	-	RFQ	5296	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-123	MMSD91	标准		SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-55°C〜150°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
FQP6N80	-	RFQ	5550	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	5.8A（TC）	10V	1.95OHM @ 2.9a，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	158W（TC）
2SA2126-E	-	RFQ	5471	Onmi	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SA2126		800兆	TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500																						50 V	3 a	1µA（ICBO）			PNP	520mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	390MHz
NSBA143ZDXV6T1	-	RFQ	5315	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA143		500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																						50V	100mA	500NA			2 PNP-）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	47kohms
MCH6413-TL-E	0.0800	RFQ	30	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
NJVNJD1718T4G	0.3278	RFQ	5689	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVNJD1718		1.68 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																						50 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	80MHz
MPS751ZL1G	-	RFQ	7359	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS751		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																						60 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 200mA，2a	75 @ 1A，2V	75MHz
FFSD0865B-F085	3.1300	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FFSD0865	SIC （碳化硅）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.7 V @ 8 A	0 ns	40 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	11.6a	336pf @ 1V，100kHz
MMBZ5244BLT1	-	RFQ	7496	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		100 na @ 10 V							14 V	15欧姆
FFH50US60S	-	RFQ	8744	Onmi	Stealth™	管子	过时的			通过洞	TO-247-2	FFH50US60	标准		TO-247-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	450	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.54 V @ 50 A	124 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	50a	-
1N4731A	-	RFQ	7332	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4731		1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		10 µA @ 1 V							4.3 v	9欧姆
NSS20101JT1G	0.4100	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	NSS20101		300兆	SC-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						20 v	1 a	100NA（ICBO）			NPN	220mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，2V	350MHz
NTB18N06L	-	RFQ	8338	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB18	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	15A（TC）	5V	100mohm @ 7.5a，5v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±10V	440 pf @ 25 V	-	48.4W（TC）
BAS16LT1G	0.1200	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS16	标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													100 v		1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²