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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	噪声图（ db typ @ f）
1N5820G	0.6100	RFQ	3345	Onmi	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		1N5820		肖特基		轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		20 v		475 mv @ 3 a		2 ma @ 20 V	-65°C〜125°C	3a	-
PN3563_D75Z	-	RFQ	9570	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		PN356			350MW	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000					14db〜26dB																								15V	50mA								NPN		20 @ 8mA，10v	1.5GHz		-
MMBD1701A	-	RFQ	8623	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBD17		标准		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		30 V		1.1 V @ 50 mA	1 ns	50 na @ 20 V	150°C （最大）	50mA	1pf @ 0v，1MHz
SBT10010JST	0.2100	RFQ	90	Onmi	*	大部分	积极的						SBT100					-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1
2SA1317S-AC	0.0500	RFQ	75	Onmi	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
NTS1260MFST3G	-	RFQ	7512	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTS1260		肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTS1260MFST3GTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		60 V		600 mv @ 12 a		90 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	12a	-
FDS8449-F085	1.2300	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS8449		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						40 V	7.6a（ta）	4.5V，10V	29MOHM @ 7.6A，10V	3V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
IRFP150A	-	RFQ	6702	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		IRFP150		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						100 v	43A（TC）	10V	40mohm @ 21.5a，10v	4V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	2270 pf @ 25 V	-	（193W）（TC）
FGI3040G2-F085	2.9100	RFQ	142	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		FGI3040	逻辑		150 w	i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400				-																								-	400 v	41 a	1.25V @ 4V，6A	-	21 NC	900NS/4.8µS
FJNS3209RTA	-	RFQ	2797	Onmi	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3		FJNS32			300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																													40 V	100 ma					100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
MBRD660CT	-	RFQ	3351	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MBRD660		肖特基		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	mbrd660ctos	Ear99	8541.10.0080	75		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对普通阴极	60 V	3a	700 mv @ 3 a		100 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
NTMS4807NR2G	1.2000	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NTMS4807		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500			n通道						30 V	9.1a（ta）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 14.8A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2900 PF @ 24 V	-	860MW（TA）
SZMMSZ33T3G	-	RFQ	7857	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		SZMMSZ33			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																						900 mv @ 10 ma		50 NA @ 23.1 V												33 V	80欧姆
NVMFS6B75NLWFT3G	-	RFQ	9707	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						100 v	（7a ta），28a tc（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	11.3 NC @ 10 V	±16V	740 pf @ 25 V	-	3.5W（TA），56W（tc）
MJE15032	-	RFQ	7136	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MJE15			50 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJE15032OS	Ear99	8541.29.0075	50																													250 v	8 a					10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	10 @ 2a，5v	30MHz
SBRD8320G	-	RFQ	1681年	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SBRD8320		肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	75		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		20 v		600 mv @ 3 a		200 µA @ 20 V	-65°C〜175°C	3a	-
FFPF08S60SNTU	-	RFQ	9157	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		FFPF08		标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		600 v		3.4 V @ 8 A	25 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	8a	-
MMBTA14_D87Z	-	RFQ	4400	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBTA14			350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																													30 V	1.2 a					100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
1SMB5954BT3G	0.3800	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB		1SMB5954			3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																						1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 121.6 V												160 v	700欧姆
MBRS120T3	-	RFQ	6090	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	DO-214AA，SMB		MBRS120		肖特基		SMB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		20 v		600 mV @ 1 A		1 ma @ 20 V		1a	-
NFAM5065L4BTL	34.3700	RFQ	5760	Onmi	-	管子	积极的			通过洞	39-PowerDip 模块（1.413英寸，35.90mm），30条线索	IGBT	NFAM5065					-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NFAM5065L4BTL	Ear99	8542.39.0001	90	3相逆变器					50 a	650 v	2500vrms
BC549CG	-	RFQ	5180	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		BC549			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																													30 V	100 ma					15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
提示117	-	RFQ	9025	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示117			2 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																													100 v	2 a					2mA			pnp-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	-
SB360	-	RFQ	7591	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-201 AD，轴向		SB36		肖特基		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,250		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		60 V		740 mv @ 3 a		500 µA @ 60 V	-65°C〜125°C	3a	180pf @ 4V，1MHz
BC640	-	RFQ	3197	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		BC640			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																													80 V	500 MA					100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	150MHz
FQB1N60TM	-	RFQ	9895	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FQB1		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						600 v	1.2A（TC）	10V	11.5ohm @ 600mA，10v	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），40W（TC）
NSS20200DMTTBG	0.2545	RFQ	4455	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		NSS20200				6-WDFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																																			100NA（ICBO）			2 PNP （双）	390mv @ 200mA，2a	250 @ 100mA，2V	155MHz
2N3415_D75Z	-	RFQ	6237	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		2N341			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																													25 v	500 MA					100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 3mA，50mA	180 @ 2mA，4.5V	-
IRFR130ATM	-	RFQ	6322	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRFR1		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						100 v	13A（TC）	10V	110MOHM @ 6.5a，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），41W（TC）
BCW32LT1G	0.2200	RFQ	10	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BCW32			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																													32 v	100 ma					100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 500µA，10mA	200 @ 2mA，5v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²