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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
KSD401O	-	RFQ	2520	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSD401		25 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1200																								150 v	2 a	50µA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	120 @ 400mA，10v	5MHz
NTB30N06LG	-	RFQ	7702	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		NTB30	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道				60 V	30a（TA）	5V	46mohm @ 15a，5v	2V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±15V	1150 pf @ 25 V	-	88.2W（TC）
NSS20201MR6T1G	0.6100	RFQ	3533	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		NSS20201		460兆	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																								20 v	2 a	100NA			NPN	150mv @ 100mA，1a	200 @ 1A，5V	200MHz
MMSZ5264BT1G	0.2400	RFQ	19	Onmi	mmsz52xxxt1g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		MMSZ526		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		100 NA @ 46 V							60 V	170欧姆
Mura110T3	-	RFQ	1676年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-214ac，SMA		Mura110	标准		SMA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															100 v	875 mv @ 1 a	30 ns	2 µA @ 100 V		1a	-
MUN5231T1G	0.2400	RFQ	368	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323		MUN5231		202兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000																								50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	8 @ 5mA，10v		2.2 kohms	2.2 kohms
NVMFS5C670NLAFT1G	1.7600	RFQ	4172	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道				60 V	17A（TA）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 35A，10V	2V @ 53µA	20 nc @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	61W（TC）
FSB50250AT	7.5300	RFQ	180	Onmi	MOTIONSPM®5	管子	积极的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm）	MOSFET	FSB50250				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	180	3期			1.2 a	500 v	1500vrms
NSR0630P2T5G	0.0847	RFQ	8802	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-	-		NSR0630	肖特基		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	8,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															30 V	620 MV @ 500 mA		200 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	600mA	-
1N3070_T50R	-	RFQ	7566	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N3070	标准		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	30,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															200 v	1 V @ 100 ma	50 ns	100 NA @ 175 V	175°c （最大）	500mA	5pf @ 0v，1MHz
1N5934BRLG	0.3900	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1N5934		3 W	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	6,000																		1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V							24 V	19欧姆
FJNS4212RBU	-	RFQ	6973	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3		FJNS42		300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	10,000																								40 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	47科姆斯
MURS220T3G	0.4700	RFQ	4878	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		Murs220	标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															200 v	950 mv @ 2 a	35 ns	2 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	2a	-
BD13710	-	RFQ	1632年	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD137		1.25 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250																								60 V	1.5 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	-
MM3Z4V7T1G	0.1700	RFQ	7393	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323		MM3Z4		300兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		3 µA @ 2 V							4.7 v	80欧姆
BC547CZL1	-	RFQ	2464	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		BC547		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																								45 v	100 ma	15NA			NPN	250mv @ 500µA，10mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
2SA1435	0.2200	RFQ	9659	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1,000
FDC642P-F085P	-	RFQ	4891	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		FDC642	MOSFET （金属 o化物）		TSOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道				20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	65MOHM @ 4A，4.5V	1.5V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±8V	630 pf @ 10 V	-	1.2W（TA）
BC239CBU	-	RFQ	8156	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		BC239		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1,000																								25 v	100 ma	15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
BD680ASTU	-	RFQ	5651	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD680		14 W	TO-126-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,920																								80 V	4 a	500µA			pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
FCA20N60	4.2172	RFQ	3341	Onmi	SuperFet™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FCA20	MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			n通道				600 v	20A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	3080 pf @ 25 V	-	208W（TC）
NTMFS5H600NLT1G	8.1400	RFQ	8849	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道				60 V	35A（TA），250A （TC）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	6680 pf @ 30 V	-	3.3W（TA），160W（tc）
DTC124erlra	-	RFQ	6367	Onmi	*	大部分	积极的						DTC124				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.21.0095	8,000
TN6717A	-	RFQ	5113	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		TN6717		1 w	TO-226-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500																								80 V	1.2 a	100NA（ICBO）			NPN	350mv @ 10mA，250mA	50 @ 250mA，1V	-
MUN5111DW1T1G	0.2500	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		MUN5111		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000																								50V	100mA	500NA			2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	10KOHMS
NTMFS4834NT3G	-	RFQ	2194	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				30 V	13A（13A），130A （TC）	4.5V，11.5V	3mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 4.5 V	±20V	4500 pf @ 12 V	-	900MW（TA），86.2W（tc）
BC516_D74Z	-	RFQ	8650	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC516		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																								30 V	1 a	100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	30000 @ 20mA，2V	200MHz
BC556BTF	0.3500	RFQ	24	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC556		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																								65 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	150MHz
1N457A	0.2300	RFQ	7	Onmi	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N457	标准		do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	5,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度															70 v	1 V @ 100 ma		25 na @ 60 V	175°c （最大）	200mA	8pf @ 0v，1MHz
MM3Z3V3T1	-	RFQ	8506	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323		MM3Z3		200兆	SOD-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V							3.3 v	95欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²