SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 测试条件 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f)
MMSZ5225BT1 onsemi MMSZ5225BT1 -
RFQ
ECAD 6090 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 MMSZ522 500兆 SOD-123 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 50 µA @ 1 V 3 V 29欧姆
2N5655G onsemi 2N5655G -
RFQ
ECAD 1099 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 2N5655 20 w TO-126 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 250 v 500 MA 100µA NPN 10V @ 100mA,500mA 30 @ 100mA,10mv 10MHz
MMBT2131T1G onsemi MMBT2131T1G 0.1809
RFQ
ECAD 9790 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 MMBT2131 342 MW SC-74 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 30 V 700 MA 1µA(ICBO) PNP 400mv @ 70mA,700mA 150 @ 100mA,3v -
NVMFS5C604NLAFT1G onsemi NVMFS5C604NLAFT1G 6.1700
RFQ
ECAD 3718 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NVMFS5 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 60 V 287a(TC) 4.5V,10V 1.2MOHM @ 50a,10v 2V @ 250µA 52 NC @ 4.5 V ±20V 8900 PF @ 25 V - 200W(TC)
FFP15S60STU onsemi FFP15S60STU -
RFQ
ECAD 5614 0.00000000 Onmi Stealth™ 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FFP15S60 标准 TO-220-2L 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.6 V @ 15 A 35 ns 100 µA @ 600 V - 15a -
HGTG40N60B3 onsemi HGTG40N60B3 -
RFQ
ECAD 1300 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 HGTG40 标准 290 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 480V,40a,3ohm,15V - 600 v 70 a 330 a 2V @ 15V,40a 1.05mj(在)上,800µJ off) 250 NC 47NS/170NS
2N5551G onsemi 2N5551G -
RFQ
ECAD 9844 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2N5551 625兆 TO-92(to-226) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 160 v 600 MA 50NA(iCBO) NPN 200mv @ 5mA,50mA 80 @ 10mA,5V 300MHz
SZNZ3F5V1T1G onsemi SZNZ3F5V1T1G -
RFQ
ECAD 9179 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5.88% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-90,SOD-323F SZNZ3 800兆 SOD-323FL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.3 V @ 10 mA 2 µA @ 2 V 5.1 v 80欧姆
FQPF34N20 onsemi FQPF34N20 -
RFQ
ECAD 5697 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF3 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 200 v 17.5A(TC) 10V 75MOHM @ 8.75a,10V 5V @ 250µA 78 NC @ 10 V ±30V 3100 pf @ 25 V - 55W(TC)
MMSZ4V7ET1 onsemi mmsz4v7et1 -
RFQ
ECAD 2179 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 mmsz4v 500兆 SOD-123 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 3 µA @ 2 V 4.7 v 80欧姆
SPS8549RLRPG onsemi SPS8549RRPG 0.0500
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1
2N6427_D27Z onsemi 2N6427_D27Z -
RFQ
ECAD 1885年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) 2N6427 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 40 V 1.2 a 1µA npn-达灵顿 1.5V @ 500µA,500mA 14000 @ 500mA,5V -
SB01-15C-TB-E onsemi SB01-15C-TB-E 0.4500
RFQ
ECAD 671 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SB01 肖特基 3-CP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 150 v 750 mv @ 100 ma 10 ns 50 µA @ 75 V -55°C〜125°C 100mA 7pf @ 10V,1MHz
MMBT2222LT3G onsemi MMBT22222LT3G -
RFQ
ECAD 8276 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBT2222 300兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 30 V 600 MA 10NA(ICBO) NPN 1.6V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V 250MHz
FQD1N80TF onsemi FQD1N80TF -
RFQ
ECAD 6103 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FQD1 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 800 v 1A(TC) 10V 20ohm @ 500mA,10v 5V @ 250µA 7.2 NC @ 10 V ±30V 195 pf @ 25 V - 2.5W(ta),45W((((((((((
MPS6531 onsemi MPS6531 -
RFQ
ECAD 6814 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) MPS653 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 40 V 1 a 50NA(iCBO) NPN 300mv @ 10mA,100mA 90 @ 100mA,1V -
2SC5551AF-TD-E onsemi 2SC5551AF-TD-E -
RFQ
ECAD 6448 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA 2SC5551 1.3W pcp 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 - 30V 300mA NPN 135 @ 50mA,5V 3.5GHz -
MCH5836-TL-E onsemi MCH5836-TL-E 0.1100
RFQ
ECAD 219 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
NRVBD660CTRLG onsemi NRVBD660CTRLG -
RFQ
ECAD 5099 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101,SwitchMode™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 NRVBD660 肖特基 DPAK - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NRVBD660CTRLGTR Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 3a 700 mv @ 3 a 100 µA @ 60 V -65°C〜175°C
MURA160T3G onsemi MURA160T3G 0.5200
RFQ
ECAD 4774 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA Mura160 标准 SMA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.25 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a -
2N3904_D81Z onsemi 2N3904_D81Z -
RFQ
ECAD 6618 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2N3904 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 40 V 200 ma - NPN 300mv @ 5mA,50mA 100 @ 10mA,1V 300MHz
KSC2690AOS onsemi KSC2690AOS -
RFQ
ECAD 4365 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 KSC2690 1.2 w TO-126-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 160 v 1.2 a 1µA(ICBO) NPN 700mv @ 200mA,1a 100 @ 300mA,5V 155MHz
BC556BTA onsemi BC556BTA 0.3400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Onmi - (CT) 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC556 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 65 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 200 @ 2mA,5V 150MHz
NVMFD5489NLWFT1G onsemi NVMFD5489NLWFT1G -
RFQ
ECAD 8649 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5483 MOSFET (金属 o化物) 3W 8-dfn(5x6)(SO8FL偶) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道(双) 60V 4.5a 65mohm @ 15a,10v 2.5V @ 250µA 12.4NC @ 10V 330pf @ 25V 逻辑级别门
P2N2907ARL1G onsemi P2N2907ARL1G -
RFQ
ECAD 5321 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) P2N290 625兆 TO-92(to-226) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 60 V 600 MA 10NA PNP 1.6V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V 200MHz
BAV99RWT1 onsemi BAV99RWT1 -
RFQ
ECAD 3470 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAV99 标准 SC-70-3(SOT323) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对系列连接 100 v 215ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 6 ns 2.5 µA @ 70 V -65°C〜150°C
FQPF12N60T onsemi FQPF12N60T -
RFQ
ECAD 6385 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF1 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 5.8A(TC) 10V 700mohm @ 2.9a,10v 5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±30V 1900 pf @ 25 V - 55W(TC)
MMBD6050LT3 onsemi MMBD6050LT3 -
RFQ
ECAD 3525 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 MMBD60 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000
FFSH1065B-F085 onsemi FFSH1065B-F085 5.5100
RFQ
ECAD 344 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 FFSH1065 SIC (碳化硅) TO-247-2 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 0 ns 40 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 11.5A 421pf @ 1V,100kHz
2N6040 onsemi 2N6040 -
RFQ
ECAD 3704 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 2N6040 75 w TO-220 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 2N6040OS Ear99 8541.29.0095 50 60 V 8 a 20µA pnp-达灵顿 2V @ 16mA,4a 1000 @ 4A,4V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库