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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MMBTA92LT1	-	RFQ	7350	Onmi	-	（CT）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA92		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																														300 v	500 MA	250NA			PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 1mA，10v	50MHz
MBRA340T3G	0.6200	RFQ	5051	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	MBRA340	肖特基		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				40 V		450 mv @ 3 a		300 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	3a	-
NRVFES6D	0.3403	RFQ	2998	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn	NRVFES6	标准		TO-277-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				200 v			45 ns	2 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C	6a	60pf @ 4V，1MHz
MURA160T3G	0.5200	RFQ	4774	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	Mura160	标准		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				600 v		1.25 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	-
BC63916	-	RFQ	6404	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC639		1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																														80 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
1N4735A-T50R	-	RFQ	1134	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4735		1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																										10 µA @ 3 V							6.2 v	2欧姆
KSA931OTA	-	RFQ	3055	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	KSA931		1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																														60 V	700 MA	100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	70 @ 50mA，2V	100MHz
MMBT2484LT1G	0.2300	RFQ	304	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2484		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																														60 V	100 ma	10NA（ICBO）			NPN	350mv @ 100µA，1mA	250 @ 1mA，5V	-
BTB08-600BW3G	0.5200	RFQ	4	Onmi	-	大部分	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				TO-220AB	下载					Ear99	8541.30.0080	1	单身的			50 mA											标准	600 v	8 a	1.1 v	90a @ 60Hz	50 mA
NSVBAV70TT3G	0.4100	RFQ	9	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	NSVBAV70	标准		SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																			1对普通阴极	100 v	100mA（dc）	1 V @ 50 mA	6 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
FFP15S60STU	-	RFQ	5614	Onmi	Stealth™	管子	过时的			通过洞	TO-220-2	FFP15S60	标准		TO-220-2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				600 v		2.6 V @ 15 A	35 ns	100 µA @ 600 V	-	15a	-
NTR4101PT1H	0.5500	RFQ	46	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR4101	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		20 v	1.8A（ta）	1.8V，4.5V	85mohm @ 1.6A，4.5V	1.2V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	675 pf @ 10 V	-	420MW（TA）
BD244BTU	-	RFQ	2660	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD244		65 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																														80 V	6 a	700µA			PNP	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	-
FQPF34N20	-	RFQ	5697	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF3	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		200 v	17.5A（TC）	10V	75MOHM @ 8.75a，10V	5V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±30V	3100 pf @ 25 V	-	55W（TC）
FDMC2512SDC	-	RFQ	2720	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					FDMC25				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
NRVTSAF345T3G	0.5200	RFQ	9	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-221ac，sma平面线索	NRVTSAF345	肖特基		sma-fl	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				45 v		630 mv @ 3 a		7.5 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	3a	-
ZTX749A_D26Z	-	RFQ	1068	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	ZTX749		1 w	TO-226	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																														35 v	2 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 200mA，2a	100 @ 1A，2V	100MHz
FDU8780	-	RFQ	3317	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FDU87	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		25 v	35A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 13 V	-	50W（TC）
NRVTS8120EMFST3G	0.2670	RFQ	9125	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NRVTS8120	肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				120 v		880 mv @ 8 a		50 µA @ 120 V	-55°C 〜175°C	8a	-
M1MA142WAT1	-	RFQ	8424	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					M1MA142				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
DAP222T1	-	RFQ	6048	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	DAP222	标准		SC-75，SOT-416	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	DAP222T1OS	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																			1对公共阳极	80 V	100mA（dc）	1.2 V @ 100 ma	10 ns	100 NA @ 70 V	150°C （最大）
FQPF32N20C	2.3600	RFQ	636	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF3	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		200 v	28a（TC）	10V	82MOHM @ 14A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2220 PF @ 25 V	-	50W（TC）
BC557	-	RFQ	3843	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC557		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														45 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
SZNZ9F20VT5G	0.5400	RFQ	7	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-923	sznz9		250兆	SOD-923	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																								900 mv @ 10 ma		100 na @ 15.4 V							20 v	55欧姆
MBR30H150CTG	-	RFQ	7867	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	MBR30H150	肖特基		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			1对普通阴极	150 v	15a	1.11 V @ 15 A		60 µA @ 150 V	-20°C〜150°C
FDMD8440L	6.9300	RFQ	4421	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMD8440	MOSFET （金属 o化物）	2.1W（TA），33W（tc）	电源3.3x5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）				40V	21a（21A），87a tc（87a）		2.6mohm @ 21a，10v	3V @ 250µA	62NC @ 10V		4150pf @ 20V	-
NSVBC124EDXV6T1G	0.1154	RFQ	8928	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSVBC124		500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																														50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v	-	22KOHMS	22KOHMS
BC327RL1G	-	RFQ	3215	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC327		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														45 v	800 MA	100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	260MHz
PN3251	-	RFQ	8584	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN325		625兆	TO-92-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	PN3251。	Ear99	8541.21.0075	1,000																														40 V	50 mA	-			PNP	-	-	250MHz
BD242ATU	-	RFQ	3787	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD242		40 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																														60 V	3 a	300µA			PNP	1.2V @ 600mA，3a	25 @ 1A，4V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²