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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
FJPF5021RTU	-	RFQ	4008	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FJPF5021		40 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																							500 v	5 a				10µA（ICBO）			NPN	1V @ 600mA，3a	15 @ 600mA，5V	15MHz
NRVTS5100ETFSTAG	0.2350	RFQ	9199	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	8-Powerwdfn	NRVTS5100	肖特基		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NRVTS5100ETFSTAGTR	Ear99	8541.10.0080	1,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														100 v		1 V @ 5 A		50 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	5a	26.5pf @ 100V，1MHz
BCP68	-	RFQ	4693	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP68		1.5 w	SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000																							20 v	1 a				10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	-
MMBFJ201_G	-	RFQ	6090	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBFJ2		350兆	SOT-23-3	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道									-														40 V	200 µA @ 20 V	300 mv @ 10 na
BC238CTA	-	RFQ	5130	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC238		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																							25 v	100 ma				15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
NVMYS1D6N04CLTWG	1.1737	RFQ	7134	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMYS1D6N04CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	35A（35A），185A （TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 50a，10v	3V @ 210µA	71 NC @ 10 V	±20V	4301 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），107.1W（tc）
1N458ATR	0.2200	RFQ	36	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N458	标准		do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														150 v		1 V @ 100 ma		25 µA @ 125 V	175°c （最大）	500mA	-
5LP01SP	-	RFQ	6329	Onmi	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-72	5LP01	MOSFET （金属 o化物）		3-SPA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	500		P通道		50 V	70mA（ta）	1.5V，4V	23ohm @ 40mA，4V	-	1.4 NC @ 10 V	±10V	7.4 pf @ 10 V	-	250MW（TA）
MCH4014-TL-H	0.3900	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-343F	MCH4014		350MW	4-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			18db																				12V	30mA							NPN		60 @ 5mA，5v	10GHz			1.2db @ 1GHz
MURS360BT3G	0.6100	RFQ	7475	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	MURS360	标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		1.25 V @ 3 A	75 ns	3 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	-
SBE809-TL-E	0.1500	RFQ	72	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000
FSV2060L	1.4500	RFQ	3060	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	TO-277，3-PowerDfn	FSV2060	肖特基		TO-277-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														60 V		600 mv @ 20 a		320 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	20a	771pf @ 4V，1MHz
ISL9R1560G2	-	RFQ	3617	Onmi	Stealth™	管子	过时的			通过洞	TO-247-2	ISL9R1560	标准		TO-247-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		2.2 V @ 15 A	40 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	15a	-
NHPV08S600G	1.6000	RFQ	489	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2	NHPV08	标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		3.2 V @ 8 A	50 ns	30 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	8a	-
NTGS3446T1G	0.6900	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NTGS3446	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	45MOHM @ 5.1A，4.5V	1.2V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	750 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
PCRKA30065F8M1	-	RFQ	7106	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	上次购买			表面安装	死	PCRKA30065	标准		死	-				488-PCRKA30065F8M1			1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														650 v		1.9 V @ 300 A	100 ns	30 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	300A	-
FFSB0665A	2.2460	RFQ	1025	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FFSB0665	SIC （碳化硅）		D²Pak-3（TO-263-3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800	没有恢复t> 500mA（IO）														650 v		1.75 V @ 6 A	0 ns	200 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	9a	361pf @ 1V，100kHz
KSP13BU	0.4100	RFQ	6	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSP13		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-KSP13BU-488	Ear99	8541.21.0075	10,000																							30 V	500 MA				100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
NTSV20100CTH	-	RFQ	6412	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3	NTSV20	肖特基		TO-220	-	rohs3符合条件	供应商不确定	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	100 v	10a	980 mv @ 10 a		800 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
KSA709CYTA	-	RFQ	2767	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSA709		800兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																							150 v	700 MA				100NA（ICBO）			PNP	400mv @ 20mA，200mA	120 @ 50mA，2V	50MHz
MJB6488	0.4200	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2n6517rlrag	-	RFQ	3904	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N6517		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																							350 v	500 MA				50NA（iCBO）			NPN	1V @ 5mA，50mA	20 @ 50mA，10v	200MHz
FQE10N20CTU	-	RFQ	2573	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	FQE1	MOSFET （金属 o化物）		TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,920		n通道		200 v	4A（TC）	10V	360MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	12.8W（TC）
MUN5212DW1T1G	0.2500	RFQ	67	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN5212		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA				500NA			2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v	-	22KOHMS	22KOHMS
SZ1SMB5929BT3G	0.8300	RFQ	4005	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SZ1SMB5929		3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 11.4 V										15 v	9欧姆
SJD32CT4G	-	RFQ	2181	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	-	SJD32			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-SJD32CT4GTR	Ear99	8541.29.0095	2,500																												-			-	-	-	-
MMBZ5237B_D87Z	-	RFQ	5390	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																	900 mv @ 10 ma		3 µA @ 6.5 V										8.2 v	8欧姆
2SC4075D	0.2900	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
1N752A_T50R	-	RFQ	2881	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N752		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																	1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V										5.6 v	11欧姆
flz5v1b	-	RFQ	5256	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	flz5		500兆	SOD-80	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.2 V @ 200 ma		190 na @ 1.5 V										5.1 v	17欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²