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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2N5830	-	RFQ	8898	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5830			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2N5830-NDR	Ear99	8541.21.0095	2,000																									100 v	200 ma						50NA（iCBO）			NPN	250mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	-
NZ9F6V2ST5G	0.3500	RFQ	71	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-923	NZ9F6			250兆	SOD-923	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																		900 mv @ 10 ma		1 µA @ 3 V													6.2 v	60欧姆
BC556BTA	0.3400	RFQ	11	Onmi	-	（CT）	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC556			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																									65 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
SB05-05C-M-TB-E	-	RFQ	7255	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					SB05					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
NDH832P	-	RFQ	7468	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-lsop （0.130英寸，宽3.30mm）	NDH832		MOSFET （金属 o化物）		Supersot™-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		20 v	4.2A（ta）	2.7V，4.5V	60mohm @ 4.2A，4.5V	1V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	-8V	1000 pf @ 10 V	-	1.8W（TA）
FJY3007R	-	RFQ	9964	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490	FJY300			200兆	SC-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
SBRD8350T4G	-	RFQ	5300	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SBRD8350		肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														50 V		600 mv @ 3 a		200 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	-
MPSA77	-	RFQ	4667	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPSA77			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000																									60 V	500 MA						500NA			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	-
ISL9K8120P3	-	RFQ	6249	Onmi	Stealth™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	ISL9		标准		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	400		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	1200 v	8a	3.3 V @ 8 A	44 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C
MURH860CT	-	RFQ	6775	Onmi	Megahertz™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	Murh86		标准		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	600 v	4a	2.8 V @ 4 A	35 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C
GF1D	0.4300	RFQ	41	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	GF1		标准		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														200 v		1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
KSH44H11TF	-	RFQ	6490	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	KSH44			1.75 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																									80 V	8 a						10µA			NPN	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	50MHz
EFC4626R-Tr	0.4000	RFQ	3591	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	EFC4626		MOSFET （金属 o化物）	1.4W	4-BGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8,000	2 n 通道（双）公共排水				-	-		-	-	7.5NC @ 4.5V		-	逻辑水平门，2.5V
bul45d2g	2.0500	RFQ	375	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul45			75 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																									400 v	5 a						100µA			NPN	500mv @ 400mA，2a	10 @ 2a，1V	13MHz
FFPF04U40DPTU	-	RFQ	6464	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	FFPF04		标准		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对公共阳极	400 v	4a	1.4 V @ 4 A	45 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
HGTG40N60B3	-	RFQ	1300	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HGTG40	标准		290 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450				480V，40a，3ohm，15V																				-	600 v	70 a	330 a	2V @ 15V，40a	1.05mj（在）上，800µJ off）	250 NC	47NS/170NS
SMBD1472L1G	0.0200	RFQ	54	Onmi	*	大部分	积极的					SMBD1472					-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000
NRVHPRS1GFA	0.1161	RFQ	6924	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SOD-123F	NRVHPRS1		标准		SOD-123FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														400 v		1.3 V @ 800 mA	250 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	800mA	10pf @ 4V，1MHz
MUN5112T1G	0.1800	RFQ	2328	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	MUN5112			202兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																									50 V	100 ma						500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v		22 KOHMS	22 KOHMS
SZNZ3F5V1T1G	-	RFQ	9179	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5.88％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F	SZNZ3			800兆	SOD-323FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.3 V @ 10 mA		2 µA @ 2 V													5.1 v	80欧姆
2N5551G	-	RFQ	9844	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2N5551			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																									160 v	600 MA						50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	300MHz
BC238TFR	-	RFQ	4653	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC238			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																									25 v	100 ma						15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	250MHz
SMMUN2116LT1G	0.0505	RFQ	9486	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMMUN2116			246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																									50 V	100 ma						500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v		4.7科姆斯
KSP44TF	0.5000	RFQ	12	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSP44			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																									400 v	300 MA						500NA			NPN	750mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，10v	-
mmsz4v7et1	-	RFQ	2179	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	mmsz4v			500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		3 µA @ 2 V													4.7 v	80欧姆
NVMYS1D6N04CLTWG	1.1737	RFQ	7134	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMYS1D6N04CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		40 V	35A（35A），185A （TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 50a，10v	3V @ 210µA	71 NC @ 10 V	±20V	4301 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），107.1W（tc）
2N5401RL1G	-	RFQ	1861年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N5401			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																									150 v	600 MA						50NA（iCBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
1N458ATR	0.2200	RFQ	36	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N458		标准		do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														150 v		1 V @ 100 ma		25 µA @ 125 V	175°c （最大）	500mA	-
KSC1675YBU	-	RFQ	4311	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSC1675			250兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																									30 V	50 mA						100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 1mA，10mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
BSS123	0.3200	RFQ	8558	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS123		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		100 v	200mA	4.5V，10V	5ohm @ 200mA，10v	2.5V @ 250µA	1.8 NC @ 10 V	±20V	14 pf @ 25 V	-	350MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²