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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BUH100	-	RFQ	4380	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的		-60°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BUH10		100 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																						700 v	10 a	100µA			NPN	750mv @ 1.5a，7a	10 @ 5A，5V	23MHz
2SD1012F-SPA	-	RFQ	2226	Onmi	-	大部分	过时的		125°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SD1012		250兆	3-SPA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500																						15 v	700 MA	1µA（ICBO）			NPN	80mv @ 10mA，100mA	160 @ 50mA，2V	250MHz
MMBZ5221ELT1	-	RFQ	8994	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MMBZ5221ELT1OS	Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		100 µA @ 1 V							2.4 v	30欧姆
FDC637AN	0.8000	RFQ	3359	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC637	MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		20 v	6.2a（ta）	2.5V，4.5V	24mohm @ 6.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±8V	1125 PF @ 10 V	-	1.6W（TA）
MMSZ5236BT1	-	RFQ	3446	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ523		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		3 µA @ 6 V							7.5 v	6欧姆
FJP3305	-	RFQ	5085	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP3305		75 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																						400 v	4 a	1µA（ICBO）			NPN	1V @ 1A，4A	19 @ 1a，5v	4MHz
HN1B01FDW1T1	-	RFQ	6027	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	HN1B01		380MW	SC-74	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	HN1B01FDW1T1OS	Ear99	8541.21.0095	1																						50V	200mA	2µA			NPN，PNP	250mv @ 10mA，100mA / 300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	-
NVD4809NHT4G	-	RFQ	6613	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD480	MOSFET （金属 o化物）		DPAK-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	（9A）（ta），58a tc（TC）	4.5V，11.5V	9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	44 NC @ 11.5 V	±20V	2155 pf @ 12 V	-	1.3W（ta），52W（（ta）
KSD261CGBU	-	RFQ	7624	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSD261		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																						20 v	500 MA	100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 50mA，500mA	200 @ 100mA，1V	-
ISL9N303AS3	-	RFQ	1227	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	ISL9	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	172 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 15 V	-	215W（TC）
PCP1208-TD-H	-	RFQ	8257	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	PCP1208		1.3 w	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																						200 v	700 MA	1µA（ICBO）			NPN	200mv @ 35mA，350mA	200 @ 100mA，5V	120MHz
2SA1450S-AA	0.1400	RFQ	7598	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1,500
MJD50T4	-	RFQ	3131	Onmi	-	（CT）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD50		15 W	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																						400 v	1 a	200µA			NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
KSC2786YTA	-	RFQ	1405	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2786		250MW	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000				18db〜22dB																		20V	20mA				NPN		120 @ 1mA，6v	600MHz			3DB〜5DB @ 100MHz
NTR4501NT3G	-	RFQ	1248	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR450	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000			n通道		20 v	3.2A（ta）	1.8V，4.5V	80MOHM @ 3.6A，4.5V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±12V	200 pf @ 10 V	-	1.25W（TJ）
FDS6670AS	-	RFQ	9843	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS66	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	13.5A（TA）	4.5V，10V	9mohm @ 13.5a，10v	3V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±20V	1540 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FQI19N20TU	-	RFQ	7249	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI1	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		200 v	19.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.7A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），140W（tc）
FDMS3604AS	-	RFQ	6826	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3604	MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）				30V	13a，23a		8mohm @ 13a，10v	2.7V @ 250µA	29nc @ 10V		1695pf @ 15V	逻辑级别门
1n914btr	0.1000	RFQ	83	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N914B	标准		do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													100 v	1 V @ 100 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-55°C 〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
BC858CDW1T1G	-	RFQ	7876	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BC858		380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						30V	100mA	15NA（icbo）			2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
MMSZ5242BT1	-	RFQ	3735	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ524		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		1 µA @ 9.1 V							12 v	30欧姆
MBRA120LT3	-	RFQ	9415	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-214ac，SMA	MBRA120	肖特基		SMA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													20 v	395 mv @ 1 a		200 µA @ 20 V		1a	-
NTP85N03G	-	RFQ	4584	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP85N	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		28 V	85A（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	2150 pf @ 24 V	-	80W（TC）
FDT86244	0.8900	RFQ	2093	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FDT86	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道		150 v	2.8A（TC）	6V，10V	128MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	395 pf @ 75 V	-	2.2W（ta）
FDMS3668S	-	RFQ	8452	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3668	MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）				30V	13a，18a		8mohm @ 13a，10v	2.7V @ 250µA	29nc @ 10V		1765pf @ 15V	逻辑级别门
MMBZ5240B	-	RFQ	1649年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		250兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		3 µA @ 8 V							10 v	17欧姆
RURP15100	-	RFQ	5750	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2	RURP15	标准		TO-220-2L	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1000 v	1.8 V @ 15 A	125 ns	100 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	15a	-
MUN5235T1G	0.2000	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	MUN5235		202兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		2.2 kohms	47科姆斯
FDS6574A	-	RFQ	9731	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS6574	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		20 v	16A（TA）	1.8V，4.5V	6mohm @ 16a，4.5V	1.5V @ 250µA	105 NC @ 4.5 V	±8V	7657 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
SZMMSZ4686T1G	0.3700	RFQ	6302	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ4686		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		5 µA @ 2 V							3.9 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²