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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MPSA92	-	RFQ	5581	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPSA92			625兆		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000																							300 v	500 MA					250NA（ICBO）					PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
FQP46N15	-	RFQ	1033	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP46		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FQP46N15	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		150 v	45.6A（TC）	10V	42MOHM @ 22.8A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	210W（TC）
BZX84C6V8LT1	-	RFQ	2393	Onmi	BZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C6			225兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V											6.8 v	15欧姆
FDB3652-F085	-	RFQ	5337	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB3652		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		100 v	（9A）（61A）（61a tc）	6V，10V	16mohm @ 61a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2880 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FDS8449-F085P	-	RFQ	1847年	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS84		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		40 V	7.6a（ta）	4.5V，10V	29MOHM @ 7.6A，10V	3V @ 250µA	11 NC @ 5 V	±20V	760 pf @ 20 V	-	5W（ta）
MUR3060PT	-	RFQ	5837	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-218-3	MUR30		标准			SOT-93	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	600 v	15a	1.5 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C
NTMFS4C025NT1G	1.1400	RFQ	639	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		30 V	20A（20A），69A （TC）	4.5V，10V	3.41mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1683 PF @ 15 V	-	2.55W（TA），30.5W（tc）
NTTFS5826NLTAG	0.8500	RFQ	7800	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS5826		MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		60 V	8a（8a）	4.5V，10V	24mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），19w（（（（（（（（
NZ3F18VT1G	-	RFQ	7797	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.39％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F	NZ3F18			800兆		SOD-323FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.3 V @ 10 mA		50 NA @ 12.5 V											18 V	60欧姆
PCG20N60A4W	-	RFQ	6515	Onmi	-	大部分	过时的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-PCG20N60A4W	Ear99	8541.29.0095	1
FAM65HR51DS2	-	RFQ	8785	Onmi	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞		FAM65			135 w	标准		下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	12	半桥逆变器																					-	650 v	33 a	-					不			4.86 NF @ 400 V
1N5227B_T50A	-	RFQ	5397	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5227			500兆		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																		1.2 V @ 200 ma		15 µA @ 1 V											3.6 v	24欧姆
MM3Z12VT1G	0.1800	RFQ	9681	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	MM3Z12			300兆		SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V											12 v	25欧姆
SFT1443-TL-W	-	RFQ	3598	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SFT1443		MOSFET （金属 o化物）			DPAK/TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	700			n通道		100 v	9a（9a）	4V，10V	225mohm @ 3a，10v	2.6V @ 1mA	9.8 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 20 V	-	1W（1W），19w（tc）
fyp1545dntu	-	RFQ	9955	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	FYP15		肖特基			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	45 v	15a	700 MV @ 15 A		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
NTD3055L104G	-	RFQ	5307	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD30		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		60 V	12a（12a）	5V	104mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±15V	440 pf @ 25 V	-	1.5W（ta），48W（tj）
NVMFS6B05NT1G	-	RFQ	5900	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		100 v	114a（TC）	10V	8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±16V	3100 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），165W（tc）
SVC325-TL-E	0.1400	RFQ	30	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.59.0080	3,000
FDFS2P106A	-	RFQ	6031	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDFS2P106		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500			P通道		60 V	3A（3A）	4.5V，10V	110MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	714 PF @ 30 V	Schottky 二极管（孤立）	900MW（TA）
BF721T1G	-	RFQ	9716	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BF721			1.5 w		SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																							300 v	50 mA					10NA（ICBO）					PNP	800mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
MMSZ2V4T1	-	RFQ	1755年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	mmsz2v			500兆		SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V											2.4 v	100欧姆
SZMM5Z3V9T5G	0.4900	RFQ	8	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.41％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	SZMM5			500兆		SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																		900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V											3.9 v	90欧姆
MM3Z9V1T1	-	RFQ	8684	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	MM3Z9			200兆		SOD-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V											9.1 v	15欧姆
FQP16N25C	-	RFQ	4588	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP1		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		250 v	15.6A（TC）	10V	270MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	139W（TC）
NTMFS5C430NT3G	1.8724	RFQ	1863年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		40 V	35A（35A），185A （TC）	10V	1.7MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），106W（tc）
3LN01C-TB-E	-	RFQ	2969	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	3LN01		MOSFET （金属 o化物）			SC-59-3/CP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		30 V	150mA（ta）	1.5V，4V	3.7OHM @ 80mA，4V	-	1.58 NC @ 10 V	±10V	7 pf @ 10 V	-	250MW（TA）
IRLW510ATM	-	RFQ	5562	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRLW51		MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		100 v	5.6A（TC）	5V	440MOHM @ 2.8A，5V	2V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±20V	235 pf @ 25 V	-	3.8W（37W），37W（tc）
ISL9V3040D3STV	1.9600	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ISL9V3040	逻辑		150 w		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				300V，6.5a，470ohm，5V															2.1 µs			-	400 v	21 a	1.65V @ 4V，6A	-	17 NC	700NS/4.8µs
FW216A-TL-2WX	-	RFQ	3177	Onmi	-	大部分	过时的		-	-	-	FW216		-	-		-	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-				-	-		-	-	-		-	-
SBT80-10J	-	RFQ	9354	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	SBT80		肖特基			TO-220毫升	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	100 v	8a	800 mv @ 3 a		100 µA @ 50 V	-55°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²