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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
KSD261GBU	-	RFQ	8464	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSD261		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																							20 v	500 MA	100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 50mA，500mA	200 @ 100mA，1V	-
CPH6604-TL-E	0.1400	RFQ	36	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
BZX84C10LT1	-	RFQ	7381	Onmi	BZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C10		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V							10 v	20欧姆
BZX85C43_T50R	-	RFQ	2769	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±7％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C43		1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	6,000																	1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 30 V							43 V	50欧姆
1pmt5922bt1	-	RFQ	3661	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3.2 w	Powermite	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.25 V @ 200 ma		5 µA @ 6 V							7.5 v	3欧姆
NGTD17R120F2WP	-	RFQ	7978	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	死	NGTD17	标准		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		-													1200 v		1.8 V @ 35 A		1 µA @ 1200 V	175°c （最大）	-	-
2N4123TFR	-	RFQ	8811	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4123		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																							30 V	200 ma	50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	50 @ 2mA，1V	250MHz
NSBA124EDXV6T1	-	RFQ	1664年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA124		500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA	500NA			2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v	-	22KOHMS	22KOHMS
2N4403RRPG	-	RFQ	4117	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N4403		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																							40 V	600 MA	-			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
FFA15U40DNTU	-	RFQ	2795	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FFA15	标准		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	450		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	400 v	15a	1.4 V @ 15 A	50 ns	40 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
FDP15N40	-	RFQ	3918	Onmi	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP15	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	400 v	15A（TC）	10V	300MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1750 pf @ 25 V	-	170W（TC）
NVMFD6H840NLWFT1G	2.7700	RFQ	9446	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD6	MOSFET （金属 o化物）		8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）			80V	（14a）（ta），74a tc（TC）		6.9mohm @ 20a，10v	2V @ 96µA	32NC @ 10V		2002pf @ 40V	-
BD135	-	RFQ	9349	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD135		1.25 w	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																							45 v	1.5 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
FLZ20VA	-	RFQ	6705	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	FLZ20		500兆	SOD-80	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.2 V @ 200 ma		133 na @ 15 V							18.5 v	23.5欧姆
NRVUS360VBT3G-GA01	-	RFQ	8021	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NRVUS360VBT3G-GA01TR	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.25 V @ 3 A	75 ns	3 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	-
SBAV99WT1	-	RFQ	2930	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		标准		SC-70-3（SOT323）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对系列连接	100 v	215ma	1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
NTD3813N-1G	-	RFQ	5049	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD38	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道	16 V	9.6a（ta），51a（tc）	4.5V，10V	8.75MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	12.8 NC @ 4.5 V	±16V	963 PF @ 12 V	-	1.2W（TA），34.9W（tc）
NJVBDX53C	-	RFQ	5237	Onmi	-	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3	NJVBDX5		65 w	TO-220	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																							100 v	8 a	500µA			npn-达灵顿	2V @ 12mA，3a	750 @ 3a，3v	-
NJVMJD44H11G	0.9800	RFQ	6792	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVMJD44		1.75 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	75																							80 V	8 a	1µA			NPN	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	85MHz
NSBA143TDXV6T5G	-	RFQ	2493	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA143		500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																							50V	100mA	500NA			2 PNP-）	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	-
mpsa12rlrpg	-	RFQ	3882	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA12		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																							20 v		100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1V @ 10µA，10mA	20000 @ 10mA，5V	-
SBE002-TL-E	-	RFQ	8483	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SBE002	肖特基		6-CPH	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													50 V		550 mv @ 1 a		80 µA @ 25 V	-55°C〜125°C	1a	52pf @ 10V，1MHz
FQA9P25	2.9000	RFQ	901	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA9	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			P通道	250 v	10.5A（TC）	10V	620MOHM @ 5.25a，10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1180 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FCH072N60F	9.3300	RFQ	1350	Onmi	FRFET®，SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH072	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道	600 v	52A（TC）	10V	72MOHM @ 26a，10V	5V @ 250µA	215 NC @ 10 V	±20V	8660 pf @ 100 V	-	481W（TC）
PZTA29	0.5100	RFQ	10	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PZTA29		1 w	SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																							100 v	800 MA	50NA			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
tis97_d26z	-	RFQ	2904	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	TIS97		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																							40 V	500 MA	10NA（ICBO）			NPN	-	250 @ 100µA，5V	-
SB07-03C-TB-E	0.3700	RFQ	6	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SB07	肖特基		3-CP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		550 MV @ 700 mA	10 ns	80 µA @ 15 V	-55°C〜125°C	700mA	25pf @ 10V，1MHz
WY85_BZX84C15	-	RFQ	8661	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		550兆	SOT-23	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000																	900 mv @ 10 ma		50 NA @ 10.5 V							14.8 v
FJN3303FBU	-	RFQ	4473	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	FJN330		650兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																							400 v	1.5 a	10µA（ICBO）			NPN	3V @ 500mA，1.5a	14 @ 500mA，2V	4MHz
FDU8896	-	RFQ	2247	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FDU88	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道	30 V	17a（17a），94A（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2525 PF @ 15 V	-	80W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²