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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MMSZ4714T1	-	RFQ	6912	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ47		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																											900 mv @ 10 ma	10 na @ 25 V							33 V
NDBA180N10BT4H	-	RFQ	1451	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NDBA18	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		100 v	180a（ta）	10V，15V	2.8mohm @ 50a，15v	4V @ 1mA	95 NC @ 10 V	±20V	6950 PF @ 50 V	-	200W（TC）
MMSZ11T1	-	RFQ	1611	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ11		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																											900 mv @ 10 ma	100 na @ 8 V							11 V	20欧姆
FQD12N20LTM-F085	-	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101，QFET®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD12N20	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		200 v	9A（TC）	5V，10V	280MOHM @ 4.5A，10V	2V @ 250µA	21 NC @ 5 V	±20V	1080 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
HUFA76419D3	-	RFQ	2137	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		60 V	20A（TC）	4.5V，10V	37mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	27.5 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
KSA992FATA	0.3900	RFQ	19	Onmi	-	（CT）	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSA992		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																120 v	50 mA	1µA			PNP	300mv @ 1mA，10mA	200 @ 1mA，6v	100MHz
BC307B_J35Z	-	RFQ	8351	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC307		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																45 v	100 ma	15NA			PNP	500mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	130MHz
2SD1012F-SPA-AC	-	RFQ	3548	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SD1012		250兆	3-SPA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500																																15 v	700 MA	1µA（ICBO）			NPN	80mv @ 10mA，100mA	160 @ 50mA，2V	250MHz
BC183	-	RFQ	4093	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC183		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																30 V	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	40 @ 10µA，5V	150MHz
NTLUS3A18PZTBG	0.6900	RFQ	3	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	ntlus3	MOSFET （金属 o化物）		6-udfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		20 v	5.1a（ta）	1.5V，4.5V	18mohm @ 7a，4.5V	1V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±8V	2240 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
mbrd660ctrlg	-	RFQ	8815	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MBRD660	肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对普通阴极	60 V	3a	700 mv @ 3 a	100 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
MBRB2515LT4	-	RFQ	2543	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MBRB2515	肖特基		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							15 v		450 MV @ 25 A	15 ma @ 15 V		25a	-
BUZ11_R4941	-	RFQ	3036	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buz11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道		50 V	30A（TC）	10V	40mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA		±20V	2000 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FDD6296	-	RFQ	6997	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD629	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	（15a）（TA），50A （TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
KSA1201OTF	-	RFQ	1164	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	KSA12		1 w	SOT-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																																120 v	800 MA	100NA（ICBO）			PNP	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
MMSZ4711ET1	-	RFQ	8181	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ47		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																											900 mv @ 10 ma	10 na @ 20.4 V							27 V
MBR2090CT	-	RFQ	3442	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	MBR2090	肖特基		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MBR2090CTOS	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对普通阴极	90 v	10a	850 mv @ 10 A	100 µA @ 90 V	-65°C〜175°C
MMSZ5223ET1	-	RFQ	9657	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ522		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																											900 mv @ 10 ma	75 µA @ 1 V							2.7 v	30欧姆
mpsa44rl1g	-	RFQ	1347	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA44		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																																400 v	300 MA	500NA			NPN	750mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，10v	-
FQD2N80TM_WS	-	RFQ	1275	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD2	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		800 v	1.8A（TC）	10V	6.3OHM @ 900mA，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
NSVT45010MW6T3G	0.0920	RFQ	3105	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NSVT45010		380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																45V	100mA	15NA（icbo）			2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
TIP29CG	1.1700	RFQ	1471	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP29		2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																100 v	1 a	300µA			NPN	700mv @ 125mA，1a	15 @ 1A，4V	3MHz
MMBZ5252BLT1	-	RFQ	1314	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																											900 mv @ 10 ma	100 na @ 18 V							24 V	33欧姆
NVMFS6H852NT1G	0.5610	RFQ	1350	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		80 V	10A（10A），40A （TC）	10V	14.2MOHM @ 10A，10V	4V @ 45µA	13 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 40 V	-	3.6W（ta），54W（tc）
KSC2331OBU	-	RFQ	5508	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2331		1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	6,000																																60 V	700 MA	100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	70 @ 50mA，2V	50MHz
NTJD4105CT2G	0.4200	RFQ	4305	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJD4105	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道				20V，8V	630mA，775mA		375MOHM @ 630mA，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 4.5V		46pf @ 20V	逻辑级别门
MCR12DCNT4	-	RFQ	7915	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜125°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MCR12			DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,500				40 MA											800 v	12 a	1 V	100A @ 60Hz	20 ma	1.9 v	7.8 a	10 µA	标准恢复
FFSP3065A	12.3500	RFQ	7827	Onmi	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	FFSP3065	SIC （碳化硅）		TO-220-2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							650 v		1.75 V @ 30 A	200 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	30a	1705pf @ 1V，100kHz
HUF75321D3	-	RFQ	8283	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	HUF75	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道		55 v	20A（TC）	10V	36mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	93W（TC）
PN100A_D75Z	-	RFQ	7288	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN100		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																45 v	500 MA	50NA			NPN	400mv @ 20mA，200mA	300 @ 10mA，1V	250MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²