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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BC856CMTF	-	RFQ	7780	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC856		310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																						65 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
NVMFD5877NLWFT1G	-	RFQ	4624	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5877	MOSFET （金属 o化物）	3.2W	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）			60V	6a		39mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	20NC @ 10V		540pf @ 25V	逻辑级别门
MM5Z4703T1G	0.3500	RFQ	1997	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523			500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma	50 NA @ 12.1 V							16 V
NTMFS08N2D5C	6.9400	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFS08	MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	80 V	166a（TC）	6V，10V	2.7MOHM @ 68A，10V	4V @ 380µA	84 NC @ 10 V	±20V	6240 pf @ 40 V	-	138W（TC）
NTTFS5C673NLTAG	1.6600	RFQ	1890年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS5	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	60 V	（13A）（TA），50A（tc）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 25a，10V	2V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），46W（tc）
NTUD3171PZT5G	-	RFQ	4196	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-963	NTUD31	MOSFET （金属 o化物）	125MW	SOT-963	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	8,000	2（p 通道（双）			20V	200mA		5ohm @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	-		13.5pf @ 15V	逻辑级别门
NSVMMUN2112LT1G	0.3300	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVMMUN2112		246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000																						50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v		22 KOHMS	22 KOHMS
KSC5019NTA	-	RFQ	4516	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC5019		750兆w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																						10 v	2 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，2a	300 @ 500mA，1V	150MHz
BC547C_J35Z	-	RFQ	8094	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC547		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																						45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
BCW66G	-	RFQ	4923	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW66		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																						45 v	1 a	20NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
KSC2335RTU	-	RFQ	5360	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC2335		1.5 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50																						400 v	7 a	10µA（ICBO）			NPN	1V @ 600mA，3a	20 @ 1a，5v	-
NTD3055-150T4	-	RFQ	3216	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD30	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	9a（9a）	10V	150MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 25 V	-	1.5W（TA），28.8W（tj）
1SMB5916BT3G	0.4300	RFQ	9779	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5916		3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.5 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V							4.3 v	6欧姆
MCH6121-TL-H	-	RFQ	4668	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH61		1 w	6-MCPH	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	3,000																						12 v	3 a	100NA（ICBO）			PNP	165MV @ 30mA，1.5a	200 @ 500mA，2V	380MHz
MMSZ4714T1	-	RFQ	6912	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ47		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma	10 na @ 25 V							33 V
NDBA180N10BT4H	-	RFQ	1451	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NDBA18	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道	100 v	180a（ta）	10V，15V	2.8mohm @ 50a，15v	4V @ 1mA	95 NC @ 10 V	±20V	6950 PF @ 50 V	-	200W（TC）
MMSZ11T1	-	RFQ	1611	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ11		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma	100 na @ 8 V							11 V	20欧姆
FQD12N20LTM-F085	-	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101，QFET®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD12N20	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	200 v	9A（TC）	5V，10V	280MOHM @ 4.5A，10V	2V @ 250µA	21 NC @ 5 V	±20V	1080 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
HUFA76419D3	-	RFQ	2137	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	75			n通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	37mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	27.5 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
KSA992FATA	0.3900	RFQ	19	Onmi	-	（CT）	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSA992		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																						120 v	50 mA	1µA			PNP	300mv @ 1mA，10mA	200 @ 1mA，6v	100MHz
BC307B_J35Z	-	RFQ	8351	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC307		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																						45 v	100 ma	15NA			PNP	500mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	130MHz
2SD1012F-SPA-AC	-	RFQ	3548	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SD1012		250兆	3-SPA	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,500																						15 v	700 MA	1µA（ICBO）			NPN	80mv @ 10mA，100mA	160 @ 50mA，2V	250MHz
BC183	-	RFQ	4093	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC183		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																						30 V	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	40 @ 10µA，5V	150MHz
NTLUS3A18PZTBG	0.6900	RFQ	3	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	ntlus3	MOSFET （金属 o化物）		6-udfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	5.1a（ta）	1.5V，4.5V	18mohm @ 7a，4.5V	1V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±8V	2240 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
mbrd660ctrlg	-	RFQ	8815	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MBRD660	肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1,800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	60 V	3a	700 mv @ 3 a	100 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
MBRB2515LT4	-	RFQ	2543	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MBRB2515	肖特基		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													15 v		450 MV @ 25 A	15 ma @ 15 V		25a	-
BUZ11_R4941	-	RFQ	3036	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buz11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400			n通道	50 V	30A（TC）	10V	40mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA		±20V	2000 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FDD6296	-	RFQ	6997	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD629	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	（15a）（TA），50A （TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
KSA1201OTF	-	RFQ	1164	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	KSA12		1 w	SOT-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	4,000																						120 v	800 MA	100NA（ICBO）			PNP	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
MMSZ4711ET1	-	RFQ	8181	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ47		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma	10 na @ 20.4 V							27 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²