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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FLZ20VA	-	RFQ	6705	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	FLZ20		500兆	SOD-80	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																										1.2 V @ 200 ma		133 na @ 15 V							18.5 v	23.5欧姆
FJNS4207RBU	-	RFQ	9404	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS42		300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
SB05-05NP-AA	0.0800	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	1
KSD1273P	-	RFQ	1521年	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSD1273		2 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	200																																60 V	3 a	100µA			NPN	1V @ 50mA，2a	800 @ 500mA，4V	30MHz
MCR100-6ZL1G	-	RFQ	8174	Onmi	-	（CT）	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MCR10			TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000				5 ma											400 v	800 MA	800 mv	10a @ 60hz	200 µA	1.7 v	10 µA	敏感门
2SC6017-TL-E	0.9000	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SC6017		950兆	TP-FA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	700																																50 V	10 a	10µA（ICBO）			NPN	360mv @ 250mA，5a	200 @ 1A，2V	200MHz
MBR3100RL	-	RFQ	6233	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	MBR3100	肖特基		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						100 v		790 mv @ 3 a		600 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	-
NJVMJD6039T4G	0.3643	RFQ	3901	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVMJD6039		1.75 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																																80 V	4 a	10µA			npn-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	500 @ 2a，4V	-
FJH1100_T50R	-	RFQ	4673	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	FJH11	标准		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																						15 v		1.07 V @ 100 ma		10 PA @ 15 V	175°c （最大）	150mA	2pf @ 0v，1MHz
MUR110RL	-	RFQ	2685	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	mur11	标准		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						100 v		875 mv @ 1 a	35 ns	2 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	-
rurd620cc	-	RFQ	6508	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	RURD62	标准		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	75		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	200 v	6a	1 V @ 6 A	30 ns	100 µA @ 200 V
mur4100e	-	RFQ	4177	Onmi	SwitchMode™	大部分	过时的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	MUR41	标准		轴向	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1000 v		1.85 V @ 4 A	100 ns	25 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	4a	-
FFA15U40DNTU	-	RFQ	2795	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FFA15	标准		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	450		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	400 v	15a	1.4 V @ 15 A	50 ns	40 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
NVMFD6H840NLWFT1G	2.7700	RFQ	9446	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD6	MOSFET （金属 o化物）		8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）				80V	（14a）（ta），74a tc（TC）		6.9mohm @ 20a，10v	2V @ 96µA	32NC @ 10V		2002pf @ 40V	-
MBR2090CT	-	RFQ	3442	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	MBR2090	肖特基		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MBR2090CTOS	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	90 v	10a	850 mv @ 10 A		100 µA @ 90 V	-65°C〜175°C
MMSZ5223ET1	-	RFQ	9657	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ522		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																										900 mv @ 10 ma		75 µA @ 1 V							2.7 v	30欧姆
BZX84C10LT1	-	RFQ	7381	Onmi	BZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C10		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																										900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V							10 v	20欧姆
1pmt5922bt1	-	RFQ	3661	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3.2 w	Powermite	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																										1.25 V @ 200 ma		5 µA @ 6 V							7.5 v	3欧姆
2N4123TFR	-	RFQ	8811	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4123		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																30 V	200 ma	50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	50 @ 2mA，1V	250MHz
NSBA124EDXV6T1	-	RFQ	1664年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA124		500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																																50V	100mA	500NA			2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v	-	22KOHMS	22KOHMS
2SD1012F-SPA-AC	-	RFQ	3548	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SD1012		250兆	3-SPA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500																																15 v	700 MA	1µA（ICBO）			NPN	80mv @ 10mA，100mA	160 @ 50mA，2V	250MHz
BC307B_J35Z	-	RFQ	8351	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC307		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																45 v	100 ma	15NA			PNP	500mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	130MHz
BC183	-	RFQ	4093	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC183		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																30 V	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	40 @ 10µA，5V	150MHz
NTLUS3A18PZTBG	0.6900	RFQ	3	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	ntlus3	MOSFET （金属 o化物）		6-udfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		20 v	5.1a（ta）	1.5V，4.5V	18mohm @ 7a，4.5V	1V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±8V	2240 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
BUZ11_R4941	-	RFQ	3036	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buz11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道		50 V	30A（TC）	10V	40mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA		±20V	2000 pf @ 25 V	-	75W（TC）
KSA1201OTF	-	RFQ	1164	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	KSA12		1 w	SOT-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																																120 v	800 MA	100NA（ICBO）			PNP	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
FDD6296	-	RFQ	6997	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD629	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	（15a）（TA），50A （TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
NGTD17R120F2WP	-	RFQ	7978	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	死	NGTD17	标准		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		-																						1200 v		1.8 V @ 35 A		1 µA @ 1200 V	175°c （最大）	-	-
FDI3652	-	RFQ	6968	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FDI3652	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道		100 v	（9A）（61A）（61a tc）	6V，10V	16mohm @ 61a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2880 pf @ 25 V	-	150W（TC）
KSA992FATA	0.3900	RFQ	19	Onmi	-	（CT）	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSA992		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																120 v	50 mA	1µA			PNP	300mv @ 1mA，10mA	200 @ 1mA，6v	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²