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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SZMMSZ6V2T1G	0.3700	RFQ	9	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ6			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma	3 µA @ 4 V													6.2 v	10欧姆
mpsa06ra	0.4900	RFQ	18	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA06			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																						80 V	500 MA						100NA			NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
NJVMJK31CTWG	1.0500	RFQ	9607	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NJVMJK31			2.7W	LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000																						100V	3a						50µA				1.2V @ 375mA，3a	25 @ 1A，4V	3MHz
FGY60T120平方米	11.3100	RFQ	2639	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	FGY60	标准		517 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，60a，10ohm，15V																	-	1200 v	120 a	240 a	1.95V @ 15V，60a	-	311 NC	52NS/296NS
FDB047N10	4.0200	RFQ	13	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB047		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		100 v	120A（TC）	10V	4.7MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	15265 PF @ 25 V	-	375W（TC）
NRVB2045EMFST3G	1.4500	RFQ	5327	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NRVB2045		肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													45 v	640 mv @ 20 a	400 µA @ 45 V	-55°C〜150°C	20a	-
LJF13007	0.5400	RFQ	23	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
BC489	-	RFQ	6697	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC489			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																						80 V	500 MA						100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 100mA，1a	60 @ 100mA，2V	200MHz
FQAF13N80	5.0200	RFQ	330	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FQAF13		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		800 v	8A（TC）	10V	750MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	3500 PF @ 25 V	-	120W（TC）
MPS6727G	-	RFQ	2450	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS672			1 w	TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响	mps6727gos	Ear99	8541.29.0095	5,000																						40 V	1 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	50 @ 1a，1V	-
2SK2624LS-CD11	0.7500	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
MM5Z2V4ST1G	0.3000	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z2			500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma	120 µA @ 1 V													2.53 v	100欧姆
MC1413DR2G	0.7500	RFQ	74	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MC1413			-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																						50V	500mA						-			7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
2SC5707-TL-E	1.2600	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SC5707			1 w	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700																						50 V	8 a						100NA（ICBO）			NPN	240mv @ 175mA，3.5a	200 @ 500mA，2V	330MHz
NTQD6968NR2G	-	RFQ	8822	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	NTQD69		MOSFET （金属 o化物）	1.39W	8-tssop	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）				20V	6.2a		22mohm @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	17nc @ 4.5V		630pf @ 16V	逻辑级别门
MTP2P50E	-	RFQ	6128	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MTP2P		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MTP2P50EO	Ear99	8541.29.0095	50			P通道		500 v	2A（TC）	10V	6ohm @ 1a，10v	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	1183 PF @ 25 V	-	75W（TC）
1N6010B_T50R	-	RFQ	6155	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6010			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																1.2 V @ 200 ma	100 na @ 21 V													27 V	70欧姆
NSBC114TPDXV6T1	-	RFQ	3279	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBC114			500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NSBC114TPDXV6T1OS	Ear99	8541.21.0095	4,000																						50V	100mA						500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	-
But11atu	-	RFQ	7496	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	But11			100 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																						450 v	5 a						1ma			NPN	1.5V @ 500mA，2.5a	-	-
CPH3109-TL-E	0.5700	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-96	CPH3109			900兆	3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						30 V	3 a						100NA（ICBO）			PNP	230mv @ 30mA，1.5a	200 @ 500mA，2V	380MHz
1N5231C	0.2400	RFQ	7	Onmi	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5231			500兆	do-35	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 2 V													5.1 v	17欧姆
MMSZ5250B	-	RFQ	5869	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ525			500兆	SOD-123	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma	100 na @ 15 V													20 v	25欧姆
SBC846BPDW1T1G	0.4800	RFQ	14	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SBC846			380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						65V	100mA						15NA（icbo）			NPN，PNP	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
2N2905	-	RFQ	1764年	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N2905			600兆	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																						40 V	600 MA						-			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
FDPF17N60NT	3.3100	RFQ	925	Onmi	Unifet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF17		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	17a（TC）	10V	340MOHM @ 8.5A，10V	5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	3040 pf @ 25 V	-	62.5W（TC）
2SD1816S-H	-	RFQ	5667	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SD1816			1 w	TP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																						100 v	4 a						1µA（ICBO）			NPN	400mv @ 200mA，2a	140 @ 500mA，5V	180MHz
2SD734F-AA	0.0500	RFQ	157	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				600兆	3-np	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SD734F-AA	Ear99	8541.21.0075	1																						20 v	700 MA						1µA（ICBO）			NPN	300mv @ 50mA，500mA	160 @ 50mA，2V	250MHz
KSC2331YSHTA	-	RFQ	3703	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	KSC2331			1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																						60 V	700 MA						100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	120 @ 50mA，2V	50MHz
MMBD1501	-	RFQ	2500	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBD15		标准		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													200 v	1.1 V @ 200 ma	10 na @ 180 V	150°C （最大）	200mA	4pf @ 0v，1MHz
2N7053_D74Z	-	RFQ	5099	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N7053			1 w	TO-226-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																						100 v	1.5 a						200NA			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	1000 @ 1A，5V	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²