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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
rurd620cc	-	RFQ	6508	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	RURD62	标准		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	75		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			1对普通阴极	200 v	6a	1 V @ 6 A	30 ns	100 µA @ 200 V
BC638ZL1G	-	RFQ	6126	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC638		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														60 V	500 MA	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	150MHz
mur4100e	-	RFQ	4177	Onmi	SwitchMode™	大部分	过时的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	MUR41	标准		轴向	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1000 v		1.85 V @ 4 A	100 ns	25 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	4a	-
MMBZ5234ELT1	-	RFQ	6537	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																								900 mv @ 10 ma		5 µA @ 4 V							6.2 v	7欧姆
SZNZ8F15VSMX2WT5G	0.0818	RFQ	7080	Onmi	汽车，AEC-Q101，NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.3％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN			250兆	2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZNZ8F15VSMX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																								900 mv @ 10 ma		100 na @ 11 V							15 v	42欧姆
KSC3552OTU	-	RFQ	9661	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	KSC3552		150 w	to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450																														800 v	12 a	10µA（ICBO）			NPN	2V @ 1.2a，6a	20 @ 800mA，5V	15MHz
SMMBD7000LT3G	0.3600	RFQ	20	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMMBD7000	标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																			1对系列连接	100 v	200ma（dc）	1.1 V @ 100 mA	4 ns	3 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
NTD4959NT4G	-	RFQ	9729	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD49	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	（9A）（ta），58a tc（TC）	4.5V，11.5V	9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 11.5 V	±20V	1456 pf @ 12 V	-	1.3W（ta），52W（（ta）
NTP75N03-006	-	RFQ	5671	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP75N	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		30 V	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 37.5A，10V	2V @ 250µA	75 NC @ 5 V	±20V	5635 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
FDP045N10A-F032	-	RFQ	8936	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDP045N10A-F032	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		100 v	120A（TC）	10V	4.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 250mA	74 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	263W（TC）
FQPF50N06L	-	RFQ	9449	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		60 V	32.6a（TC）	5V，10V	21mohm @ 16.3a，10v	5V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±20V	1630 PF @ 25 V	-	47W（TC）
2SD1804T-E	0.3400	RFQ	1	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
NSVMSB92T1G	0.1133	RFQ	3208	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					NSVMSB92				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
KSP8599TF	-	RFQ	5555	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSP85		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														80 V	500 MA	100NA			PNP	400mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	150MHz
3EZ39D5G	-	RFQ	8262	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	3EZ39		3 W	轴向	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,000																								1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 29.7 V							39 v	28欧姆
MBT35200MT1G	0.4800	RFQ	11	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	MBT35200		625兆	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																														35 v	2 a	100NA			PNP	310mv @ 20mA，2a	100 @ 1.5A，1.5V	100MHz
ES1C	0.4800	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	ES1	标准		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				150 v		920 MV @ 1 A	15 ns	5 µA @ 150 V	-55°C〜150°C	1a	7pf @ 4V，1MHz
NSVRB751S40T1G	0.5100	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523	NSVRB751	肖特基		SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																				30 V		370 mv @ 1 mA		500 NA @ 30 V	-55°C〜150°C	30mA	2.5pf @ 1V，1MHz
NDS7002A	0.3500	RFQ	1980	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NDS7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		60 V	280mA（TA）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
2n6388g	0.9200	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6388		2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																														80 V	10 a	1ma			npn-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 5A，3V	-
MJL0281AG	-	RFQ	1707年	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	MJL02		180 w	TO-264	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	25																														260 v	15 a	10µA（ICBO）			NPN	1V @ 500mA，5a	75 @ 3a，5v	30MHz
BC81740NMMTF	-	RFQ	2214	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817		310 MW	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																														45 v	800 MA	100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
NSVMUN5116T1G-M02	0.0400	RFQ	102	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	NSVMUN5116		202兆	SC-70-3（SOT323）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-NSVMUN5116T1G-M02	Ear99	8541.21.0095	1																														50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v		4.7科姆斯
SBE808-TL-W	-	RFQ	7974	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-SMD（5条线），平坦的铅	SBE808	肖特基		5-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			2独立	15 v	1a	540 mv @ 1 a	10 ns	3 µA @ 6 V	-55°C〜150°C
2SB1121S-TD-E	0.6200	RFQ	839	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SB1121		500兆	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																														25 v	2 a	100NA（ICBO）			PNP	600mv @ 75mA，1.5a	100 @ 100mA，2V	150MHz
FKPF12N80YDTU	-	RFQ	7593	Onmi	-	管子	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FKPF1			TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	800	单身的			50 mA											标准	800 v	12 a	1.5 v	120a，132a	30 ma
FCD5N60TF	-	RFQ	3951	Onmi	SuperFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD5	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道		600 v	4.6A（TC）	10V	950MOHM @ 2.3a，10V	5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	54W（TC）
SS22FA	0.4800	RFQ	5	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123W	SS22	肖特基		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				20 v		500 mv @ 2 a		400 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	2a	120pf @ 4V，1MHz
MJD45H11RLG	0.9600	RFQ	25	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD45		1.75 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,800																														80 V	8 a	1µA			PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	90MHz
FDT458P	0.6300	RFQ	4443	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FDT458	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道		30 V	3.4a（ta）	4.5V，10V	130MOHM @ 3.4A，10V	3V @ 250µA	3.5 NC @ 10 V	±20V	205 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²