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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MMBT2131T1G	0.1809	RFQ	9790	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	MMBT2131		342 MW		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																								30 V	700 MA		1µA（ICBO）					PNP	400mv @ 70mA，700mA	150 @ 100mA，3v	-
FJN3301RTA	-	RFQ	6120	Onmi	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	FJN330		300兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																								50 V	100 ma		100NA（ICBO）					NPN	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 10mA，5v	250MHz
BAS16LT3G	0.1000	RFQ	43	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS16	标准			SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													100 v		1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
KSA642YTA	-	RFQ	6304	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSA642		400兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																								25 v	300 MA		100NA（ICBO）					PNP	600mv @ 30mA，300mA	120 @ 50mA，1V	-
SZ1SMB5946BT3G	0.6500	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SZ1SMB5946		3 W		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 56 V										75 v	140欧姆
FMG1G100US60H	-	RFQ	9609	Onmi	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	7 pm-ga	FMG1		400 w	标准	7 pm-ga	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	单身的																						-	600 v	100 a	2.8V @ 15V，100a	250 µA	不			10.84 NF @ 30 V
NVMFS4C05NWFT3G	-	RFQ	9221	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS4	MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	30 V	24.7a（TA），116a （TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1972 pf @ 15 V	-	3.61W（TA），79W（tc）
2N6518TA	-	RFQ	1824年	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N6518		625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																								250 v	500 MA		50NA（iCBO）					PNP	1V @ 5mA，50mA	45 @ 50mA，10v	200MHz
TIP32CTU-F129	-	RFQ	7714	Onmi	TIP32C	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					TO-220-3	-				2156-TIP32CTU-F129			1																											300µA					PNP	1.2V @ 375mA，3a	25 @ 1A，4V	3MHz
SURD8330T4G	-	RFQ	3175	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Surd8330	标准			DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-SURD8330T4G-488	Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													300 v		1.15 V @ 3 A	50 ns	5 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	3a	-
BAW76_T50R	-	RFQ	4412	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BAW76	标准			do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													75 v		1 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	175°c （最大）	300mA	2pf @ 0v，1MHz
2N6040	-	RFQ	3704	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6040		75 w		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N6040OS	Ear99	8541.29.0095	50																								60 V	8 a		20µA					pnp-达灵顿	2V @ 16mA，4a	1000 @ 4A，4V	-
KST222222AMTF	-	RFQ	6083	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KST22		350兆		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								40 V	600 MA		10NA（ICBO）					NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
1N5818RLG	0.4700	RFQ	4725	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5818	肖特基			轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		550 mv @ 1 a		1 ma @ 30 V	-65°C〜125°C	1a	-
MUR550APFRLG	0.2564	RFQ	7392	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	MUR550	标准			轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													520 v		1.15 V @ 5 A	95 ns	5 µA @ 520 V	-65°C〜175°C	5a	-
SB05-03C-TB-E	-	RFQ	9460	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SB05	肖特基			3-CP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		550 mv @ 500 mA	10 ns	30 µA @ 15 V	-55°C〜125°C	500mA	16pf @ 10V，1MHz
KSB74444ostu	-	RFQ	7024	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSB74		1 w		TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,920																								45 v	3 a		1µA（ICBO）					PNP	2V @ 150mA，1.5a	100 @ 500mA，5V	45MHz
NVMFS5C604NLAFT1G	6.1700	RFQ	3718	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	60 V	287a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	52 NC @ 4.5 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BC213L	-	RFQ	3196	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC213		625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																								30 V	500 MA		15NA（icbo）					PNP	600mv @ 5mA，100mA	80 @ 2mA，5V	200MHz
KSC4010RTU	-	RFQ	1476	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	KSC4010		60 W		to-3pn	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	450																								120 v	6 a		10µA（ICBO）					NPN	2.5V @ 500mA，5a	55 @ 1A，5V	30MHz
2N4124	-	RFQ	6246	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2N4124		625兆		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N4124OS	Ear99	8541.21.0075	5,000																								25 v	200 ma		50NA（iCBO）					NPN	300mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	300MHz
NSR0130M2T5G	-	RFQ	7216	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-723	NSR013	肖特基			SOD-723	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													30 V		525 mv @ 100 mA		3 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	100mA	-
FFB20UP30DNTPTM	-	RFQ	3179	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FFB20	标准			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	300 v	10a	1.3 V @ 10 A	45 ns	1 µA @ 300 V	-65°C〜150°C
SPS8549RRPG	0.0500	RFQ	26	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
mur4100erl	-	RFQ	1680年	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	MUR41	标准			轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1000 v		1.85 V @ 4 A	100 ns	25 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	4a	-
FDP5800	2.6700	RFQ	242	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP58	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	60 V	（14A）（ta），80a（tc）	4.5V，10V	6mohm @ 80a，10v	2.5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	9160 pf @ 15 V	-	242W（TC）
NRVFES6J	0.9500	RFQ	4048	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn	NRVFES6	标准			TO-277-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v			45 ns	2 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	6a	45pf @ 4V，1MHz
SZNZ8F24VSMX2WT5G	-	RFQ	3335	Onmi	汽车，AEC-Q101，NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.29％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN			250兆		2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZNZ8F24VSMX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 18.9 V										24 V	70欧姆
FQPF30N06	-	RFQ	4346	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF3	MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	60 V	21a（TC）	10V	40mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	945 PF @ 25 V	-	39W（TC）
NTB75N03RT4	-	RFQ	2067	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB75	MOSFET （金属 o化物）			D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道	25 v	9.7a（ta），75a（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	13.2 NC @ 10 V	±20V	1333 PF @ 20 V	-	1.25W（TA），74.4W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²