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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1P85-MMBD4148	-	RFQ	7347	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBD4148	标准		SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																							100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	150°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
1N752A_T50R	-	RFQ	2881	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N752		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																											1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V							5.6 v	11欧姆
MJB6488	0.4200	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
1085-MMBT100A	-	RFQ	8138	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBT10		350兆	SOT-23	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	45 v	500 MA	50NA			NPN	400mv @ 20mA，200mA	300 @ 10mA，1V	250MHz
2n6517rlrag	-	RFQ	3904	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		2N6517		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																	350 v	500 MA	50NA（iCBO）			NPN	1V @ 5mA，50mA	20 @ 50mA，10v	200MHz
FJPF5021RTU	-	RFQ	4008	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FJPF5021		40 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																																	500 v	5 a	10µA（ICBO）			NPN	1V @ 600mA，3a	15 @ 600mA，5V	15MHz
2N4401NLBU	-	RFQ	4374	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		2N4401		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																																	40 V	600 MA	-			NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
VEC2315-TL-W	-	RFQ	1481	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		VEC2315	MOSFET （金属 o化物）	1W	SOT-28FL/VEC8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）							60V	2.5a		137MOHM @ 1.5A，10V	2.6V @ 1mA	11NC @ 10V		420pf @ 20V	逻辑水平门，4V驱动器
2SA1317S-AC	0.0500	RFQ	75	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
KSP13BU	0.4100	RFQ	6	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		KSP13		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-KSP13BU-488	Ear99	8541.21.0075	10,000																																	30 V	500 MA	100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
FFSB0665A	2.2460	RFQ	1025	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FFSB0665	SIC （碳化硅）		D²Pak-3（TO-263-3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800		没有恢复t> 500mA（IO）																							650 v		1.75 V @ 6 A	0 ns	200 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	9a	361pf @ 1V，100kHz
FJN3303TA	-	RFQ	7847	Onmi	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		FJN330		1.1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																																	400 v	1.5 a	10µA（ICBO）			NPN	3V @ 500mA，1.5a	14 @ 500mA，2V	4MHz
5LP01SP	-	RFQ	6329	Onmi	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-72		5LP01	MOSFET （金属 o化物）		3-SPA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	500			P通道					50 V	70mA（ta）	1.5V，4V	23ohm @ 40mA，4V	-	1.4 NC @ 10 V	±10V	7.4 pf @ 10 V	-	250MW（TA）
BC328BU	-	RFQ	4420	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		BC328		625兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																																	25 v	800 MA	100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
SZ1SMB5924BT3G	-	RFQ	8899	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB		SZ1SMB5924		3 W	SMB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																											1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 7 V							9.1 v	4欧姆
FQE10N20CTU	-	RFQ	2573	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		FQE1	MOSFET （金属 o化物）		TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,920			n通道					200 v	4A（TC）	10V	360MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	12.8W（TC）
DLM10C-AT1	-	RFQ	5150	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		DLM10	标准		-	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							200 v		980 mv @ 1 a	35 ns	10 µA @ 200 V	150°C （最大）	1a	-
NSD914XV2T1G	0.3600	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523		NSD914	标准		SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																							100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-55°C〜150°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
FSB50250BS	4.8766	RFQ	7861	Onmi	MOTIONSPM®5	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET	FSB50250				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	450	3相逆变器				1.9 a	500 v	1500vrms
MAC97A8RRMG	-	RFQ	7366	Onmi	-	（TB）	过时的		-40°C〜110°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		MAC97			TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000	单身的			10 MA														逻辑 -敏感门	600 v	600 MA	2 v	8a @ 60Hz	5 ma
NRVB2535CTLT4G	-	RFQ	8134	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		NRVBB2535	肖特基		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对普通阴极	35 v	12.5a	470 mv @ 12.5 A		10 mA @ 35 V	-65°C〜125°C
TIP32CTU	-	RFQ	3738	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示32		2 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	TIP32CTU-NDR	Ear99	8541.29.0095	1,000																																	100 v	3 a	200µA			PNP	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
2SC4075D	0.2900	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
BAW56TT1	-	RFQ	3354	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416		BAW56	标准		SC-75，SOT-416	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																						1对公共阳极	70 v	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	6 ns	2.5 µA @ 70 V	-55°C〜150°C
flz5v1b	-	RFQ	5256	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		flz5		500兆	SOD-80	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																											1.2 V @ 200 ma		190 na @ 1.5 V							5.1 v	17欧姆
SBAT54SLT1	-	RFQ	5106	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
KST4124MTF	-	RFQ	6006	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		KST41		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	25 v	200 ma	50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	300MHz
SB80W10T-H	-	RFQ	6692	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		SB80	肖特基		TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对普通阴极	100 v	8a	800 mv @ 3 a		100 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
1N5817	-	RFQ	2531	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		1N5817	肖特基		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							20 v		450 MV @ 1 A		500 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	1a	110pf @ 4V，1MHz
SBT10010JST	0.2100	RFQ	90	Onmi	*	大部分	积极的						SBT100				-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²