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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FCP20N60_F080	-	RFQ	5361	Onmi	SuperFet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP20	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	20A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	3080 pf @ 25 V	-	208W（TC）
MMUN2130LT1G	0.1800	RFQ	11	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMUN2130		246兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																													50 V	100 ma		500NA					pnp-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	3 @ 5mA，10v		1 kohms	1 kohms
FCU850N80Z	1.1305	RFQ	5391	Onmi	SuperFet®II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FCU850	MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		800 v	6A（TC）	10V	850MOHM @ 3A，10V	4.5V @ 600µA	29 NC @ 10 V	±20V	1315 PF @ 100 V	-	75W（TC）
FQP47P06	3.4100	RFQ	7962	Onmi	QFET®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP47	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道		60 V	47A（TC）	10V	26mohm @ 23.5a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3600 PF @ 25 V	-	160W（TC）
Murd330T4G	-	RFQ	2709	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Murd330	标准			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			300 v	1.15 V @ 3 A	50 ns	5 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C	3a	-
MTD2955VT4	-	RFQ	2749	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MTD29	MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MTD2955VT4OS	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		60 V	12A（TC）	10V	230mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	60W（TC）
BDX33BG	1.2100	RFQ	492	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX33		70 W		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																													80 V	10 a		500µA					npn-达灵顿	2.5V @ 6mA，3a	750 @ 3a，3v	-
2N3903_D26Z	-	RFQ	7293	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N3903		625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																													40 V	200 ma		-					NPN	300mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，1V	-
NSVMUN5133DW1T1G	0.1177	RFQ	1962年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NSVMUN5133		250MW		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																													50V	100mA		500NA					2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	47kohms
mje210stu	-	RFQ	5250	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE210		15 W		TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,920																													25 v	5 a		100NA（ICBO）					PNP	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
NTF3055L175T1	-	RFQ	5698	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NTF305	MOSFET （金属 o化物）			SOT-223（TO-261）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTF3055L175T1OS	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		60 V	2A（TA）	5V	175MOHM @ 1A，5V	2V @ 250µA	10 NC @ 5 V	±15V	270 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
NST847BPDP6T5G	0.3900	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-963	NST847		350MW		SOT-963	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																													45V	100mA		15NA（icbo）					NPN，PNP	600mv @ 5mA，100mA / 700mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v / 220 @ 2mA，5V	100MHz
Z0109MAG	-	RFQ	6415	Onmi	-	盒子	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	Z010				TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	5,000	单身的			10 MA											逻辑 -敏感门	600 v	1 a	1.3 v	8a @ 60Hz	10 MA
MMBZ5244ELT3G	-	RFQ	7367	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		225兆		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																						900 mv @ 10 ma		100 na @ 10 V										14 V	15欧姆
FFSH10120A-F085	12.6200	RFQ	420	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的			通过洞	TO-247-2	FFSH10120	SIC （碳化硅）			TO-247-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）																			1200 v		0 ns	200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	17a	612pf @ 1V，100kHz
BZX84B6V2LT1G	0.2100	RFQ	40	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		225兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V										6.2 v	10欧姆
2N5224	-	RFQ	4928	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N522		625兆		TO-92-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																													12 v	100 ma		-					NPN	350mv @ 3mA，10mA	40 @ 10mA，1V	-
KSC2787YBU	-	RFQ	4599	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2787		250兆		TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																													30 V	50 mA		100NA（ICBO）					NPN	300mv @ 1mA，10mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
FQPF6N90C	-	RFQ	4042	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF6	MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		900 v	6A（TC）	10V	2.3OHM @ 3A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1770 pf @ 25 V	-	56W（TC）
BD680AS	-	RFQ	3520	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD680		14 W		TO-126-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																													80 V	4 a		500µA					pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
MMBT3906-ON	-	RFQ	6392	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000
KSC5039FTU	-	RFQ	2739	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSC5039		30 W		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																													400 v	5 a		10µA（ICBO）					NPN	1.5V @ 500mA，2.5a	10 @ 300mA，5V	10MHz
NTLJD3182FZTBG	-	RFQ	2039	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJD31	MOSFET （金属 o化物）			6-WDFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		20 v	2.2A（ta）	1.8V，4.5V	100mohm @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	7.8 NC @ 4.5 V	±8V	450 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	710MW（TA）
NTMFS5C646NLT3G	1.1506	RFQ	1804年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5	MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		60 V	20A（20A），93A （TC）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	33.7 NC @ 10 V	±20V	2164 PF @ 25 V	-	3.7W（ta），79w（tc）
FDC6N50NZFTM	-	RFQ	3899	Onmi	-	大部分	过时的					FDC6N50					-			到达不受影响	488-FDC6N50NZFTM	过时的		1
NXH100B120H3Q0PG	90.1200	RFQ	24	Onmi	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			186 w	标准	22-PIM（55x32.5）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH100B120H3Q0PG	Ear99	8541.29.0095	24	2独立																											沟渠场停止	1200 v	61 a	2.3V @ 15V，50a	200 µA	不			9.075 NF @ 20 V
1N4446_T50R	-	RFQ	3143	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4446	标准			do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																			100 v	1 V @ 20 ma	4 ns	25 na @ 20 V	175°c （最大）	200mA	4pf @ 0v，1MHz
MMSZ4688ET3	-	RFQ	9180	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ46		500兆		SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																						900 mv @ 10 ma		10 µA @ 3 V										4.7 v
MMBZ5248BLT1G	0.1600	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ5248		225兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						900 mv @ 10 ma		100 na @ 14 V										18 V	21欧姆
1N5378B	-	RFQ	8685	Onmi	-	大部分	过时的					1N5378					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N5378BOS	Ear99	8541.10.0050	1,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²