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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BAS20LT1	-	RFQ	9451	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						BAS20						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000
HGT1N30N60A4D	-	RFQ	9948	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		HGT1N30			255 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	60	单身的																								-	600 v	96 a		2.7V @ 15V，30a				250 µA	不
FQD4P25TF	-	RFQ	3804	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FQD4		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道					250 v	3.1A（TC）	10V	2.1OHM @ 1.55A，10V	5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	420 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
ISL9R3060P2	2.7700	RFQ	824	Onmi	Stealth™	管子	过时的			通过洞	TO-220-2		ISL9R3060		标准			TO-220-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																600 v	2.4 V @ 30 A	45 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	30a	-
BSR13	-	RFQ	4793	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BSR13			350兆		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																										30 V	500 MA						30na（icbo）				NPN	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	250MHz
2SK4196L	-	RFQ	2805	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		2SK4196		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FI（LS）	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	100			n通道					500 v	5.5A（ta）	10V	1.56OHM @ 2.8a，10V	5V @ 1mA	14.6 NC @ 10 V	±30V	360 pf @ 30 V	-	2W（TA），30W（TC）
mpsa70rlrmg	-	RFQ	7499	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		MPSA70			625兆		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																										40 V	100 ma						100NA（ICBO）				PNP	250mv @ 1mA，10mA	40 @ 5mA，10v	125MHz
SBZBZX84C10LT3	0.0200	RFQ	650	Onmi	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	10,000
MMBZ5237BLT1	-	RFQ	9579	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52			225兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		3 µA @ 6.5 V														8.2 v	8欧姆
SBZBZX84C39LT1	-	RFQ	6457	Onmi	*	大部分	积极的												-					0000.00.0000	1
1SMA5920BT3	-	RFQ	8963	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA		1SMA5920			1.5 w		SMA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	5,000																			1.5 V @ 200 ma		2.5 µA @ 4 V														6.2 v	2欧姆
RS1KFP	0.3700	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123H		RS1K		标准			SOD-123HE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																800 v	1.3 V @ 1.2 A	300 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1.2a	18pf @ 0v，1MHz
NTJS4405NT4G	-	RFQ	7406	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		NTJS44		MOSFET （金属 o化物）			SC-88/SC70-6/SOT-363	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道					25 v	1A（1A）	2.7V，4.5V	350MOHM @ 600mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.5 NC @ 4.5 V	±8V	60 pf @ 10 V	-	630MW（TA）
MBR1060	-	RFQ	8442	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-220-2		MBR106		肖特基			TO-220-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																60 V	800 mv @ 10 a		100 µA @ 60 V	-65°C〜175°C	10a	-
MMBZ5261BLT1	-	RFQ	3467	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52			225兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		100 na @ 36 V														47 V	105欧姆
mpsa93g	-	RFQ	6175	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		MPSA93			625兆		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	5,000																										200 v	500 MA						250NA（ICBO）				PNP	400mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
NTHD5904NT1G	-	RFQ	2264	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		NTHD59		MOSFET （金属 o化物）			chipfet™	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.3a，4.5V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	465 pf @ 16 V	-	640MW（TA）
BZX85C16	0.3200	RFQ	6	Onmi	-	大部分	积极的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向		BZX85C16			1 w		do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																			1.2 V @ 200 ma		500 na @ 11 V														16 V	15欧姆
SVD14N03RT4G	0.2313	RFQ	8971	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SVD14N		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					25 v	2.5a（ta）	4.5V，10V	95MOHM @ 5A，10V	2V @ 250µA	1.8 NC @ 5 V	±20V	115 pf @ 20 V	-	1.04W（ta），20.8W（tc）
NGTB30N120IHSWG	-	RFQ	3758	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		NGTB30	标准		192 w		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30				600V，30a，10ohm，15V																					沟渠场停止	1200 v	60 a	200 a	2.4V @ 15V，30a	1MJ （关闭）	220 NC	- /210NS
NSR05201MX4T5G	0.0709	RFQ	8225	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-			NSR05201		-				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		0000.00.0000	10,000		-																				-	-	-
NVMFS5C426NLT1G	3.7300	RFQ	49	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					40 V	41A（TA），237A （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），128W（tc）
MCH6631-TL-E	0.1000	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的						MCH6631		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	3,000																-
FDMC86259P	2.9300	RFQ	5616	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		FDMC86259		MOSFET （金属 o化物）			Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道					150 v	3.2a（ta），13a（tc）	6V，10V	107MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±25V	2045 PF @ 75 V	-	2.3W（TA），62W（TC）
2N5089_J18Z	-	RFQ	7417	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		2N5089			625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000																										25 v	100 ma						50NA（iCBO）				NPN	500mv @ 1mA，10mA	400 @ 100µA，5V	50MHz
MJE703	-	RFQ	5478	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		MJE703			40 W		TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500																										80 V	4 a						100µA				pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
FSBB20CH60D	27.6300	RFQ	4176	Onmi	motionspm®3	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FSBB20						下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	60	3相逆变器				20 a	600 v	2500vrms
2SC2909T-AA	-	RFQ	7458	Onmi	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1
FQA65N20	-	RFQ	3576	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FQA65		MOSFET （金属 o化物）			to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			n通道					200 v	65A（TC）	10V	32MOHM @ 32.5a，10V	5V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±30V	7900 PF @ 25 V	-	310W（TC）
BC237ABU	-	RFQ	3844	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		BC237			500兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1,000																										45 v	100 ma						15NA				NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	250MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²