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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FFPF04U40STU	-	RFQ	8914	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包	FFPF04	标准		TO-220F-2L	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.4 V @ 4 A	45 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	4a	-
MJD5731T4	-	RFQ	1714年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD57		1.56 w	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500																						350 v	1 a	100µA			PNP	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
2SA2126-E	-	RFQ	5471	Onmi	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SA2126		800兆	TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	500																						50 V	3 a	1µA（ICBO）			PNP	520mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	390MHz
NSBA143ZDXV6T1	-	RFQ	5315	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA143		500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	4,000																						50V	100mA	500NA			2 PNP-）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	47kohms
MCH6413-TL-E	0.0800	RFQ	30	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	3,000
NJVNJD1718T4G	0.3278	RFQ	5689	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVNJD1718		1.68 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,500																						50 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	80MHz
MPS751ZL1G	-	RFQ	7359	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS751		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000																						60 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 200mA，2a	75 @ 1A，2V	75MHz
FFSD0865B-F085	3.1300	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FFSD0865	SIC （碳化硅）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.7 V @ 8 A	0 ns	40 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	11.6a	336pf @ 1V，100kHz
FFH50US60S	-	RFQ	8744	Onmi	Stealth™	管子	过时的			通过洞	TO-247-2	FFH50US60	标准		TO-247-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	450	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.54 V @ 50 A	124 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	50a	-
1N4731A	-	RFQ	7332	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4731		1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																		10 µA @ 1 V							4.3 v	9欧姆
NSS20101JT1G	0.4100	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	NSS20101		300兆	SC-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																						20 v	1 a	100NA（ICBO）			NPN	220mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，2V	350MHz
NTB18N06L	-	RFQ	8338	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB18	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	15A（TC）	5V	100mohm @ 7.5a，5V	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±10V	440 pf @ 25 V	-	48.4W（TC）
MBR4015LWT	-	RFQ	4119	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-247-3	MBR4015	肖特基		TO-247-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	15 v	20a	420 mv @ 20 a		5 ma @ 15 V	-55°C〜150°C
1N5822	-	RFQ	1474	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-201 AD，轴向	1N5822	肖特基		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		525 mv @ 3 a		500 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	3a	190pf @ 4V，1MHz
1N914B_T50R	-	RFQ	6498	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N914B	标准		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	30,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													100 v		1 V @ 100 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-55°C 〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
mbrp3010ntu	1.6100	RFQ	42	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	MBRP3010	肖特基		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	100 v	30a	1.05 V @ 30 A		1 mA @ 100 V	-65°C〜150°C
RS1DFA	0.4400	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123W	RS1D	标准		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		1.3 V @ 800 mA	150 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	800mA	10pf @ 4V，1MHz
NTD70N03RT4G	-	RFQ	7676	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD70	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	10A（10A），32A（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	13.2 NC @ 5 V	±20V	1333 PF @ 20 V	-	1.36W（TA），62.5W （TC）
MUR105RL	-	RFQ	6733	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	MUR10	标准		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													50 V		875 mv @ 1 a	35 ns	2 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	-
FQPF19N20	-	RFQ	3815	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF19	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	11.8A（TC）	10V	150MOHM @ 5.9A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	50W（TC）
MPSA27_D75Z	-	RFQ	3104	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA27		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																						60 V	800 MA	500NA			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
NRVBB4030T4G	-	RFQ	7430	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NRVBB4030	肖特基		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		550 mv @ 40 a		350 µA @ 30 V	-65°C〜175°C	40a	-
FDP20N50	-	RFQ	6739	Onmi	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	20A（TC）	10V	230mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	59.5 NC @ 10 V	±30V	3120 PF @ 25 V	-	250W（TC）
MCH3209-TL-E	-	RFQ	6112	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	MCH3209		800兆	3-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																						30 V	3 a	100NA（ICBO）			NPN	155MV @ 75mA，1.5a	200 @ 500mA，2V	450MHz
NTD32N06L	-	RFQ	7635	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD32	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	32a（ta）	5V	28mohm @ 16a，5v	2V @ 250µA	50 NC @ 5 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	1.5W（TA），93.75W（tj）
1N5336BRL	-	RFQ	7634	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5336		5 w	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000																1.2 V @ 1 A		10 µA @ 1 V							4.3 v	2欧姆
MBR40L60CTG	1.9900	RFQ	42	Onmi	SwitchMode™	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	MBR40L60	肖特基		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	60 V	20a	610 MV @ 20 A		550 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
MMBZ5254ELT1	-	RFQ	4069	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		100 na @ 21 V							27 V	41欧姆
BC183LC_J35Z	-	RFQ	8966	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC183		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																						30 V	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	40 @ 10µA，5V	150MHz
SMMBTA13LT1	0.0200	RFQ	15	Onmi	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.21.0075	15,000																						30 V	300 MA	100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²