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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NTA4001NT1G	0.3800	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	NTA4001	MOSFET （金属 o化物）		SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		20 v	238ma（tj）	2.5V，4.5V	3ohm @ 10mA，4.5V	1.5V @ 100µA		±10V	20 pf @ 5 v	-	300MW（TJ）
2SK4066-E	-	RFQ	3186	Onmi	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	2SK4066	MOSFET （金属 o化物）		SMP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			n通道		60 V	100A（TA）	4V，10V	4.7MOHM @ 50a，10v	-	220 NC @ 10 V	±20V	12500 PF @ 20 V	-	1.65W（ta），90W（tc）
MMDF2C03HDR2	-	RFQ	9179	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MMDF2	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道				30V	4.1a，3a		70MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	16NC @ 10V		630pf @ 24V	逻辑级别门
2SB1450S-DL-E	-	RFQ	1335	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			1.65 w	SMP-FD	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SB1450S-DL-E-488			1																												50 V	7 a	100µA（ICBO）			PNP	400mv @ 400mA，4a	140 @ 1A，2V	10MHz
FQA9N90C	-	RFQ	8927	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA9	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450			n通道		900 v	9A（TC）	10V	1.4OHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	2730 PF @ 25 V	-	280W（TC）
FDME430NT	-	RFQ	1792年	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn	FDME43	MOSFET （金属 o化物）		Microfet 1.6x1.6薄	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		30 V	6a（6a）	1.8V，4.5V	40mohm @ 6a，4.5V	1.5V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V	760 pf @ 15 V	-	2.1W（TA）
NTD4857NT4G	-	RFQ	1948年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD48	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		25 v	12a（12a），78a tc（78a tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	1960 pf @ 12 V	-	1.31W（TA），56.6W（tc）
NZT660A	0.6400	RFQ	24	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NZT660		2 w	SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																												60 V	3 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 300mA，3a	250 @ 500mA，2V	75MHz
TN6714A_D26Z	-	RFQ	2899	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	TN6714		1 w	TO-226	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																												30 V	2 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	50 @ 1a，1V	-
FQD5N20TF	-	RFQ	1421	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道		200 v	3.8A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	270 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），37W（TC）
2N4402_S00Z	-	RFQ	6301	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N4402		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																												40 V	600 MA	-			PNP	750mv @ 50mA，500mA	50 @ 150mA，2V	-
EFC2K102NUZTDG	-	RFQ	9325	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	10-SMD，没有铅	EFC2K102	MOSFET （金属 o化物）	3.1W（TA）	10-WLCSP （2.98x1.49）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水				12V	33A（TA）		2.65MOHM @ 5A，4.5V	1.3V @ 1mA	42nc @ 3.8V		-	逻辑水平门，2.5V
HUFA76639S3ST	-	RFQ	4814	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		100 v	51A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 51a，10v	3V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±16V	2400 PF @ 25 V	-	180W（TC）
MMSZ5226BT3G	-	RFQ	2467	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ522		500兆	SOD-123	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																						900 mv @ 10 ma		25 µA @ 1 V							3.3 v	28欧姆
2SK4098L	0.4400	RFQ	23	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
NTD4970NT4G	-	RFQ	5405	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD49	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	8.5a（ta），36a（tc）	4.5V，10V	11mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	8.2 NC @ 4.5 V	±20V	774 PF @ 15 V	-	1.38W（TA），24.6W（tc）
2SD1347S	0.4100	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
MM3Z9V1ST1	-	RFQ	9646	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	MM3Z9		200兆	SOD-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MM3Z9V1ST1OS	Ear99	8541.10.0050	3,000																						900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V							9.1 v	15欧姆
2N7002W	0.4500	RFQ	81	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		60 V	310mA ta）	4.5V，10V	1.6OHM @ 50mA，5V	2V @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±20V	24.5 pf @ 20 V	-	280MW（TJ）
BTB12-600CW3G	-	RFQ	4529	Onmi	-	大部分	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				TO-220AB	下载					Ear99	8541.30.0080	1	单身的			45 MA											标准	600 v	12 a	1.1 v	120a @ 60Hz	35 MA
MMBZ5232ELT1	-	RFQ	3026	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MMBZ5232ELT1OS	Ear99	8541.10.0050	3,000																						900 mv @ 10 ma		5 µA @ 3 V							5.6 v	11欧姆
FJN13003BU	-	RFQ	3869	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	FJN130		1.1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000																												400 v	1.5 a	-			NPN	3V @ 500mA，1.5a	9 @ 500mA，2V	4MHz
NTMFS4C027NT1G	1.2000	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		30 V	16.4a（ta），52a （TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 18a，10v	2.1V @ 250µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1670 pf @ 15 V	-	2.51W（TA），25.5W（tc）
BC558B_J18Z	-	RFQ	6509	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC558		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												30 V	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	150MHz
nrvus1kfa	0.4700	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	NRVUS1	标准		SOD-123FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			800 v	1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
BC337-25ZL1	-	RFQ	3623	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC337		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												45 v	800 MA	100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	210MHz
BSS84-H	-	RFQ	9934	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS84	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-BSS84-HTR	Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		50 V	130mA（ta）	5V	10ohm @ 100mA，5V	2V @ 1mA	1.3 NC @ 5 V	±20V	73 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
MCH3406-TL-E	0.1100	RFQ	59	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,664
NSVMUN5211DW1T3G	0.4100	RFQ	7360	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NSVMUN5211		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																												50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	10KOHMS
2N4401_J05Z	-	RFQ	7663	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N4401		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,500																												40 V	600 MA	-			NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²