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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
FDW9926NZ	-	RFQ	3481	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW99	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				20V	4.5a		32MOHM @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	8NC @ 4.5V		600pf @ 10V	逻辑级别门
MTB29N15ET4	1.7800	RFQ	47	Onmi	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	169
SJD127T4G	0.3469	RFQ	7393	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	-	-	SJD127			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																										-			-	-	-	-
MM3Z15VC	0.2500	RFQ	152	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	MM3Z15		200兆	SOD-323F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		1 V @ 10 mA		45 NA @ 10.5 V							15 v	28欧姆
2SA1522	0.1000	RFQ	7	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1
mpsh17rlrag	-	RFQ	2397	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSH17		350MW	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000				24dB																				15V	-				NPN		25 @ 5mA，10v	800MHz			6DB @ 200MHz
DFC15TC	0.0200	RFQ	9815	Onmi	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	2,500
1N5231B_NT50A	-	RFQ	3942	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5231		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																		1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V							5.1 v	17欧姆
MMBZ5235ELT1	-	RFQ	6045	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		3 µA @ 5 V							6.8 v	5欧姆
PN3640_D26Z	-	RFQ	8300	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN364		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																								12 v	200 ma	10NA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	30 @ 10mA，300mv	500MHz
下午1点	-	RFQ	5698	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3.2 w	Powermite	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.25 V @ 200 ma		5 µA @ 8 V							10 v	4.5欧姆
2SB1295-5-TB-E	0.0700	RFQ	240	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
NVMTS4D3N15MC	6.4600	RFQ	3019	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		150 v	21a（21a），165a（tc）	10V	4.45MOHM @ 95A，10V	4.5V @ 521µA	79 NC @ 10 V	±20V	6514 PF @ 75 V	-	5W（5W），292W（292W）TC）
SZBZX84B15LT1G	0.2500	RFQ	7	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZBZX84		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		50 NA @ 10.5 V							15 v	30欧姆
SBS822-S-TL-H	-	RFQ	1395年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-SMD（5条线），平坦的铅	SBS822	肖特基		5-MCPH	-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-SBS822-S-TL-H	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													2独立	20 v	1a	460 mv @ 1 a	10 ns	110 µA @ 10 V	-55°C〜125°C
FJV3103RMTF	-	RFQ	6158	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV310		200兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
MMBT4403LT3	-	RFQ	9499	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT4403		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																								40 V	600 MA	-			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
NZD5V6MUT5G	-	RFQ	8860	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	0201（0603公制）	NZD5V6		300兆	2-x3dfn（0.6x0.3）（0201）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																		1.1 V @ 10 mA		1 µA @ 2.5 V							5.6 v	60欧姆
mpsa06rlg	-	RFQ	8759	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA06		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																								80 V	500 MA	100NA			NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
FQI11P06TU	-	RFQ	7018	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI1	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道		60 V	11.4A（TC）	10V	175MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	550 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），53W（tc）
CPH3107-TL-E	-	RFQ	8862	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CPH3107		900兆	3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								15 v	6 a	100NA（ICBO）			PNP	150mv @ 60mA，3a	200 @ 500mA，2V	140MHz
DTA114TXV3T1G	-	RFQ	5850	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490	DTA114		200兆	SC-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																								50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v		10 kohms
NTB35N15T4	-	RFQ	1215	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB35	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTB35N15T4OS	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		150 v	37a（ta）	10V	50mohm @ 18.5a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	2W（ta），178W （TJ）
MMSZ5252BT1	-	RFQ	7507	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ525		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 18 V							24 V	33欧姆
1N483B_T50R	-	RFQ	9649	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N483	标准		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														80 V		1 V @ 100 ma		25 na @ 60 V	175°c （最大）	200mA	-
MUN5212T1	0.0500	RFQ	110	Onmi	-	大部分	过时的					MUN52				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BZX55C6V8_T50R	-	RFQ	8322	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX55C6		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																		1.3 V @ 100 mA		100 na @ 3 V							6.8 v	8欧姆
FLZ5V6C	-	RFQ	5515	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	flz5		500兆	SOD-80	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																		1.2 V @ 200 ma		750 na @ 2.5 V							5.8 v	10.5欧姆
1N5925BRLG	0.3900	RFQ	43	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5925		3 W	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	6,000																		1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 8 V							10 v	4.5欧姆
FQD3N30TM	-	RFQ	4300	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		300 v	2.4A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.2A，10V	5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²