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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
HUF75309D3ST	-	RFQ	9421	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUF75	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	55 v	19a（tc）	10V	70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
NDD60N550U1-1G	-	RFQ	1968年	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NDD60	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	8.2A（TC）	10V	550MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±25V	540 pf @ 50 V	-	94W（TC）
NZ8F16VSMX2WT5G	0.0754	RFQ	7360	Onmi	NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.31％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN			250兆	2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NZ8F16VSMX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																900 mv @ 10 ma		100 na @ 12 V							16 V	50欧姆
NSR20305NXT5G	-	RFQ	9310	Onmi	-	大部分	过时的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-NSR20305NXT5G	Ear99	8541.10.0080	1
FDS7764S	-	RFQ	2945	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS77	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	13.5A（TA）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 13.5A，10V	2V @ 1mA	35 NC @ 5 V	±16V	2800 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
1SMB5919BT3G	0.4900	RFQ	2065	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5919		3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1SMB5919BT3GOSTR	Ear99	8541.10.0050	2,500																1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V							5.6 v	2欧姆
UF4007	0.4500	RFQ	54	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	UF400	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1000 v		1.7 V @ 1 A	75 ns	10 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	1a	17pf @ 4V，1MHz
TN6705A	-	RFQ	6264	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN6705		1 w	TO-226-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500																						45 v	1.5 a	100NA（ICBO）			NPN	1V @ 100mA，1a	40 @ 250mA，2V	-
2SC3039M-RA	0.5700	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
FDMS8672S	-	RFQ	7812	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	17a（17a），35A（tc）	4.5V，10V	5mohm @ 17a，10v	3V @ 1mA	47 NC @ 10 V	±20V	2515 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
CPH5541-TL-E	0.4300	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	CPH5541		600MW	5-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						40V，30V	700mA	100NA（ICBO）			NPN，PNP （发射器耦合）	190MV @ 10mA，200mA	300 @ 50mA，2V	540MHz
BAS16M3T5G	0.3000	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	BAS16	标准		SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													100 v		1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
FQT1N80TF-WS	0.9700	RFQ	4846	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3	FQT1N80	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	800 v	200ma（tc）	10V	20ohm @ 100mA，10v	5V @ 250µA	7.2 NC @ 10 V	±30V	195 pf @ 25 V	-	2.1W（TC）
BFL4037-S	0.5900	RFQ	11	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
NVMTS0D6N04CLTXG	8.4200	RFQ	1428	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	-	-	NVMTS0	MOSFET （金属 o化物）		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	78.9a（ta），554.5a（TC）	4.5V，10V	0.42MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	265 NC @ 10 V	±20V	16013 PF @ 20 V	-	5W（5W），245W（TC）
SPZT2222AT1G	0.7500	RFQ	9	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SPZT2222		1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																						40 V	600 MA	10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
MPSA64_D75Z	-	RFQ	7628	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA64		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																						30 V	1.2 a	100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
CPH6001-TL-E	-	RFQ	1933年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					CPH6001				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-CPH6001-TL-ETR			1
MJE210	-	RFQ	7701	Onmi	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE210		15 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJE210OS	Ear99	8541.29.0075	500																						40 V	5 a	100NA（ICBO）			PNP	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
NZ3F12VT1G	-	RFQ	1057	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5.42％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F	NZ3F12		800兆	SOD-323FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																1.3 V @ 10 mA		100 na @ 8 V							12 v	60欧姆
MMBD1505A	0.4400	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBD1505	标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对公共阳极	200 v	200mA	1.1 V @ 200 ma		10 na @ 180 V	150°C （最大）
KSA1175RTA	-	RFQ	1521年	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSA1175		250兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						50 V	150 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	40 @ 1mA，6v	180MHz
TIP147T	-	RFQ	4616	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP147		80 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200																						100 v	10 a	2mA			pnp-达灵顿	3V @ 40mA，10a	1000 @ 5A，4V	-
MMBT6428LT1	-	RFQ	6238	Onmi	*	（CT）	过时的					MMBT6428				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
2SD2201R-DL-E	0.8200	RFQ	10	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
NTLJS1102PTAG	-	RFQ	1800	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJS11	MOSFET （金属 o化物）		6-WDFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	3.7a（ta）	1.2V，4.5V	36mohm @ 6.2a，4.5V	720mv @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±6V	1585 pf @ 4 V	-	700MW（TA）
1N5348B	-	RFQ	7260	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5348		5 w	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N5348BOS	Ear99	8541.10.0050	1,000																1.2 V @ 1 A		5 µA @ 8.4 V							11 V	2.5欧姆
FQP19N10L	-	RFQ	4641	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	19a（tc）	5V，10V	100mohm @ 9.5a，10v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	870 pf @ 25 V	-	75W（TC）
MURS360T3G	0.6200	RFQ	8852	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	MURS360	标准		SMC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.25 V @ 3 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	-
S1MFL	0.4300	RFQ	37	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	S1M	标准		SOD-123F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1000 v		1.1 V @ 1 A	2 µs	1 µA @ 1000 V	-55°C 〜175°C	1a	4pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²