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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NVD6824NLT4G-VF01	1.6700	RFQ	3218	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD6824	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		100 v	8.5a（ta），41a（tc）	4.5V，10V	20mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	3468 PF @ 25 V	-	3.9W（ta），90W（90W）TC）
MMBT2369	-	RFQ	6128	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2369		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																													15 v	200 MA	30µA（ICBO）			NPN	250mv @ 1mA，10mA	40 @ 10mA，1V	-
MBR10H100CTH	-	RFQ	7261	Onmi	SwitchMode™	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3	MBR10	肖特基		TO-220	-	rohs3符合条件	供应商不确定	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			1对普通阴极	100 v	5a	730 MV @ 5 A	3.5 µA @ 100 V	175°c （最大）
MMSZ4701ET1	-	RFQ	5821	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ47		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																								900 mv @ 10 ma	50 NA @ 10.6 V							14 V
VEC2415-TL-WZ	-	RFQ	1134	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	VEC2415	MOSFET （金属 o化物）		SOT-28FL/VEC8	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）				60V	3A（3A）		80MOHM @ 1.5A，10V	2.6V @ 1mA	10NC @ 10V		505pf @ 20V	-
NVTFS052P04M8LTAG	0.9100	RFQ	6335	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS052	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			P通道		40 V	4.7a（ta），13.2a（TC）	4.5V，10V	69mohm @ 5A，10V	2.4V @ 95µA	6.3 NC @ 10 V	±20V	424 pf @ 20 V	-	2.9W（23w），23W（tc）
mac8d	0.2700	RFQ	4	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	MAC8			TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的			40 MA											标准	400 v	8 a	1.5 v	80a @ 60hz	35 MA
HUF75333S3	-	RFQ	7350	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	HUF75	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道		55 v	66A（TC）	10V	16mohm @ 66a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SS14T3G	-	RFQ	6221	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-214ac，SMA	SS14	肖特基		SMA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				40 V		470 mv @ 1 a	100 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	1a	-
FQPF17N08	-	RFQ	9965	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		80 V	11.2A（TC）	10V	115MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 25 V	-	30W（TC）
PN3567_D26Z	-	RFQ	7844	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN356		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																													40 V	600 MA	50NA（iCBO）			NPN	250mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，1V	-
KSP75TA	-	RFQ	7716	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSP75		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																													40 V	500 MA	500NA			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	-
FPN630	-	RFQ	4067	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FPN6		1 w	TO-226	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,500																													30 V	3 a	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 100mA，1a	100 @ 100mA，2V	100MHz
RFD14N05LSM9A	0.8200	RFQ	6175	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RFD14N05	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		50 V	14A（TC）	5V	100mohm @ 14a，5v	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	670 pf @ 25 V	-	48W（TC）
NZ9F3V6T5G	-	RFQ	6370	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-923	NZ9F		250兆	SOD-923	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																								900 mv @ 10 ma	10 µA @ 1 V							3.6 v	100欧姆
NVMFS5C450NT1G	-	RFQ	2285	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		40 V	102A（TC）	10V	3.3mohm @ 50a，10v	3.5V @ 65µA	23 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），68W（tc）
FQPF5N50CT	-	RFQ	1095	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
MCH6331-TL-E	-	RFQ	4693	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH63	MOSFET （金属 o化物）		6-MCPH	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		30 V	3.5A（ta）	4V，10V	98mohm @ 1.5A，10V	-	5 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
SBCP56T1G	0.4200	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SBCP56		1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																													80 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	130MHz
MMSF3P02HDR2SG	-	RFQ	4481	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MMSF3P	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		20 v	5.6a（ta）	4.5V，10V	75MOHM @ 3A，10V	2V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 16 V	-	2.5W（TA）
FQB5P10TM	-	RFQ	1876年	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	FQB5	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			P通道		100 v	4.5A（TC）	10V	1.05OHM @ 2.25A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），40W（TC）
MBRS1100T3	-	RFQ	4935	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	DO-214AA，SMB	MBRS1100	肖特基		SMB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				100 v		750 MV @ 1 A	500 µA @ 100 V		2a	-
KSC2883OTF	-	RFQ	6231	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	KSC2883		1 w	SOT-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																													30 V	1.5 a	100NA（ICBO）			NPN	2V @ 30mA，1.5a	100 @ 500mA，2V	120MHz
HUFA75321D3	-	RFQ	6626	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	HUFA75	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		55 v	20A（TC）	10V	36mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	93W（TC）
KSD1408OTU	-	RFQ	9690	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSD1408		25 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																													80 V	4 a	30µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 300mA，3a	70 @ 500mA，5V	8MHz
NDB4060L	-	RFQ	7452	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	NDB406	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		60 V	15A（TC）	5V，10V	80Mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±16V	600 pf @ 25 V	-	50W（TC）
NTPF600N80S3Z	1.5310	RFQ	1440	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTPF600N80S3Z	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		800 v	8a（TJ）	10V	600MOHM @ 4A，10V	3.8V @ 180µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	725 PF @ 400 V	-	28W（TC）
FQD9N25TM-F085	0.5160	RFQ	2891	Onmi	汽车，AEC-Q101，QFET®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD9N25	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		250 v	7.4A（TC）	10V	420MOHM @ 3.7A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
BC547BU	-	RFQ	2847	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC547		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																													45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
NDT01N60T1G	-	RFQ	1158	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDT01	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223（TO-261）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		600 v	400mA（TC）	10V	8.5ohm @ 200mA，10v	3.7V @ 50µA	7.2 NC @ 10 V	±30V	160 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²