RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	（ID） - 最大
MBR1060G	1.2100	RFQ	9113	Onmi	SwitchMode™	管子	积极的			通过洞	TO-220-2		MBR106		肖特基		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	60 V		800 mv @ 10 a		100 µA @ 60 V	-65°C〜175°C	10a	-
NTP4302G	-	RFQ	5178	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		NTP430		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					30 V	74A（TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 37A，10V	3V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	2400 pf @ 24 V	-	80W（TC）
NVMFS4C01NT1G	4.9900	RFQ	9844	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					30 V	49A（ta），319A（tc）	4.5V，10V	0.9MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	139 NC @ 10 V	±20V	10144 PF @ 15 V	-	3.84W（TA），161W（tc）
NFAM3065L4B	30.0700	RFQ	1548年	Onmi	-	管子	积极的			-	39-PowerDip 模块（1.413英寸，35.90mm），29条线索	IGBT	NFAM3065					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	3相逆变器				30 a	650 v	2500vrms
SAC396-7G	0.4400	RFQ	5	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.30.0080	1
NTD5865NT4G	-	RFQ	8423	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NTD58		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					60 V	43A（TC）	10V	18mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1261 PF @ 25 V	-	71W（TC）
FDMS8050	4.7200	RFQ	7730	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS80		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					30 V	55A（TC）	4.5V，10V	0.65MOHM @ 55A，10V	3V @ 750µA	285 NC @ 10 V	±20V	22610 PF @ 15 V	-	156W（TC）
2N5680	-	RFQ	9461	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	到205AD，TO-39-3		2N568			1 w	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																												120 v	1 a								10µA			PNP	1V @ 50mA，500mA	40 @ 250mA，2V	-
MM3Z12VT1	-	RFQ	7484	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323		MM3Z1			200兆	SOD-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																					900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V															12 v	25欧姆
MJD31CTF_NBDD001	-	RFQ	1183	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MJD31			1.56 w	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																												100 v	3 a								50µA			NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
BC32825TA	-	RFQ	4185	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC328			625兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												25 v	800 MA								100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
2N5551_J61Z	-	RFQ	8480	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		2N5551			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,500																												160 v	600 MA								50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	100MHz
BC33825TA	0.3200	RFQ	3	Onmi	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC338			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												25 v	800 MA								100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
szmmsz5253et1g	0.4400	RFQ	46	Onmi	汽车，AEC-Q101，SZMMSZ52XXXT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		SZMMSZ52			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																					900 mv @ 10 ma		100 na @ 19 V															25 v	35欧姆
2SK771-5-TB-E	-	RFQ	7003	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		2SK771			200兆	3-CP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					40 V							9pf @ 10V																					5 ma @ 10 V										20 ma
W02G	-	RFQ	2412	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，WOB		W02		标准		wob	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000																					1 V @ 1 A		5 µA @ 200 V		1.5 a									单相	200 v
KSD1589RTU	-	RFQ	5145	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		KSD1589			1.5 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																												100 v	5 a								1µA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	2000 @ 3A，2V	-
STK541UC62K-E	22.4900	RFQ	1399年	Onmi	-	管子	不适合新设计			通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT	STK541					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	8	3期				10 a	600 v	2000vrms
NRTS860PFST3G	0.9100	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn		NRTS860		肖特基		TO-277-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	60 V		640 mv @ 8 a		70 µA @ 60 V	-55°C 〜175°C	8a	870pf @ 1V，1MHz
2SJ665-DL-1EX	-	RFQ	7980	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TA）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		2SJ665		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道					100 v	27a（27A）	4V，10V	77mohm @ 14a，10v	-	74 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 20 V	-	65W（TC）
2SC3150L	0.4300	RFQ	11	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					50 W	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																												800 v	3 a								10µA（ICBO）			NPN	2V @ 300mA，1.5a	10 @ 200ma，5v	15MHz
mmun2232lt1g	0.1300	RFQ	5294	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMUN2232			246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																												50 V	100 ma								500NA			npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	15 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	4.7科姆斯
FJAF6916TU	-	RFQ	4601	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		FJAF6916			60 W	to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																												800 v	16 a								1ma			NPN	3V @ 2.5a，10a	6 @ 8.5a，5V	-
TIG062E8-TL-H	-	RFQ	2422	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		TIG062	标准			8-ech	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000				-																							-	400 v		150 a	8V @ 3V，100A	-	-
MTP20N06V	0.1800	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的											下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2SA1370D-AE	0.1800	RFQ	58	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
BAV74LT1G	0.1200	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAV74		标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																1对普通阴极	50 V	200ma（dc）	1 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C〜150°C
12A01C-TB-E	-	RFQ	8793	Onmi	*	大部分	过时的											-				2156-12A01C-TB-E-488			1
1N5374B	-	RFQ	3517	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向		1N5374			5 w	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 56 V															75 v	45欧姆
FDN336P	0.4500	RFQ	25	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FDN336		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					20 v	1.3a（ta）	2.5V，4.5V	200mohm @ 1.3A，4.5V	1.5V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±8V	330 pf @ 10 V	-	500MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²