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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SURS8340T3G	0.9100	RFQ	71	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	SURS8340		标准		SMC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						400 v		1.25 V @ 3 A	75 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
2N4123RLM	-	RFQ	8604	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N4123			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																30 V	200 ma						50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	50 @ 2mA，1V	250MHz
NTD40N03R-1G	-	RFQ	8070	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD40		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道			25 v	7.8A（ta），32A（tc）	4.5V，10V	16.5MOHM @ 10A，10V	2V @ 250µA	5.78 NC @ 4.5 V	±20V	584 pf @ 20 V	-	1.5W（ta），50W（TC）
NSVMMUN2132LT1G-M01	0.0300	RFQ	105	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVMMUN2132			246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-NSVMMUN2132LT1G-M01	Ear99	8541.21.0095	1																																50 V	100 ma						500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	15 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	4.7科姆斯
1N6018B_T50R	-	RFQ	2331	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6018			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																									1.2 V @ 200 ma		100 na @ 43 V													56 v	200欧姆
NSV12200LT1G	0.1825	RFQ	7605	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSV12200			540兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																12 v	2 a						100NA（ICBO）			PNP	180mv @ 200ma，2a	250 @ 500mA，2V	100MHz
FDT3612	0.7300	RFQ	10	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FDT36		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			100 v	3.7a（ta）	6V，10V	120MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	632 PF @ 50 V	-	（3W）（TA）
2N6509	1.0000	RFQ	1862年	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3	2N6509				TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	500			40 MA												800 v	25 a	1.5 v	250a @ 60Hz	30 ma	16 a	标准恢复
SB07-03C-TB-E	0.3700	RFQ	6	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SB07		肖特基		3-CP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						30 V		550 MV @ 700 mA	10 ns	80 µA @ 15 V	-55°C〜125°C	700mA	25pf @ 10V，1MHz
SCH1434-TL-H	-	RFQ	4346	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	Sch143		MOSFET （金属 o化物）		6-SCH	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000		n通道			30 V	2A（TA）	1.8V，4.5V	165mohm @ 1A，4.5V	-	1.7 NC @ 4.5 V	±12V	130 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
BC557BTF	0.3500	RFQ	44	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC557			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																45 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
ES3B	0.6300	RFQ	4080	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	ES3		标准		SMC（do-214ab）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						100 v		950 mv @ 3 a	20 ns	10 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	3a	45pf @ 4V，1MHz
BZX55C56_T50A	-	RFQ	7694	Onmi	-	（TB）	过时的	±7％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX55C56			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																									1.3 V @ 100 mA		100 na @ 42 V													56 v	135欧姆
MPSA12_D26Z	-	RFQ	4779	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA12			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																																20 v	1.2 a						100NA			npn-达灵顿	1V @ 10µA，10mA	20000 @ 10mA，5V	-
MJE18008	-	RFQ	6492	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE18			125 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJE18008OS	Ear99	8541.29.0095	50																																450 v	8 a						100µA			NPN	700mv @ 900mA，4.5V	14 @ 1a，5v	13MHz
MUR3020WT	-	RFQ	6166	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-247-3	MUR30		标准		TO-247-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	200 v	15a	1.05 V @ 15 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
MJE3439G	-	RFQ	8823	Onmi	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE3439			15 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																																350 v	300 MA						20µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	15 @ 20mA，10v	15MHz
FDD6770A	-	RFQ	3065	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD677		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			25 v	（24A）（TA），50A （TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 24A，10V	3V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	2405 pf @ 13 V	-	3.7W（3），65W（TC）
1SMB5945BT3G	0.3800	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5945			3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																									1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 51.7 V													68 v	120欧姆
NGTB30N60SWG	-	RFQ	1949年	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB30	标准		189 w	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，10ohm，15V																						200 ns					沟渠场停止	600 v	60 a	120 a	2.2V @ 15V，30a	750µJ（在）上，540µJ（OFF）	90 nc	57NS/109NS
KSB834YTU	-	RFQ	1751年	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSB834			1.5 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																60 V	3 a						100µA（ICBO）			PNP	1V @ 300mA，3a	100 @ 500mA，5V	9MHz
MM3Z6V2ST1	-	RFQ	6670	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	MM3Z6			200兆	SOD-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MM3Z6V2ST1OS	Ear99	8541.10.0050	3,000																									900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V													6.2 v	10欧姆
MPSA64_D75Z	-	RFQ	7628	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA64			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																30 V	1.2 a						100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
HUFA75329D3ST	-	RFQ	1967年	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA75		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			55 v	20A（TC）	10V	26mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	128W（TC）
NRVBB2060CTT4G	-	RFQ	6334	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NRVBB2060		肖特基		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	60 V	20a	950 mv @ 20 a		150 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
BZX55C12_T26A	-	RFQ	9159	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX55C12			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																									1.3 V @ 100 mA		100 na @ 9 V													12 v	20欧姆
BZX79C39	-	RFQ	8667	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79C39			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																									1.5 V @ 100 ma		50 na @ 27.3 V													39 v	130欧姆
MMBT222222T3G	0.1700	RFQ	15	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	MMBT2222			150兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																40 V	600 MA						10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
BC848BLT3	0.0200	RFQ	310	Onmi	-	大部分	过时的					BC848					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000
MMBT22222LT3G	-	RFQ	8276	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2222			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																30 V	600 MA						10NA（ICBO）			NPN	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	250MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²