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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FF1N30HS60DD	-	RFQ	9762	Onmi	Stealth™	管子	过时的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	FF1N3	标准		SOT-227	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	60		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												2独立	600 v	30a	2.4 V @ 30 A	45 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
RGF1K	0.4300	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	RGF1	标准		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													800 v		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	8.5pf @ 4V，1MHz
SNSR05F40NXT5G	0.1084	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					SNSR05				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SNSR05F40NXT5GTR			5,000
EGP20A	0.6600	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	EGP20	标准		do-15	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	4,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													50 V		950 mv @ 2 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	2a	70pf @ 4V，1MHz
FSV20150V	1.4500	RFQ	19	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	TO-277，3-PowerDfn	FSV20150	肖特基		TO-277-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													150 v		840 mv @ 20 a		30 µA @ 150 V	-55°C〜150°C	20a	-
MJD200T5G	-	RFQ	8804	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD20		1.4 w	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	8,000																							25 v	5 a	100NA（ICBO）			NPN	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
BAT43XV2	0.2800	RFQ	38	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523F	BAT43	肖特基		SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													30 V		1 V @ 200 MA	5 ns	500 na @ 25 V	125°c （最大）	200mA	7pf @ 1V，1MHz
BAT54CXV3T1G	0.4900	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-89，SOT-490	BAT54	肖特基		SC-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜125°C
FFSP1665A	6.0600	RFQ	800	Onmi	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	FFSP1665	SIC （碳化硅）		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.75 V @ 16 A	0 ns	200 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	16a	887pf @ 1V，100kHz
RGF1D	0.4800	RFQ	13	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	RGF1	标准		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	8.5pf @ 4V，1MHz
FQA8N90C	-	RFQ	4918	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA8	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道	900 v	8A（TC）	10V	1.9OHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2080 pf @ 25 V	-	240W（TC）
1N978B_T50A	-	RFQ	6001	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N978		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																			5 µA @ 38.8 V							51 v	125欧姆
NTDV2955-1G	-	RFQ	7071	Onmi	-	管子	过时的		-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTDV29	-		我帕克	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			-		12a（12a）		-	-				-	-
NRVBD1035CTLT4G	-	RFQ	8458	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NRVBD1035	肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	35 v	5a	470 mv @ 5 a		2 ma @ 35 V	-55°C〜150°C
Fes6g	1.0900	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn	FES6	标准		TO-277-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													400 v		1.2 V @ 6 A	25 ns	2 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	6a	60pf @ 4V，1MHz
NVMFS5C404NWFT1G-M	-	RFQ	1346	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-NVMFS5C404NWFT1G-MTR	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	40 V	53A（ta），378a （TC）	10V	0.7MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），200W（200W）TC）
NVMYS2D9N04CLTWG	1.7700	RFQ	1705年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NVMYS2	MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	40 V	27a（27a），110a（tc）	4.5V，10V	2.8mohm @ 40a，10v	2V @ 60µA	35 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	3.7W（TA），68W（tc）
MBRA340T3	-	RFQ	6199	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-214ac，SMA	MBRA340	肖特基		SMA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		450 mv @ 3 a		300 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	3a	-
MAC212A6FP	0.2800	RFQ	7	Onmi	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.30.0080	1
MBRM110ET1	-	RFQ	4646	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-216aa	MBRM110	肖特基		Powermite	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													10 v		530 MV @ 1 A		1 µA @ 10 V	-55°C〜150°C	1a	-
FQB12N50TM_AM002	-	RFQ	4462	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道	500 v	12.1A（TC）	10V	490MOHM @ 6.05a，10V	5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±30V	2020 PF @ 25 V	-	3.13W（ta），179w（tc）
BAT54S_G	-	RFQ	7568	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54	肖特基		SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对系列连接	30 V	200mA	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜150°C
mbr340prl	0.0600	RFQ	11	Onmi	*	大部分	过时的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500
ECH8651R-TL-HX	-	RFQ	7858	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8651	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	8-ech	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			24V	10a		14mohm @ 5A，4.5V	-	24NC @ 10V		-	逻辑级别门
RD0506T-TL-H	-	RFQ	7846	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD050	标准		TP-FA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	700		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.6 V @ 5 A	50 ns	50 µA @ 600 V	150°C （最大）	5a	-
SZMM5Z13VT5G	0.4400	RFQ	4438	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.42％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	SZMM5		500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V							13.25 v	30欧姆
2SC2812-5-TB-E	0.0200	RFQ	387	Onmi	*	大部分	过时的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
NTP27N06L	-	RFQ	2259	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP27N	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	60 V	27a（27A）	5V	48mohm @ 13.5a，5v	2V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±15V	990 pf @ 25 V	-	88.2W（TC）
FDD3580	-	RFQ	3407	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD358	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	80 V	7.7a（ta）	6V，10V	29mohm @ 7.7A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	1760 pf @ 40 V	-	3.8W（ta），42W（tc）
SBRA140T3G	0.0400	RFQ	160	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	10,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²