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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
MTP50P03HDL	-	RFQ	9539	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MTP50		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MTP50P03HDLOS	Ear99	8541.29.0095	50		P通道				30 V	50A（TC）	5V	25mohm @ 25a，5v	2V @ 250µA	100 nc @ 5 V	±15V	4900 PF @ 25 V	-	125W（TC）
FDD6630A	0.7600	RFQ	5315	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD6630		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				30 V	21a（21a）	4.5V，10V	35mohm @ 7.6A，10V	3V @ 250µA	7 NC @ 5 V	±20V	462 PF @ 15 V	-	28W（TA）
NST3904DP6T5G	0.3900	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-963	NST3904			350MW	SOT-963	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																																40V	200mA						-			2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	200MHz
FDS6690A	0.8300	RFQ	131	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS6690		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				30 V	11a（11a）	4.5V，10V	12.5MOHM @ 11A，10V	3V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±20V	1205 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
BZG03C150G	0.4700	RFQ	24	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	BZG03C15			1.5 w	SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																									1.2 V @ 500 mA		1 µA @ 110 V													150 v	300欧姆
BC560CZL1G	-	RFQ	8511	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC560			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC560CZL1G-ONTB	Ear99	8541.21.0075	2,000																																45 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	250mv @ 5mA，100mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
2SC5226A-4-TL-E	0.5400	RFQ	8108	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC5226			150MW	SC-70 / MCP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					12DB																											10V	70mA									NPN		90 @ 20mA，5V	7GHz			1dB @ 1GHz
2N3905TA	-	RFQ	5413	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N3905			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																																40 V	200 MA						-			PNP	400mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，1V	-
MMSZ5252BT1G	0.2100	RFQ	165	Onmi	mmsz52xxxt1g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ525			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																									900 mv @ 10 ma		100 na @ 18 V													24 V	33欧姆
MJD42C1	-	RFQ	3086	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	MJD42			1.75 w	我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75																																100 v	6 a						50µA			PNP	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
FQPF3N40	-	RFQ	7402	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				400 v	1.6A（TC）	10V	3.4OHM @ 800mA，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	20W（TC）
MMBT6520LT3	-	RFQ	3803	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT6520			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																350 v	500 MA						50NA（iCBO）			PNP	1V @ 5mA，50mA	20 @ 50mA，10v	200MHz
TN5415A	-	RFQ	7479	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN5415			1 w	TO-226-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500																																200 v	100 ma						50µA			PNP	2.5V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
mmsz4v7et1	-	RFQ	2179	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	mmsz4v			500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																									900 mv @ 10 ma		3 µA @ 2 V													4.7 v	80欧姆
NSR0320XV6T1	-	RFQ	3455	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSR032		肖特基		SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	4,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							23 v	500 mv @ 900 mA		50 µA @ 15 V	125°c （最大）	1a	35pf @ 5V，1MHz
NVMTS0D6N04CLTXG	8.4200	RFQ	1428	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	-	-	NVMTS0		MOSFET （金属 o化物）		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				40 V	78.9a（ta），554.5a（TC）	4.5V，10V	0.42MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	265 NC @ 10 V	±20V	16013 PF @ 20 V	-	5W（5W），245W（TC）
FGA25N120ANTU	-	RFQ	4741	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA25N120	标准		310 w	to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450				600V，25a，10ohm，15V																											npt	1200 v	40 a	75 a	3.2V @ 15V，25a	4.8mj（在）上，1MJ（1MJ）	200 NC	60NS/170NS
NZT749	-	RFQ	1479年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NZT749			1.2 w	SOT-223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																																25 v	4 a						100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 100mA，1a	80 @ 1A，2V	75MHz
CPH5870-TL-E	0.2200	RFQ	179	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
smmun2111lt1g	0.3300	RFQ	29	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMMUN2111			246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																50 V	100 ma						500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
smun5212t1g	0.3400	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	Smun5212			202兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																50 V	100 ma						500NA			npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v		22 KOHMS	22 KOHMS
MMSZ4691ET1	-	RFQ	4766	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ46			500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																									900 mv @ 10 ma		10 µA @ 5 V													6.2 v
NSBC114EF3T5G	0.3700	RFQ	53	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-1123	NSBC114			254兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																																50 V	100 ma						500NA			npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
FFH60UP40S3	-	RFQ	6247	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-247-3	FFH60UP40		标准		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	450	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							400 v	1.3 V @ 60 A	85 ns	100 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	60a	-
FQB6N70TM	-	RFQ	7914	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB6		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				700 v	6.2A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.1a，10v	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），142W（tc）
BF199_J35Z	-	RFQ	6928	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF199			350MW	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000					-																											25V	50mA									NPN		38 @ 7mA，10v	1.1GHz			-
2SC3361-6-TB-E	-	RFQ	5366	Onmi	-	大部分	过时的		125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				150兆	3-CP	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SC3361-6-TB-E-488			1																																50 V	150 ma						100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 1mA，10mA	200 @ 1mA，6v	100MHz
BC557BTAR	-	RFQ	2483	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC557			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																45 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
1N975B_T50A	-	RFQ	4016	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N975			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																											5 µA @ 29.7 V													39 v	80欧姆
MCR218-4G	0.5900	RFQ	9	Onmi	-	大部分	积极的		-40°C〜125°C	通过洞	TO-220-3					TO-220AB	下载					Ear99	8541.30.0080	513			30 ma													200 v	8 a	1.5 v	100A @ 60Hz	25 ma	1.8 v	10 µA	标准恢复

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²