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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NTHL040N65S3HF	17.5100	RFQ	2103	Onmi	FRFET®，SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		NTHL040	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450			n通道				650 v	65A（TC）	10V	40mohm @ 32.5a，10v	5V @ 2.1mA	159 NC @ 10 V	±30V	5945 PF @ 400 V	-	446W（TC）
FDS6930A	-	RFQ	5386	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS6930	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）						30V	5.5a		40mohm @ 5.5a，10v	3V @ 250µA	7NC @ 5V		460pf @ 15V	逻辑级别门
1N5938B	-	RFQ	8221	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1N5938		3 W	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,000																				1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V							36 V	38欧姆
MBR2560CT	2.1800	RFQ	121	Onmi	-	管子	不适合新设计			通过洞	TO-220-3		MBR2560	肖特基		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	60 V	12.5a	750 MV @ 12.5 A		1 mA @ 60 V	-65°C〜150°C
HUF76439S3S	-	RFQ	1846年	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		HUF76	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道				60 V	75A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±16V	2745 PF @ 25 V	-	180W（TC）
FDS6812A	-	RFQ	1659年	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS68	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）						20V	6.7a		22mohm @ 6.7a，4.5V	1.5V @ 250µA	19nc @ 4.5V		1082pf @ 10V	逻辑级别门
NZ9F13VT5G	-	RFQ	3853	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-923		NZ9F13		250兆	SOD-923	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																				900 mv @ 10 ma		100 na @ 10 V							13 V	37欧姆
NTD65N03R-035	-	RFQ	7135	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		NTD65	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道				25 v	9.5A（TA），32a （TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±20V	1400 pf @ 20 V	-	1.3W（TA），50W（TC）
ksp64ta	-	RFQ	6889	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		KSP64		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																										30 V	500 MA	100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
BAV70_S00Z	-	RFQ	9441	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666		BAV70	标准		SOT-563	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度															1对普通阴极	70 v	200mA	1.25 V @ 150 mA	6 ns	5 µA @ 70 V	150°C （最大）
MBR830MFST3G	-	RFQ	5556	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MBR830	肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																30 V		700 mv @ 8 a		200 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	8a	-
1SMB5919BT3G	0.4900	RFQ	2065	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB		1SMB5919		3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1SMB5919BT3GOSTR	Ear99	8541.10.0050	2,500																				1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V							5.6 v	2欧姆
HUF753453	2.8900	RFQ	4034	Onmi	Ultrafet™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		HUF75345	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W（TC）
KSD882YSTU	0.8100	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		KSD882		1 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60																										30 V	3 a	1µA（ICBO）			NPN	500mv @ 200mA，2a	160 @ 1A，2V	90MHz
1N5383BRL	-	RFQ	6692	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向		1N5383		5 w	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000																				1.2 V @ 1 A		500 NA @ 114 V							150 v	330欧姆
FES10D	1.4200	RFQ	16	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn		FES10	标准		TO-277-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																200 v		950 MV @ 10 A	30 ns	5 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C	10a	140pf @ 4V，1MHz
BC184LC_D27Z	-	RFQ	1804年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC184		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																										30 V	200 MA	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	130 @ 100mA，5V	150MHz
FFSH4065BDN-F085	12.2700	RFQ	6682	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的			通过洞	TO-247-3		FFSH4065	SIC （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）																650 v		1.7 V @ 20 A	0 ns	40 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	20a	866pf @ 1V，100kHz
NVMFS5C410NLWFT1G	-	RFQ	3607	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道				40 V	48A（TA），315a （TC）	4.5V，10V	0.9MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±20V	8862 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），167W（TC）
MM5Z7V5ST1	-	RFQ	8448	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523		MM5Z7		200兆	SOD-523	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				900 mv @ 10 ma		1 µA @ 5 V							7.5 v	15欧姆
NTJD4105CT1G	0.4700	RFQ	4133	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		NTJD4105	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道						20V，8V	630mA，775mA		375MOHM @ 630mA，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 4.5V		46pf @ 20V	逻辑级别门
MJE200G	0.6500	RFQ	13	Onmi	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		MJE200		15 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																										40 V	5 a	100NA（ICBO）			NPN	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
MMJT9435T1G	-	RFQ	5786	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		mmjt94		3 W	SOT-223（TO-261）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																										30 V	3 a	-			PNP	550mv @ 300mA，3a	125 @ 800mA，1V	110MHz
MMSZ5251BT1	-	RFQ	7923	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		MMSZ525		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				900 mv @ 10 ma		100 na @ 17 V							22 v	29欧姆
1N6002B_T50R	-	RFQ	6535	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N6002		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																				1.2 V @ 200 ma		100 NA @ 9.1 V							12 v	22欧姆
BC558BRL1G	-	RFQ	5137	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		BC558		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																										30 V	100 ma	100NA			PNP	650mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	360MHz
NFVA35065L32	45.5400	RFQ	5943	Onmi	SPM®27	管子	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	NFVA35065				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	3相逆变器			50 a	650 v	2500vrms
SZMM5Z4694T5G	0.0574	RFQ	3051	Onmi	汽车，AEC-Q101，SZMM5Z4XXXTXG	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523				500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZMM5Z4694T5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																				900 mv @ 10 ma		1 µA @ 6.2 V							8.2 v
MPSW45AZL1	-	RFQ	6313	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		MPSW45		1 w	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																										50 V	1 a	100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 2mA，1a	25000 @ 200mA，5V	100MHz
FDH333Tr	0.3100	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		FDH333	标准		do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																125 v		1.15 V @ 300 mA		3 na @ 125 V	175°c （最大）	200mA	6pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²