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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce
NVB150N65S3F	4.2100	RFQ	7952	Onmi	汽车，AEC-Q101，SuperFet®III，FRFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NVB150		MOSFET （金属 o化物）			D²Pak-3（TO-263-3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		650 v	24A（TC）	10V	150MOHM @ 12A，10V	5V @ 540µA	43 NC @ 10 V	±30V	1999 PF @ 400 V		192W
SMBZ1477LT1	0.0200	RFQ	57	Onmi	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
1N5228BRL	0.0200	RFQ	275	Onmi	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		做–204AH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	5,000														1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 1 V													3.9 v	23欧姆
SMSZ1600-35T3	0.0200	RFQ	20	Onmi	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响				15,000
1N4750ARL	0.0200	RFQ	27	Onmi	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w		do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	6,000															5 µA @ 20.6 V													27 V	35欧姆
SMBZ1514LT3	0.0200	RFQ	70	Onmi	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000
SMBZ2606-6LT3	0.0200	RFQ	70	Onmi	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000
SZMM3Z22VT1	0.0200	RFQ	15	Onmi	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	15,000
STB8N50ET4	1.4400	RFQ	1	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	800
SURD109-4T4	0.3400	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的					Surd109						-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500
MMSZ5249ET1	0.0300	RFQ	3506	Onmi	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	9,000
1N4701RL	0.0700	RFQ	54	Onmi	*	大部分	积极的											下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000
NGB8206ANSL3G	0.7200	RFQ	2	Onmi	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NGB8206	逻辑		150 w		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			300V，9A，1KOHM，5V														-	390 v	20 a	50 a	1.9V @ 4.5V，20A	-	- /5µs
1N5991Brl-on	-	RFQ	7193	Onmi	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		做–204AH	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000														1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V													4.3 v	88欧姆
NGB15N41ACLT4G	0.6700	RFQ	2211	Onmi	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		逻辑		107 w		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	399			300V，6.5a，1KOHM														-	440 v	15 a	50 a	2.2V @ 4V，10a	-	- /4µs
PCF6294W	-	RFQ	6729	Onmi	-	大部分	过时的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-PCF6294W	过时的		1					13A（TJ）
NGB8207ABNT4G	0.6800	RFQ	30	Onmi	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		逻辑		165 w		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1			-														-	365 v	20 a	50 a	2.2V @ 3.7V，10a	-	-
BZX85C16RL	1.0000	RFQ	1528年	Onmi	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.10.0050	1
FCPF380N60-F154	1.5282	RFQ	1166	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF380		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	10.2A（TJ）		380MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1665 PF @ 25 V	-	31W（TC）
FCPF190N60E-F154	2.1745	RFQ	9960	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF190		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FCPF190N60E-F154	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	20.6A（TJ）		190mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	3175 PF @ 25 V	-	39W（TC）
NTMFS034N15MC	2.0100	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFS034		MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		150 v	6.1a（TA），31a （TC）		31mohm @ 13a，10v	4.5V @ 70µA	12 nc @ 10 V	±20V	905 PF @ 75 V	-	2.5W（TA），62.5W（tc）
FXS09	-	RFQ	2405	Onmi	*	管子	过时的											-		（1 （无限）	到达不受影响	488-FXS09	Ear99	8541.10.0050	1
NTHL067N65S3H	9.5500	RFQ	442	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTHL067N65S3H	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	40a（TC）	10V	67mohm @ 20a，10v	4V @ 3.9mA	80 NC @ 10 V	±30V	3750 PF @ 400 V	-	266W（TC）
NTP165N65S3H	4.4800	RFQ	543	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTP165N65S3H	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	19a（tc）	10V	165MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 1.6mA	35 NC @ 10 V	±30V	1808 PF @ 400 V	-	142W（TC）
NVTFS8D1N08HTAG	1.3000	RFQ	6564	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTFS8D1N08HTAGTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		80 V	（14a）（61A）（61A）（TC）	6V，10V	8.3mohm @ 16a，10v	4V @ 270µA	23 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 40 V	-	3.8W（ta），75W（（（ta）
FDWS86381-F085	-	RFQ	2367	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDWS86381-F085TR			3,000
NZ8F4V3SMX2WT5G	0.0456	RFQ	4387	Onmi	NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±3.37％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN				250兆		2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NZ8F4V3SMX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000														900 mv @ 10 ma	5 µA @ 1 V													4.3 v	100欧姆
NSR2030QMUTWG	0.4589	RFQ	1173	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	4-udfn裸露的垫子			肖特基			4-udfn（3.5x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NSR2030QMUTWGTR	Ear99	8541.10.0080	3,000														650 mv @ 2 a	20 µA @ 30 V	2 a								单相	30 V
NXH800A100L4Q2F2S2G	130.4500	RFQ	3321	Onmi	-	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH800			714 w	标准	51-pim/q2pack（93x47）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH800A100L4Q2F2S2G	Ear99	8541.29.0095	36	三级逆变器																沟渠场停止	1000 v	309 a		2.3V @ 15V，400A					20 µA	是的			49.7 NF @ 20 V
PCRKA20065F8M1	-	RFQ	9083	Onmi	-	大部分	上次购买					PCRKA20065						-				488-PCRKA20065F8M1			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²