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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BF199_J35Z	-	RFQ	6928	Onmi	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF199			350MW		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000							-																												25V	50mA							NPN		38 @ 7mA，10v	1.1GHz			-
2SC3361-6-TB-E	-	RFQ	5366	Onmi	-	大部分	过时的			125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				150兆		3-CP	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SC3361-6-TB-E-488			1																																			50 V	150 ma			100NA（ICBO）				NPN	400mv @ 1mA，10mA	200 @ 1mA，6v	100MHz
1N975B_T50A	-	RFQ	4016	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N975			500兆		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																														5 µA @ 29.7 V											39 v	80欧姆
MCR218-4G	0.5900	RFQ	9	Onmi	-	大部分	积极的			-40°C〜125°C	通过洞	TO-220-3						TO-220AB	下载					Ear99	8541.30.0080	513					30 ma													200 v	8 a	1.5 v	100A @ 60Hz	25 ma	1.8 v	10 µA	标准恢复
BC847CTT1	-	RFQ	4994	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	BC847			225兆		SC-75，SOT-416	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			45 v	100 ma			15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
1N5406G	0.4300	RFQ	5	Onmi	-	大部分	积极的				通过洞	do-201aa，do-27，轴向	1N5406		标准			轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									600 v	1 V @ 3 A		10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	3a	-
SMMBD770T1G	0.4100	RFQ	4388	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323	SMMBD770		肖特基			SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									70 v	1 V @ 10 mA		200 na @ 35 V	-55°C〜125°C	200mA	1pf @ 20V，1MHz
BC63916_J35Z	-	RFQ	7063	Onmi	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC639			1 w		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																																			80 V	1 a			100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
FMG2G50US120	-	RFQ	6698	Onmi	-		过时的			-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	7 pm-ga	FMG2			320 w	标准	7 pm-ga	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	半桥																																	-	1200 v	50 a	3V @ 15V，50a		3 ma	不
MMFZ2V7T3G	-	RFQ	9673	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-		-	表面安装	SOD-123	MMFZ2V			500兆		SOD-123	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																																									2.7 v
NSVR0340HT1G	0.4200	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-76，SOD-323	NSVR0340		肖特基			SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									40 V	590 mv @ 200 ma	5 ns	6 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	250mA	6pf @ 10V，1MHz
3EZ13D5RLG	-	RFQ	4638	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	3EZ13			3 W		轴向	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	6,000																												1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V											13 V	4.5欧姆
SZMMBZ5240BLT1	0.0200	RFQ	45	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				225兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																												900 mv @ 10 ma		3 µA @ 8 V											10 v	17欧姆
NTMS4935NR2G	-	RFQ	9361	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS49		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500			n通道					30 V	10a（10a）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 7.5A，10V	2.5V @ 250µA	52.1 NC @ 10 V	±20V	3639 PF @ 25 V	-	810MW（TA）
NTJS4151PT1G	0.4100	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJS4151		MOSFET （金属 o化物）			SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道					20 v	3.3a（ta）	1.8V，4.5V	60mohm @ 3.3a，4.5V	1.2V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±12V	850 pf @ 10 V	-	1W（ta）
NTD4860NA-1G	-	RFQ	9943	Onmi	-	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD48		MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道					25 v	10.4a（ta），65A（tc）		7.5mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	21.8 NC @ 10 V		1308 pf @ 12 V	-	1.28W（TA），50W（TC）
MMBZ5252BLT1	-	RFQ	1314	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52			225兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																												900 mv @ 10 ma		100 na @ 18 V											24 V	33欧姆
2SA2012-TD-E	-	RFQ	3341	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SA2012			3.5 w		pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																			30 V	5 a			100NA（ICBO）				PNP	210MV @ 30mA，1.5a	200 @ 500mA，2V	420MHz
NVMFS6H858NT1G	1.1013	RFQ	2586	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NVMFS6H858NT1G-488	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					80 V	8.4a（ta），29a（tc）	10V	20.7MOHM @ 5A，10V	4V @ 30µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	510 pf @ 40 V	-	3.5W（ta），42W（tc）
HUFA75617D3S	-	RFQ	1939年	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA75		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道					100 v	16A（TC）	10V	90mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	39 NC @ 20 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	64W（TC）
2N5484_D26Z	-	RFQ	4370	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		25 v		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5484	400MHz	JFET			TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道			5mA		-	-																			4DB												15 v
SB11-04HP-TR-E	-	RFQ	5638	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	2-SMD，J-LEAD	SB11		肖特基			SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									40 V	550 mv @ 1.1 A		1 mA @ 40 V	125°c （最大）	1.1a	-
NRVFES6D	0.3403	RFQ	2998	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	TO-277，3-PowerDfn	NRVFES6		标准			TO-277-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									200 v		45 ns	2 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C	6a	60pf @ 4V，1MHz
1N5357BRL	-	RFQ	5122	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5357			5 w		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000																												1.2 V @ 1 A		500 NA @ 15.2 V											20 v	3欧姆
2N5401RL1G	-	RFQ	1861年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N5401			625兆		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																			150 v	600 MA			50NA（iCBO）				PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
FQPF10N20C	1.3400	RFQ	2518	Onmi	QFET®	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF10		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					200 v	9.5A（TC）	10V	360MOHM @ 4.75a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	38W（TC）
MMBZ5252ELT1	-	RFQ	1561年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52			225兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																												900 mv @ 10 ma		100 na @ 18 V											24 V	33欧姆
NVMFS6B14NLWFT3G	-	RFQ	7780	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道					100 v	（11a）（ta），55a tc（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	8 NC @ 4.5 V	±16V	1680 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
2SB764E-SSH	-	RFQ	4314	Onmi	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3				900兆		3-MP	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SB764E-SSH-488			1																																			50 V	1 a			1µA（ICBO）				PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 50mA，2V	150MHz
NSTB1003DXV5T1G	-	RFQ	6967	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SOT-553	NSTB10			-		SOT-553	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																																			-	-			-				1 npn，1 pnp- 预偏（二）	-	-	-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²