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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SFT1342-E	-	RFQ	2306	Onmi	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		SFT134		MOSFET （金属 o化物）		IPAK/TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500			P通道			60 V	12a（12a）	4V，10V	62mohm @ 6a，10v	2.6V @ 1mA	26 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 20 V	-	15W（TC）
FFSB2065BDN-F085	6.6300	RFQ	1111	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FFSB2065		SIC （碳化硅）		D²Pak-3（TO-263-3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	800		没有恢复t> 500mA（IO）															650 v		1.75 V @ 10 A	0 ns	40 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	23.6a	421pf @ 1V，100kHz
FDP053N08B-F102	2.2100	RFQ	355	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FDP053		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			80 V	75A（TC）	10V	5.3MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	5960 pf @ 40 V	-	146W（TC）
2SK2532-TL-E	1.8500	RFQ	5	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1,500
FQD7P20TF	-	RFQ	1819年	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FQD7		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道			200 v	5.7A（TC）	10V	690MOHM @ 2.85a，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	770 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
2SD612KE	0.2700	RFQ	7	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1
BC182AG	-	RFQ	3996	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		BC182			350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	5,000																										50 V	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	200MHz
1SMA5937BT3G	0.4700	RFQ	289	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA		1SMA5937			1.5 w	SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	5,000																			1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 25.1 V													33 V	33欧姆
MPQ7051	0.9000	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的											下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1
FJPF2145TU	-	RFQ	4500	Onmi	ESBC™	管子	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FJPF2145			40 W	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000																										800 v	5 a						10µA（ICBO）			NPN	2V @ 300mA，1.5a	20 @ 200ma，5V	15MHz
FDP8440	4.4300	RFQ	500	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FDP84		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			40 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 80A，10V	3V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	24740 pf @ 25 V	-	306W（TC）
BAT54AWT3	0.0600	RFQ	100	Onmi	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		BAT54		肖特基		SOT-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														1对公共阳极	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜150°C
NRVB440MFST1G	0.5600	RFQ	364	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NRVB440		肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															40 V		650 mv @ 4 a		800 µA @ 40 V	-55°C 〜175°C	4a	-
NTD3055L170T4G	-	RFQ	8712	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NTD3055		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			60 V	9a（9a）	5V	170MOHM @ 4.5A，5V	2V @ 250µA	10 NC @ 5 V	±15V	275 pf @ 25 V	-	1.5W（TA），28.5W（tj）
2SJ257-E	1.0000	RFQ	4728	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
CPH3441-TL-E	0.2000	RFQ	402	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	3,000
MMFZ3V9T1G	-	RFQ	2264	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	表面安装	SOD-123		MMFZ3V			500兆	SOD-123	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																																		3.9 v
SMMBT2369ALT1G	0.3900	RFQ	19	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SMMBT2369			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000																										15 v	200 ma						400NA			NPN	500mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
SVC390-AL	0.4500	RFQ	14	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
NTMD2C02R2SG	-	RFQ	2361	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NTMD2C		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道					20V	5.2a，3.4a		43mohm @ 4A，4.5V	1.2V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1100pf @ 10V	逻辑级别门
FQP4N20	-	RFQ	7229	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FQP4		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			200 v	3.6A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.8A，10V	5V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	220 pf @ 25 V	-	45W（TC）
HGTG30N60A4	-	RFQ	2245	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		HGTG30	标准		463 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	450				390V，30a，3ohm，15V																					-	600 v	75 a	240 a	2.6V @ 15V，30a	280µJ（在）上，240µJ（OFF）	225 NC	25NS/150NS
NSVMMBD352WT1G	0.4600	RFQ	9888	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		NSVMMBD352		肖特基		SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														1对系列连接	7 V	10mA（DC）	600 mv @ 10 ma		10 µA @ 7 V	-55°C〜150°C
FNE41060	12.4524	RFQ	2125	Onmi	Motion-SPM®	管子	不适合新设计			通过洞	26-PowerDip 模块（1.024英寸，26.00mm）	-	FNE410					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	12	-				-
NTB25P06T4	-	RFQ	3032	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		NTB25		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800			P通道			60 V	27.5a（ta）		82MOHM @ 25a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V		1680 pf @ 25 V	-
MURHB840CTT4	0.7700	RFQ	3	Onmi	-	大部分	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		Murhb8		标准		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1对普通阴极	400 v	4a	2.2 V @ 4 A	28 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜175°C
NTTFS4941NTAG	-	RFQ	4226	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		NTTFS4		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道			30 V	8.3a（ta），46a（tc）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	22.8 NC @ 10 V	±20V	1619 PF @ 15 V	-	840MW（TA），25.5W（tc）
FDZ298N	-	RFQ	4956	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-WFBGA		FDZ29		MOSFET （金属 o化物）		9-BGA（1.5x1.6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			20 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	27mohm @ 6a，4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±12V	680 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
NVD4806NT4G	-	RFQ	2726	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NVD480		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	11.3a（ta），79a（tc）	4.5V，11.5V	6mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±20V	2142 PF @ 12 V	-	1.4W（TA），68W（tc）
2SC3068	-	RFQ	5240	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,860

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²