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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
MJD200	-	RFQ	6631	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MJD20		1.4 w	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	75																										25 v	5 a						100NA（ICBO）				NPN	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
MMBZ5266ELT1G	0.0200	RFQ	48	Onmi	*	大部分	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
FJY4010R	-	RFQ	7825	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY401		200兆	SC-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										40 V	100 ma						100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	10 kohms
RFD10P03LSM	-	RFQ	8048	Onmi	-	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		RFD10	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			P通道				30 V	10A（TC）		200mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	30 NC @ 10 V		1035 PF @ 25 V	-
BC213L_D27Z	-	RFQ	8166	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC213		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																										30 V	500 MA						15NA（icbo）				PNP	600mv @ 5mA，100mA	80 @ 2mA，5V	200MHz
S1A	0.4200	RFQ	106	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		S1A	标准		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																50 V		1.1 V @ 1 A	1.8 µs	1 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	12pf @ 4V，1MHz
NSR1030QMUTWG	0.8800	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	4-udfn裸露的垫子		NSR1030	肖特基		4-udfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000																				600 mV @ 1 A		20 µA @ 30 V		1 a				单相	30 V
FQA85N06	-	RFQ	6163	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FQA8	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450			n通道				60 V	100A（TC）	10V	10mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±25V	4120 PF @ 25 V	-	214W（TC）
2SA1943OTU	5.1500	RFQ	2638	Onmi	-	管子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA		2SA1943		150 w	TO-264-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	25																										250 v	17 a						5µA（ICBO）				PNP	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	30MHz
SBRD8330G	-	RFQ	2285	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SBRD8330	肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	75		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																30 V		600 mv @ 3 a		200 µA @ 30 V	-65°C〜175°C	3a	-
SZNZ3F33VT1G	-	RFQ	7622	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.06％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F		SZNZ3		800兆	SOD-323FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				1.3 V @ 10 mA		50 NA @ 23.2 V												33 V	140欧姆
BZX84C15LT3G	0.1500	RFQ	4605	Onmi	BZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84C15		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 10.5 V												15 v	30欧姆
FPDB40PH60B	23.0900	RFQ	1354	Onmi	PFCSPM®3	管子	不适合新设计			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FPDB40				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	2期			40 a	600 v	2500vrms
NTD85N02R-001	-	RFQ	7016	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		NTD85	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道				24 V	12a（12A），85a tc（85a tc）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	17.7 NC @ 5 V	±20V	2050 pf @ 20 V	-	1.25W（TA），78.1W（tc）
2SC3135S-SPA	0.0800	RFQ	13	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
2SK1920-E	0.8300	RFQ	46	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
NTD6600NT4	-	RFQ	5859	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NTD66	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				100 v	12a（12a）	5V	146mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	1.28W（TA），56.6W（tc）
J105_D27Z	-	RFQ	1110	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		J105		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道											-																25 v	500 ma @ 15 V	4.5 V @ 1 µA				3欧姆
MJE271	-	RFQ	1107	Onmi	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		MJE27		1.5 w	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																										100 v	2 a						1ma				pnp-达灵顿	3V @ 1.2mA，120mA	1500 @ 120mA，10V	6MHz
FSB50550BL	-	RFQ	8908	Onmi	MOTIONSPM®5	管子	过时的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm）	MOSFET	FSB50550				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FSB50550BL	Ear99	8542.39.0001	15	3相逆变器			3 a	500 v	1500vrms
NSS30101LT1G	0.4400	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		NSS30101		310 MW	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										30 V	1 a						100NA				NPN	200mv @ 100mA，1a	300 @ 500mA，5V	100MHz
fep16bt	-	RFQ	2999	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		FEP16	标准		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	fep16btfs	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	100 v	16a	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
HUF75345S3ST	6.5200	RFQ	5497	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		HUF75345	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W（TC）
BD534K	-	RFQ	7753	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		BD534		50 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200																										45 v	8 a						100µA				PNP	800mv @ 600mA，6a	40 @ 2a，2v	12MHz
SZMMBZ5235BLT1	-	RFQ	9994	Onmi	*	大部分	积极的										-					Ear99	8541.10.0050	1
NTJD5121NT1G	0.3700	RFQ	62	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		NTJD5121	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						60V	295mA		1.6ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.9NC @ 4.5V		26pf @ 20V	逻辑级别门
2SA1381ESTU	-	RFQ	2456	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		2SA1381		7 W	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60																										300 v	100 ma						100NA（ICBO）				PNP	600mv @ 2mA，20mA	100 @ 10mA，10v	150MHz
MTW24N40E	6.4600	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
NTC040N120SC1	20.2120	RFQ	7383	Onmi	-	托盘	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	死			sicfet （碳化硅）		死	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTC040N120SC1	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				1200 v	60a（TC）	20V	56mohm @ 35a，20v	4.3V @ 10mA	106 NC @ 20 V	+25V，-15V	1781 PF @ 800 V	-	348W（TC）
BD24444ATU	-	RFQ	1345	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		BD244		65 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																										60 V	6 a						700µA				PNP	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²