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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
MBRD320T4G	0.8500	RFQ	1	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MBRD320	肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	20 v		600 mv @ 3 a		200 µA @ 20 V	-65°C〜150°C	3a	-
NSVDTC143ZET1G	0.4100	RFQ	11	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416		NSVDTC143		200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																											50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	47科姆斯
KSD363Y	-	RFQ	7221	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSD363		40 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200																											120 v	6 a	1ma（iCBO）			NPN	1V @ 100mA，1a	120 @ 1A，5V	10MHz
DTA113EM3T5G	0.0558	RFQ	4927	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723		DTA113		260兆	SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																											50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	3 @ 5mA，10v		1 kohms	1 kohms
MMDF1N05ER2G	-	RFQ	3571	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MMDF1	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）							50V	2a		300MOHM @ 1.5A，10V	3V @ 250µA	12.5nc @ 10V		330pf @ 25V	逻辑级别门
BC549C	-	RFQ	5692	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		BC549		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																											30 V	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
BC338TFR	-	RFQ	1759年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC338		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																											25 v	800 MA	100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
KSA940H1TU	-	RFQ	5522	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSA940		1.5 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																											150 v	1.5 a	10µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	4MHz
FCD5N60TM-WS	1.7900	RFQ	2	Onmi	SuperFet™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FCD5N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					600 v	4.6A（TC）	10V	950MOHM @ 2.3a，10V	5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	54W（TC）
BC184L_D27Z	-	RFQ	2861	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC184		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																											30 V	500 MA	15NA（icbo）			NPN	250mv @ 5mA，100mA	130 @ 100mA，5V	150MHz
PCFFS2065AF	-	RFQ	4625	Onmi	-	托盘	积极的			表面安装	死		PCFFS2065	SIC （碳化硅）		死	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-PCFFS2065AF	Ear99	8541.10.0080	1		没有恢复t> 500mA（IO）																	650 v		1.75 V @ 20 A	0 ns	200 µA @ 650 V	175°c （最大）	20a	-
FH105A-TR-E	-	RFQ	1672年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		FH105		150MW	6-MCP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000				10dB @ 1.5GHz																							10V	30mA				NPN		0.95 @ 10mA，5V	8GHz			1.4dB @ 1.5GHz
BCW33	-	RFQ	3364	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BCW33		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																											32 v	500 MA	100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 500µA，10mA	420 @ 2mA，5V	200MHz
FQA34N20L	-	RFQ	5784	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FQA3	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道					200 v	34A（TC）	5V，10V	75mohm @ 17a，10v	2V @ 250µA	72 NC @ 5 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	210W（TC）
2SA1706T-AN	-	RFQ	1638年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-71		2SA1706		1 w	3-nmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																											50 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	150MHz
KSC1507Y	-	RFQ	5403	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSC1507		15 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	200																											300 v	200 µA	100µA（ICBO）			NPN	2V @ 5mA，50mA	120 @ 10mA，10v	80MHz
KSC5502DTM	0.9700	RFQ	7161	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		KSC5502		50 W	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																											600 v	2 a	100µA			NPN	1.5V @ 200mA，1a	4 @ 1a，1V	11MHz
FFSH10120A	8.3400	RFQ	450	Onmi	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-2		FFSH10120	SIC （碳化硅）		TO-247-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	450		没有恢复t> 500mA（IO）																	1200 v		1.75 V @ 10 A	0 ns	200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	17a	612pf @ 1V，100kHz
FPAB30BH60B	19.8000	RFQ	7055	Onmi	PFCSPM®3	管子	不适合新设计			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FPAB30				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	1期				30 a	600 v	2500vrms
BC337	-	RFQ	7005	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		BC337		625兆	TO-92-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000																											45 v	800 MA	100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	210MHz
FQAF17P10	-	RFQ	4462	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		FQAF1	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			P通道					100 v	12.4A（TC）	10V	190mohm @ 6.2a，10v	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	56W（TC）
SBE805-S-TL-W	-	RFQ	3108	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-74A，SOT-753		SBE805	肖特基		5-CPH	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																2独立	30 V	500mA	550 mv @ 500 mA	10 ns	30 µA @ 15 V	-55°C〜125°C
FSB50550AS	10.0700	RFQ	770	Onmi	MOTIONSPM®5	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET	FSB50550				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	450	3期				2 a	500 v	1500vrms
FDD9410L-F085	-	RFQ	3206	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FDD9410	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					40 V	50A（TC）	10V	4.2MOHM @ 50a，10v	3V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 20 V	-	75W（TC）
NRVTSA4100ET3G	0.5800	RFQ	5285	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		NRVTSA4100	肖特基		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	100 v		680 mv @ 4 a		9 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	4a	55pf @ 4V，1MHz
NSVMUN5234T1G	0.0400	RFQ	36	Onmi	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		NSVMUN5234		202兆	SC-70（SOT323）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2156-NSVMUN5234T1G-488	Ear99	8541.21.0095	3,000																											50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		22 KOHMS	47科姆斯
2SC5964-TD-H	0.5900	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		2SC5964		3.5 w	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																											50 V	3 a	1µA（ICBO）			NPN	290mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	380MHz
MUR2100ERLG	0.5900	RFQ	8020	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		MUR2100	标准		轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1000 v		2.2 V @ 2 A	100 ns	10 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	2a	-
1N6004B	-	RFQ	3165	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N6004		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 11 V							15 v	32欧姆
MMBZ5230B	-	RFQ	5294	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																					900 mv @ 10 ma		5 µA @ 2 V							4.7 v	19欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²