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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
mcr8sng	-	RFQ	3094	Onmi	-	大部分	积极的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-220-3					TO-220AB	下载					Ear99	8541.30.0080	1				6 ma														800 v	8 a	1 V	80a @ 60hz	200 µA	1.8 v	10 µA	敏感门
MBD301G	-	RFQ	4774	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C〜125°C（TJ）		TO-226-2，TO-92-2 to-226ac）	MBD30				到92	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	5,000																280兆																		1.5pf @ 15V，1MHz									肖特基 -单身	30V				-
NTMFD0D9N02P1E	-	RFQ	2807	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTMFD0D9		MOSFET （金属 o化物）	（960MW）（1.04W）	8-pqfn（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-NTMFD0D9N02P1ETR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V，25V	14a（TA），30a（ta）		3mohm @ 20a，10v，720µHomm @ 41a，10v	2V @ 340µA，2V @ 1mA	9NC @ 4.5V，30nc @ 4.5V		1400pf @ 15V，5050pf @ 13V	-
DF005S	0.7200	RFQ	920	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	DF005		标准		4-SDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500																													1.1 V @ 1 A		5 µA @ 50 V		1.5 a										单相	50 V
2SK3492-TL-E	0.5100	RFQ	25	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	700
MMBZ5242BLT1G	0.1400	RFQ	69	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ5242			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																													900 mv @ 10 ma		1 µA @ 9.1 V															12 v	30欧姆
FQPF2N60	-	RFQ	5966	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF2		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				600 v	1.6A（TC）	10V	4.7ohm @ 800mA，10v	5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	28W（TC）
FGAF20N60SMD	-	RFQ	2484	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGAF20	标准		75 w	to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，20a，10ohm，15V																									26.7 ns					现场停止	600 v	40 a	60 a	1.7V @ 15V，20A	（452µJ）（在141µJ上）	64 NC	12NS/91NS
1N5225BRL	0.0200	RFQ	90	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000
EC3H02BA-TL-H	-	RFQ	2851	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	EC3H02			100MW	ECSP1006-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000						8.5dB																														10V	70mA												NPN		120 @ 20mA，5V	7GHz	1dB @ 1GHz
NTF3055L175T3G	-	RFQ	5423	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NTF305		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223（TO-261）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道				60 V	2A（TA）	5V	175MOHM @ 1A，5V	2V @ 250µA	10 NC @ 5 V	±15V	270 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
TM00143	-	RFQ	3607	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
FDMA905P_F130	-	RFQ	1915年	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	FDMA90		MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道				12 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	16mohm @ 10a，4.5V	1V @ 250µA	29 NC @ 6 V	±8V	3405 pf @ 6 V	-	2.4W（TA）
FDS8449	0.9600	RFQ	33	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS84		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				40 V	7.6a（ta）	4.5V，10V	29MOHM @ 7.6A，10V	3V @ 250µA	11 NC @ 5 V	±20V	760 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
FQL40N50	8.0400	RFQ	143	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	FQL40		MOSFET （金属 o化物）		TO-264-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道				500 v	40a（TC）	10V	110mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±30V	7500 PF @ 25 V	-	460W（TC）
FGPF15N60UNDF	-	RFQ	9917	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FGPF15	标准		42 W	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FGPF15N60UNDF-488	Ear99	8541.29.0095	50					400V，15a，10ohm，15V																									82.4 ns					npt	600 v	30 a	45 a	2.7V @ 15V，15a	（370µJ）（在67μj上）	43 NC	9.3NS/54.8NS
1N5953BRLG	0.3900	RFQ	17	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5953			3 W	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	6,000																													1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 114 V															150 v	600欧姆
SZ1SMB5931BT3G-VF01	0.8400	RFQ	8205	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DO-214AA，SMB	SZ1SMB5931			3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																													1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V															18 V	12欧姆
FDMS3602AS	-	RFQ	2993	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3602		MOSFET （金属 o化物）	2.2W，2.5W	Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						25V	15a，26a		5.6mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	27nc @ 10V		1770pf @ 13V	逻辑级别门
FQU6N40CTU_NBEA001	-	RFQ	2951	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU6		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70			n通道				400 v	4.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
MAC97A8G	-	RFQ	1444	Onmi	-	大部分	过时的		-40°C〜110°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MAC97				TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	5,000	单身的			10 MA													逻辑 -敏感门	600 v	600 MA	2 v	8a @ 60Hz	5 ma
FDY4001CZ	-	RFQ	7846	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	FDY40		MOSFET （金属 o化物）	446MW	SOT-563F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道						20V	200mA，150mA		5ohm @ 200ma，4.5V	1.5V @ 250µA	1.1NC @ 4.5V		60pf @ 10V	逻辑级别门
NTD3055L104-1G	-	RFQ	7004	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD3055		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道				60 V	12a（12a）	5V	104mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±15V	440 pf @ 25 V	-	1.5W（ta），48W（tj）
MBR30H100CTG	2.2400	RFQ	1	Onmi	SwitchMode™	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	MBR30H100		肖特基		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								1对普通阴极	100 v	15a	800 mv @ 15 A		4.5 µA @ 100 V	175°c （最大）
FJP2145TU	-	RFQ	5370	Onmi	ESBC™	管子	过时的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP214			120 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																																				800 v	5 a								10µA（ICBO）				NPN	2V @ 300mA，1.5a	20 @ 200ma，5V	15MHz
NVMFS5C604NLWFAFT3G	2.7714	RFQ	8233	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				60 V	287a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	52 NC @ 4.5 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	200W（TC）
CPH6337-TL-E	-	RFQ	6282	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	CPH633		MOSFET （金属 o化物）		6-CPH	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道				12 v	3.5A（ta）	1.8V，4.5V	70MOHM @ 1.5A，4.5V	1.4V @ 1mA	5.6 NC @ 4.5 V	±10V	405 pf @ 6 V	-	1.6W（TA）
FQPF13N50CT	-	RFQ	5106	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				500 v	13A（TC）	10V	480MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	48W（TC）
FDPF045N10A	4.2700	RFQ	9310	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF045		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				100 v	67A（TC）	10V	4.5MOHM @ 67A，10V	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	43W（TC）
MMBZ5229ELT3G	-	RFQ	9926	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																													900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V															4.3 v	22欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²