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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
SZ1SMB5947BT3G	0.6900	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SZ1SMB5947		3 W	SMB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 62.2 V						82 v	160欧姆
NTST40H120CTG	-	RFQ	7917	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	NTST40	肖特基		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	NTST40H120CTGOS	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	120 v	20a	910 MV @ 20 A		65 µA @ 120 V	-40°C〜150°C
1N4447	0.1400	RFQ	21	Onmi	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4447	标准		do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	5,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													100 v					175°c （最大）	-	-
SZMMSZ4696T1G	0.3700	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ4696		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		1 µA @ 6.9 V						9.1 v
SZ1SMB5914BT3G-VF01	-	RFQ	5716	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DO-214AA，SMB	SZ1SMB5914		3 W	SMB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																1.5 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V						3.6 v	9欧姆
FFSP1065B-F085	4.3700	RFQ	3091	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	FFSP1065	SIC （碳化硅）		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-FFSP1065B-F085	Ear99	8541.10.0080	800	没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.7 V @ 10 A	0 ns	40 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	10a	421pf @ 1V，100kHz
MM3Z3V6T1G	0.1500	RFQ	126	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	MM3Z3		300兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V						3.6 v	90欧姆
FDMC4435BZ-F127-L701	0.5273	RFQ	6317	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDMC4435BZ-F127-L701TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	8.5a（ta），18a（tc）	4.5V，10V	20mohm @ 8.5a，10v	3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±25V	2045 PF @ 15 V	-	2.3W（TA），31W（tc）
2SK2631-TL-E	-	RFQ	6259	Onmi	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK/TP-FA	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SK2631-TL-E-488			1		n通道	800 v	1A（1A）	15V	10ohm @ 500mA，15v	5.5V @ 1mA	8 nc @ 10 V	±30V	300 pf @ 20 V	-	1W（TA），30W（TC）
FFSB0665B	3.0100	RFQ	800	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FFSB0665	SIC （碳化硅）		D²Pak-2 to-263-2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800	没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.7 V @ 6 A		40 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	8a	259pf @ 1V，100kHz
SBRS5641T3G-VF01	-	RFQ	2307	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	SBRS5641	肖特基		SMB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SBRS5641T3G-VF01TR			2,500	-																		-	-	-
SZMMBZ5235BLT1G	0.2300	RFQ	34	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZMMBZ5235		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		3 µA @ 5 V						6.8 v	5欧姆
NTBG040N120SC1	24.3300	RFQ	760	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	NTBG040	sicfet （碳化硅）		D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	1200 v	60a（TC）	20V	56mohm @ 35a，20v	4.3V @ 10mA	106 NC @ 20 V	+25V，-15V	1789 PF @ 800 V	-	357W（TC）
1N5368BG	0.4700	RFQ	2	Onmi	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5368		5 w	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																1.2 V @ 1 A		500 NA @ 35.8 V						47 V	25欧姆
1SMA5945BT3G	0.4800	RFQ	596	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	1SMA5945		1.5 w	SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 51.7 V						68 v	120欧姆
NTD4809NA-1G	-	RFQ	5704	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD48	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	30 V	9.6a（ta），58a tc）	4.5V，11.5V	9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1456 pf @ 12 V	-	1.3W（ta），52W（（ta）
MM5Z4678T1G	0.0534	RFQ	6392	Onmi	MM5Z4XXXTXG	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z4678		500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-MM5Z4678T1GTR	Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		7.5 µA @ 1 V						1.8 v
MMSZ27T1	-	RFQ	3453	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ27		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		50 na @ 18.9 V						27 V	80欧姆
NVTFS5116PLWFTAG	1.5100	RFQ	7388	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5116	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		P通道	60 V	6a（6a）	4.5V，10V	52MOHM @ 7A，10V	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1258 pf @ 25 V	-	3.2W（21W），21W（（（（（（（
MBR4045WT	-	RFQ	9438	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-247-3	MBR4045	肖特基		TO-247-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	45 v	20a	700 mv @ 20 a		1 mA @ 45 V	-65°C〜175°C
MBRB41H100CT-1G	-	RFQ	4345	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	MBRB41	肖特基		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	100 v	20a	800 mv @ 20 a		10 µA @ 100 V	175°c （最大）
NTMS4937NR2G	1.5600	RFQ	108	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS4937	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		n通道	30 V	8.6a（ta）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 7.5A，10V	2.5V @ 250µA	38.5 NC @ 10 V	±20V	2563 PF @ 25 V	-	810MW（TA）
SZMMSZ33T1G	0.4100	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ33		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		50 NA @ 23.1 V						33 V	80欧姆
FQB34P10TM	3.0500	RFQ	4844	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB34P10	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	33.5a（TC）	10V	60mohm @ 16.75a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	2910 PF @ 25 V	-	3.75W（ta），155W（tc）
NSR0240P2T5G	0.4100	RFQ	107	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-923	NSR0240	肖特基		SOD-923	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000	小信号= <<200ma（io），任何速度													40 V		600 mv @ 200 ma		5 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	200mA	7pf @ 1V，1MHz
DBA500G	-	RFQ	6696	Onmi	-	托盘	过时的		150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	DBA5	标准		-	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	200																1.05 V @ 25 A		10 µA @ 600 V		50 a		单相	600 v
DBD10G-E	-	RFQ	9641	Onmi	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	DBD1	标准		-	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	70																1.05 V @ 500 mA		10 µA @ 600 V		1 a		单相	600 v
SMBZ2606-18LT1	0.0200	RFQ	48	Onmi	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
NTTFS4930NTAG	0.5700	RFQ	27	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4930	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	30 V	4.5A（TA），23a（tc）	4.5V，10V	23mohm @ 6a，10v	2.2V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±20V	476 pf @ 15 V	-	（790MW）（TA），20.2W（tc）
SBRS8320T3G	-	RFQ	4700	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	DO-214AB，SMC	SBRS8320	肖特基		SMC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													20 v		500 mv @ 3 a		2 ma @ 20 V	-65°C〜150°C	3a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²