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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BC858AWT1G	0.2100	RFQ	12	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC858		150兆		SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						30 V	100 ma				15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
CPH6445-TL-W	0.5100	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	CPH6445	MOSFET （金属 o化物）			6-CPH	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	60 V	3.5A（ta）	4V，10V	117MOHM @ 1.5A，10V	-	6.8 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 20 V	-	1.6W（TA）
KSC2787OTA	-	RFQ	2681	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2787		250兆		TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						30 V	50 mA				100NA（ICBO）				NPN	300mv @ 1mA，10mA	70 @ 1mA，6v	300MHz
NVC3S5A51PLZT1G	-	RFQ	1579年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NVC3S5	MOSFET （金属 o化物）			3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	60 V	1.8A（ta）	4V，10V	250MOHM @ 1A，10V	2.6V @ 1mA	6 NC @ 10 V	±20V	262 PF @ 20 V	-	1.2W（TA）
BCW30LT3	0.0200	RFQ	90	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000
2SA1370D-AE	0.1800	RFQ	58	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
FDB2670	-	RFQ	5252	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	FDB267	MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道	200 v	（19a ta）	10V	130mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1320 PF @ 100 V	-	93W（TC）
2SA2205-E	-	RFQ	9152	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SA2205		800兆		TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500																						100 v	2 a				1µA（ICBO）				PNP	240mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，5V	300MHz
MMSZ5242BT1G	0.2100	RFQ	1423	Onmi	mmsz52xxxt1g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ524		500兆		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		1 µA @ 9.1 V												12 v	30欧姆
BZX79C3V3_T50R	-	RFQ	4685	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79C3		500兆		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 100 ma		25 µA @ 1 V												3.3 v	95欧姆
2SC6096-TD-E	0.7000	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SC6096		1.3 w		pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																						100 v	2 a				1µA（ICBO）				NPN	150mv @ 100mA，1a	300 @ 100mA，5V	300MHz
FDN360P-NBGT003B	-	RFQ	4886	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN360	MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	30 V	2A（TA）	4.5V，10V	80mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	298 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
KSC1008RTA	-	RFQ	8054	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC1008		800兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																						60 V	700 MA				100NA（ICBO）				NPN	400mv @ 50mA，500mA	40 @ 50mA，2V	50MHz
NVMFS5C456NLAFT1G	1.5800	RFQ	3948	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	40 V	87A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	55W（TC）
2SD1012G-SPA	-	RFQ	9777	Onmi	-	大部分	过时的		125°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SD1012		250兆		3-SPA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500																						15 v	700 MA				1µA（ICBO）				NPN	80mv @ 10mA，100mA	280 @ 50mA，2V	250MHz
NRVUS2GA	0.1218	RFQ	8775	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	do-214ac，SMA	NRVUS2	标准			DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												400 v	1.3 V @ 1.5 A	75 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	30pf @ 4V，1MHz
FQPF5N20	-	RFQ	7594	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	200 v	3.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.75a，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	270 pf @ 25 V	-	32W（TC）
NSVMUN531335DW1T3G	0.1034	RFQ	9698	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NSVMUN531335		385MW		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NSVMUN531335DW1T3GTR	Ear99	8541.21.0095	10,000																						50V	100mA				500NA				1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	47KOHM，2.2KOHM	47KOHM，47KOHM
EMT1DXV6T1G	0.4800	RFQ	23	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMT1DXV6		500MW		SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000																						60V	100mA				500NA（ICBO）				2 PNP （双）	500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	140MHz
FQD5P20TF	-	RFQ	5905	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5	MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道	200 v	3.7A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.85a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
CPH6341-M-TL-E	-	RFQ	7511	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	SOT-23-6	CPH6341	-			6-CPH	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			-		5A（TJ）		-	-				-	-
NVJS4405NT1G	0.5000	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NVJS4405	MOSFET （金属 o化物）			SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	25 v	1A（1A）	2.7V，4.5V	350MOHM @ 600mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.5 NC @ 4.5 V	±8V	60 pf @ 10 V	-	630MW（TA）
FMG2G400LS60	-	RFQ	9522	Onmi	-		过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	晚上7点	FMG2		1136 w	标准	晚上7点	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																				-	600 v	400 a	1.8V @ 15V，400A			250 µA	不
2SC4519-6-TB-E	0.1800	RFQ	99	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
FJN4314RBU	-	RFQ	3291	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	FJN431		300兆		TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																						50 V	100 ma				100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
NTMFS4C822NAT3G	1.6100	RFQ	5997	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	30 V	（30a）（TA），136a （TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 250µA	45.2 NC @ 10 V	±20V	3071 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），64W（tc）
HUFA764233	-	RFQ	6798	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道	60 V	35A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 35a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±16V	1060 pf @ 25 V	-	85W（TC）
MV104G	-	RFQ	8087	Onmi	-	大部分	过时的		125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MV104				TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	MV104 -GOS	Ear99	8541.10.0070	1,000																				42pf @ 3V，1MHz					1对普通阴极	32 v											2.8	C3/C30	140 @ 3V，100MHz
UF4002	0.4300	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	UF400	标准			do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												100 v	1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	17pf @ 4V，1MHz
SZMM5Z4686T1G	0.0574	RFQ	4843	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5.13％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	SZMM5		500兆		SOD-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		5 µA @ 2 V												3.9 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²