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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FSB52006	-	RFQ	5388	Onmi	MOTIONSPM®5	管子	过时的			表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET	FSB520					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	FXB52006	Ear99	8541.29.0095	450	3期				2.6 a	60 V	1500vrms
smmun2111lt3g	0.3300	RFQ	10	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SMMUN2111			246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																										50 V	100 ma								500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
kbu8a	-	RFQ	9846	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		KBU8		标准		KBU	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	200																			1 V @ 8 A		10 µA @ 50 V		8 a										单相	50 V
1N5348BRLG	0.4900	RFQ	6684	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向		1N5348			5 w	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000																			1.2 V @ 1 A		5 µA @ 8.4 V															11 V	2.5欧姆
MCH6336-P-TL-E	-	RFQ	3790	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	6-SMD，平坦的铅		MCH63		-		6-MCPH	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			-						5A（TJ）		-	-				-	-
GBU4J	1.8100	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU		GBU4		标准		gbu	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	20																			1 V @ 4 A		5 µA @ 600 V		4 a										单相	600 v
2N7000-D26Z	0.4100	RFQ	442	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		2N7000		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道					60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	3V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	400MW（TA）
MMBV3700LT1	-	RFQ	2658	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						MMBV37					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
MJB41CT4G	1.5900	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MJB41			2 w	D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800																										100 v	6 a								700µA			NPN	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
mmsz22t3g	-	RFQ	4717	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		MMSZ22			500兆	SOD-123	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																			900 mv @ 10 ma		50 NA @ 15.4 V															22 v	55欧姆
FFPF10U40STU	-	RFQ	9272	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		FFPF10		标准		TO-220F-2L	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																400 v	1.4 V @ 10 A	50 ns	30 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	10a	-
BC847AWT1G	0.2100	RFQ	37	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		BC847			150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										45 v	100 ma								15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
KSA1381ESTU	-	RFQ	8120	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		KSA1381			7 W	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,880																										300 v	100 ma								100NA（ICBO）			PNP	600mv @ 2mA，20mA	100 @ 10mA，10v	150MHz
HUF766393	-	RFQ	2664	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		HUF76		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q1053436	Ear99	8541.29.0095	400			n通道					100 v	51A（TC）		26mohm @ 51a，10v	3V @ 250µA	86 NC @ 10 V		2400 PF @ 25 V	-
mmsz4v3t1g	0.2200	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		MMSZ4V3			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V															4.3 v	90欧姆
2SC4105N	0.4600	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	650
1SMA5940BT3G	0.4700	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA		1SMA5940			1.5 w	SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																			1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 32.7 V															43 V	53欧姆
1SMB5914BT3G	0.4300	RFQ	2024	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB		1SMB5914			3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																			1.5 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V															3.6 v	9欧姆
afghl30t65rqdn	4.9500	RFQ	8686	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		afghl30	标准		230.8 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-AFGHL30T65RQDN	Ear99	8541.29.0095	450				400V，15A，2.5OHM，15V																39 ns					现场停止	650 v	42 a	120 a	1.82V @ 15V，30a	（340µJ）（在320µJ上）	37 NC	18NS/68NS
FQP33N10L	-	RFQ	8084	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FQP3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					100 v	33A（TC）	5V，10V	52MOHM @ 16.5A，10V	2V @ 250µA	40 NC @ 5 V	±20V	1630 PF @ 25 V	-	127W（TC）
NGD8205NT4G	-	RFQ	9706	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NGD8205	逻辑		125 w	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				300V，9A，1KOHM，5V																					-	390 v	20 a	50 a	1.9V @ 4.5V，20A	-		- /5µs
FQP7N80C	2.7500	RFQ	607	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FQP7		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					800 v	6.6A（TC）	10V	1.9OHM @ 3.3a，10v	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1680 pf @ 25 V	-	167W（TC）
NDS9933A	-	RFQ	1819年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NDS993		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）							20V	2.8a		140MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	8.5nc @ 4.5V		405pf @ 10V	逻辑级别门
2N3905	0.0700	RFQ	10	Onmi	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	到92	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	2,000																										40 V	200 ma								50NA			PNP	400mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，1V	200MHz
IRFS634B_FP001	-	RFQ	6831	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IRFS6		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					250 v	8.1A（TC）	10V	450MOHM @ 4.05A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	38W（TC）
MCH6437-TL-W	-	RFQ	2111	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		MCH6437		MOSFET （金属 o化物）		SC-88FL/MCPH6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					20 v	7a（ta）	1.8V，4.5V	24mohm @ 4A，4.5V	1.3V @ 1mA	8.4 NC @ 4.5 V	±12V	660 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
FDS3601	-	RFQ	4652	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS36		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）							100V	1.3a		480MOHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	5NC @ 10V		153pf @ 50V	逻辑级别门
NTPF150N65S3HF	2.7053	RFQ	1459	Onmi	FRFET®，SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		NTPF150		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					650 v	24A（TC）	10V	150MOHM @ 12A，10V	5V @ 540µA	43 NC @ 10 V	±30V	1985 pf @ 400 V	-	192W（TC）
NTMFS5C612NLWFT1G	-	RFQ	2811	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					60 V	235a（TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	41 NC @ 4.5 V	±20V	6660 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），167W（TC）
SMBZ1461LT1	0.0200	RFQ	2848	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	12,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²