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离散半导体产品（（26937）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （amp） 电流 -最大 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce 电阻 @ if，f 晶体管类型 （ID） - 最大
TF410-TL-H onsemi TF410-TL-H -
RFQ
 ECAD 2661 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 TF410 30兆 3-USFP - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 40 V 0.7pf @ 10V 40 V 50 µA @ 10 V 4 V @ 1 µA 1 MA
1SV264-TL-E onsemi 1SV264-TL-E 0.4900
RFQ
 ECAD 5511 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） SC-70，SOT-323 1SV264 3-MCP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 50 mA 100兆 0.4pf @ 50V，1MHz 引脚-1对系列连接 50V 4.5OHM @ 10mA，100MHz
DBD10G-E onsemi DBD10G-E -
RFQ
 ECAD 9641 0.00000000 Onmi - （CT） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） DBD1 标准 - 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 70 1.05 V @ 500 mA 10 µA @ 600 V 1 a 单相 600 v
DBB08G-TM-E onsemi DBB08G-TM-E -
RFQ
 ECAD 5629 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 4-SMD，鸥翼 DBB08 标准 4-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 1.05 V @ 400 mA 10 µA @ 600 V 800 MA 单相 600 v
2SK715U-AC onsemi 2SK715U-AC -
RFQ
 ECAD 7564 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 通过洞 SC-72 2SK715 300兆 3-SPA - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n通道 15 v 10pf @ 5V 7.3 ma @ 5 V 600 mV @ 100 µA 50 mA
2SK715V-AC onsemi 2SK715V-AC -
RFQ
 ECAD 2694 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 通过洞 SC-72 2SK715 300兆 3-SPA - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n通道 15 v 10pf @ 5V 10 mA @ 5 V 600 mV @ 100 µA 50 mA
2SK715W-AC onsemi 2SK715W-AC -
RFQ
 ECAD 3485 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 通过洞 SC-72 2SK715 300兆 3-SPA - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n通道 15 v 10pf @ 5V 14.5 ma @ 5 V 600 mV @ 100 µA 50 mA
2SK715U onsemi 2SK715U -
RFQ
 ECAD 8806 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 125°C（TJ） 通过洞 SC-72 2SK715 300兆 3-SPA - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 500 n通道 15 v 10pf @ 5V 7.3 ma @ 5 V 600 mV @ 100 µA 50 mA
2SK715W onsemi 2SK715W -
RFQ
 ECAD 4405 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 125°C（TJ） 通过洞 SC-72 2SK715 300兆 3-SPA - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 500 n通道 15 v 10pf @ 5V 14.5 ma @ 5 V 600 mV @ 100 µA 50 mA
DBF10G onsemi DBF10G -
RFQ
 ECAD 7141 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，DBF DBF1 标准 - 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 1.05 V @ 500 mA 10 µA @ 600 V 1 a 单相 600 v
NTD4963NT4G onsemi NTD4963NT4G -
RFQ
 ECAD 5225 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 NTD49 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 8.1a（ta），44a（tc） 4.5V，10V 9.6mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 16.2 NC @ 10 V ±20V 1035 PF @ 12 V - 1.1W（TA），35.7W（tc）
NTP6410ANG onsemi NTP6410ANG 3.3800
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 NTP6410 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 76A（TC） 10V 13mohm @ 76a，10v 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 188W（TC）
FDB38N30U onsemi FDB38N30U 3.3200
RFQ
 ECAD 244 0.00000000 Onmi Unifet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB FDB38N30 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 300 v 38A（TC） 10V 120mohm @ 19a，10v 5V @ 250µA 73 NC @ 10 V ±30V 3340 pf @ 25 V - 313W（TC）
FDMA1430JP onsemi FDMA1430JP -
RFQ
 ECAD 5185 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 30V 负载开关 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA14 6-microfet（2x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2.9a NPN，P通道
DFB20100 onsemi DFB20100 3.0400
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，TS-6P DFB20 标准 TS-6P 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 50 V 20 a 单相 1 kV
DFB2510 onsemi DFB2510 3.1900
RFQ
 ECAD 4937 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，TS-6P DFB25 标准 TS-6P 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 100 V 25 a 单相 100 v
FGD3N60UNDF onsemi FGD3N60UNDF 1.2700
RFQ
 ECAD 7823 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 FGD3N60 标准 60 W TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 400V，3a，10ohm，15V 21 ns npt 600 v 6 a 9 a 2.52V @ 15V，3A （52µJ）（在30µJ）上（OFF） 1.6 NC 5.5NS/22NS
2SK2394-7-FRD-TB-E onsemi 2SK2394-7-FRD-TB-E -
RFQ
 ECAD 1399年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 2SK2394 - （1 （无限） 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 3,000
FES10J onsemi FES10J 1.3200
RFQ
 ECAD 586 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-277，3-PowerDfn FES10 标准 TO-277-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.8 V @ 10 A 30 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 10a 140pf @ 4V，1MHz
FGH40T65SQD-F155 onsemi FGH40T65SQD-F155 -
RFQ
 ECAD 3777 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 FGH40 标准 238 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，10a，6ohm，15V 31.8 ns 沟渠场停止 650 v 80 a 160 a 2.1V @ 15V，40a 138µJ（在）上，52µJ（52µJ） 80 NC 16.4NS/86.4NS
NVMFWS040N10MCLT1G onsemi NVMFWS040N10MCLT1G 0.4010
RFQ
 ECAD 5090 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-Powertdfn，5个线索 MOSFET （金属 o化物） 5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NVMFWS040N10MCLT1GTR Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 100 v 6.5A（TA），21a （TC） 4.5V，10V 38mohm @ 5A，10V 3V @ 26µA 8.3 NC @ 10 V ±20V 500 pf @ 50 V - 3.5W（TA），36W（TC）
NXH75M65L4Q1SG onsemi NXH75M65L4Q1SG 79.5100
RFQ
 ECAD 3647 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 86 W 标准 56-PIM（93x47） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH75M65L4Q1SG Ear99 8541.29.0095 21 半桥 沟渠场停止 650 v 59 a 2.22V @ 15V，75a 300 µA 是的 5.665 NF @ 30 V
NXH040F120MNF1PG onsemi NXH040F120MNF1PG -
RFQ
 ECAD 5736 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 NXH040 （SIC） 74W（TJ） 22-PIM （33.8x42.5） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH040F120MNF1PG Ear99 8541.29.0095 28 4 n通道 1200V（1.2kV） 30A（TC） 56mohm @ 25a，20v 4.3V @ 10mA 122.1NC @ 20V 1505pf @ 800V -
NTMFS3D2N10MDT1G onsemi NTMFS3D2N10MDT1G 3.2600
RFQ
 ECAD 807 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powertdfn，5个线索 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN （5x6）（8-SOFL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 100 v （19a（ta），142a（tc） 6V，10V 3.5MOHM @ 50a，10v 4V @ 316µA 71.3 NC @ 10 V ±20V 3900 PF @ 50 V - 2.8W（ta），155W（tc）
AFGHL25T120RL onsemi afghl25t120rl -
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 afghl25 标准 400 w TO-247-3 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-AFGHL25T120RL Ear99 8541.29.0095 450 600V，25A，5OHM，15V 159 ns 沟渠场停止 1250 v 48 a 100 a 2V @ 15V，25a （1.94mj）（730µJ off） 277 NC 27.2NS/116NS
NVTFS040N10MCLTAG onsemi NVTFS040N10MCLTAG 0.2880
RFQ
 ECAD 5499 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-WDFN（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NVTFS040N10MCLTAGTR Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 100 v 6.1a（TA），21a （TC） 4.5V，10V 38mohm @ 5A，10V 3V @ 26µA 8.6 NC @ 10 V ±20V 520 pf @ 50 V - 3.1W（TA），36W（TC）
NTMFS002N10MCLT1G onsemi NTMFS002N10MCLT1G 3.3700
RFQ
 ECAD 961 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powertdfn，5个线索 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN （5x6）（8-SOFL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 100 v 22a（22a），175a （TC） 4.5V，10V 2.8mohm @ 50a，10v 3V @ 351µA 97 NC @ 10 V ±20V 7200 PF @ 50 V - 3W（3W），189W（tc）
NVTFWS070N10MCLTAG onsemi NVTFWS070N10MCLTAG 0.3585
RFQ
 ECAD 1945年 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-WDFN（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NVTFWS070N10MCLTAGTR Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 100 v 4.5A（TA），13A （TC） 4.5V，10V 65mohm @ 3a，10v 3V @ 15µA 5.5 NC @ 10 V ±20V 305 pf @ 50 V - 2.9W（25W），25W（tc）
NXH010P120MNF1PTG onsemi NXH010P120MNF1PTG 179.9900
RFQ
 ECAD 4791 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 NXH010 （SIC） 250W（TJ） - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH010P120MNF1PTG Ear99 8541.29.0095 28 2 n 通道（双）公共来源 1200V（1.2kV） 114a（TC） 14mohm @ 100a，20v 4.3V @ 40mA 454NC @ 20V 4707pf @ 800V -
NXH300B100H4Q2F2PG onsemi NXH300B100H4Q2F2PG 203.4500
RFQ
 ECAD 3103 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 194 w 标准 27-PIM （71x37.4） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH300B100H4Q2F2PG Ear99 8541.29.0095 12 双重，共同来源 沟渠场停止 1118 v 73 a 2.25V @ 15V，100a 800 µA 是的 6.323 NF @ 20 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

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