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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f
FCPF190N60E-F154	2.1745	RFQ	9960	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FCPF190	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FCPF190N60E-F154	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				600 v	20.6A（TJ）		190mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	3175 PF @ 25 V	-	39W（TC）
mm3z5v1stig	-	RFQ	1067	Onmi	*	大部分	积极的								-						0000.00.0000	1
SPS9594-1RLRP	1.0000	RFQ	6130	Onmi	*	大部分	积极的								-						0000.00.0000	1
FQP16N25C-F105	-	RFQ	9768	Onmi	*	大部分	积极的								-						0000.00.0000	1
SZMMBZ5235BLT1	-	RFQ	9994	Onmi	*	大部分	积极的								-					Ear99	8541.10.0050	1
SMBZ1493LT1	1.0000	RFQ	2856	Onmi	*	大部分	积极的								-						0000.00.0000	1
NTHL082N65S3HF	9.4800	RFQ	8755	Onmi	FRFET®，SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		NTHL082	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTHL082N65S3HF	Ear99	8541.29.0095	30			n通道				650 v	40a（TC）		82MOHM @ 20A，10V	5V @ 1mA	79 NC @ 10 V	±30V	3330 PF @ 400 V	-	313W（TC）
NVMYS6D2N06CLTWG	1.6500	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK		NVMYS6	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				60 V	（17a）（ta），71a（tc）		6.1MOHM @ 35A，10V	2V @ 53µA	20 nc @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.6W（61W），61W（tc）
FDBL9406-F085T6	5.8200	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn		FDBL9406	MOSFET （金属 o化物）	8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDBL9406-F085T6TR	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道				40 V	45A（ta），240a tc）		1.21MOHM @ 50a，10V	3.5V @ 190µA	75 NC @ 10 V	+20V，-16V	4960 pf @ 25 V	-	4.3W（TA），136.4W（tc）
NTMFS034N15MC	2.0100	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		NTMFS034	MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				150 v	6.1a（TA），31a （TC）		31mohm @ 13a，10v	4.5V @ 70µA	12 nc @ 10 V	±20V	905 PF @ 75 V	-	2.5W（TA），62.5W（tc）
FCH029N65S3-F155	20.8400	RFQ	198	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		FCH029	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FCH029N65S3-F155	Ear99	8541.29.0095	30			n通道				650 v	75A（TC）		29MOHM @ 37.5A，10V	4.5V @ 7mA	201 nc @ 10 V	±30V	6340 pf @ 400 V	-	463W（TC）
PCFF60UP60F	-	RFQ	9634	Onmi	*	管子	过时的								-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
FXS09	-	RFQ	2405	Onmi	*	管子	过时的								-		（1 （无限）	到达不受影响	488-FXS09	Ear99	8541.10.0050	1
FAM65CR51ADZ2	38.7000	RFQ	3263	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		通过洞	12-SSIP裸露的垫，形成的导线	MOSFET	FAM65			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FAM65CR51ADZ2	Ear99	8542.39.0001	72	半桥			41 a	650 v	5000vrm
NTMT090N65S3HF	8.2900	RFQ	7856	Onmi	SuperFet®III，FRFET®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN			MOSFET （金属 o化物）	4-PQFN （8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				650 v	36a（TC）	10V	90MOHM @ 18A，10V	5V @ 860µA	66 NC @ 10 V	±30V	2930 PF @ 400 V	-	272W（TC）
NTHL067N65S3H	9.5500	RFQ	442	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTHL067N65S3H	Ear99	8541.29.0095	30			n通道				650 v	40a（TC）	10V	67mohm @ 20a，10v	4V @ 3.9mA	80 NC @ 10 V	±30V	3750 PF @ 400 V	-	266W（TC）
NTP165N65S3H	4.4800	RFQ	543	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTP165N65S3H	Ear99	8541.29.0095	50			n通道				650 v	19a（tc）	10V	165MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 1.6mA	35 NC @ 10 V	±30V	1808 PF @ 400 V	-	142W（TC）
NXV65HR82DS2	1900年3 31日	RFQ	5315	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		通过洞	16-SSIP裸露的垫，形成铅	MOSFET				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXV65HR82DS2	Ear99	8542.39.0001	72	H桥			26 a	650 v	5000vrm
NTH4LN067N65S3H	9.5500	RFQ	361	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4			MOSFET （金属 o化物）	TO-247-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTH4LN067N65S3H	Ear99	8541.29.0095	30			n通道				650 v	40a（TC）	10V	67mohm @ 20a，10v	4V @ 3.9mA	80 NC @ 10 V	±30V	3750 PF @ 400 V	-	266W（TC）
GFA00KA-L09W-PRD	-	RFQ	5998	Onmi	-	管子	过时的								-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-GFA00KA-L09W-PRD	过时的		1
NVTFS8D1N08HTAG	1.3000	RFQ	6564	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTFS8D1N08HTAGTR	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道				80 V	（14a）（61A）（61A）（TC）	6V，10V	8.3mohm @ 16a，10v	4V @ 270µA	23 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 40 V	-	3.8W（ta），75W（（（ta）
NTMFSC010N08M7	1.6500	RFQ	5	Onmi	Dual Cool™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				40 V	12.5A（ta），61a（tc）	10V	10mohm @ 10a，10v	4.5V @ 120µA	38 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 40 V	-	3.3W（TA），78.1W（tc）
PCRU3060W	-	RFQ	9604	Onmi	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-PCRU3060W	Ear99	8541.29.0095	1
FDWS86381-F085	-	RFQ	2367	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDWS86381-F085TR			3,000
PCG20N60A4W	-	RFQ	6515	Onmi	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-PCG20N60A4W	Ear99	8541.29.0095	1
FDMS3622SF121	-	RFQ	3882	Onmi	-	大部分	过时的					FDMS3622	-		-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1															-
PCISL9R860W	-	RFQ	1386	Onmi	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
RHRD660S9A-S2515P	-	RFQ	8243	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			雪崩	TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-RHRD660S9A-S2515PTR	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															600 v	2.1 V @ 6 A	35 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	6a	-
RHRP860-R4647P	-	RFQ	3354	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		通过洞	TO-220-2			雪崩	TO-220-2L	-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-RHRP860-R4647PTR	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															600 v	2.1 V @ 8 A	35 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
NTSAF545T3G	-	RFQ	8632	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	do-221ac，sma平面线索			肖特基	sma-fl	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	488-NTSAF545T3GTR	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															45 v	600 mv @ 5 a		9.5 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	5a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²