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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NVD5407NT4G	-	RFQ	5811	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD5407		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	7.6A（ta），38a tc）	5V，10V	26mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1000 pf @ 32 V	-	2.9W（ta），75W（tc）
NVMFS6H858NWFT1G	2.3500	RFQ	2397	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		80 V	8.4a（ta），29a（tc）	10V	20.7MOHM @ 5A，10V	4V @ 30µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	510 pf @ 40 V	-	3.5W（ta），42W（tc）
NVTFS002N04CTAG	2.5800	RFQ	9496	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS002		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	27a（27a），136a （TC）	10V	2.4mohm @ 50a，10v	3.5V @ 90µA	34 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），85W（tc）
NVTFS6H880NWFTAG	0.8000	RFQ	7085	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS6		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		80 V	6.3a（TA），21a （TC）	10V	32MOHM @ 5A，10V	4V @ 20µA	6.9 NC @ 10 V	±20V	370 pf @ 40 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
NVTFWS010N10MCLTAG	0.7602	RFQ	7058	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFWS010		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		100 v	11.7A（TA），57.8A（tc）	4.5V，10V	10.6mohm @ 15a，10v	3V @ 85µA	30 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 50 V	-	3.2W（ta），77.8W（tc）
SZMM5Z33VT5G	0.1061	RFQ	5258	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.06％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	SZMM5			500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000															900 mv @ 10 ma		50 NA @ 23.2 V													33 V	80欧姆
FDU5N60NZTU	-	RFQ	6764	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FDU5N60		MOSFET （金属 o化物）		DPAK3（IPAK）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道		600 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 2a，10v	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	600 pf @ 25 V	-	83W（TC）
FGD1240G2	2.0300	RFQ	9540	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					FGD1240					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	2,500
MM5Z4V3T5G	0.0297	RFQ	1660年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.98％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z4			500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000															900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V													4.3 v	90欧姆
MM5Z6V2ST5G	0.0439	RFQ	9691	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.18％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z6			500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000															900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V													6.2 v	10欧姆
MM5Z9V1ST5G	0.0420	RFQ	4245	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.09％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z9			500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000															900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V													9.1 v	15欧姆
NRVTS8H120EMFST1G	0.5358	RFQ	7701	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NRVTS8		肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													120 v	765 mv @ 8 a		50 µA @ 120 V	-55°C 〜175°C	8a	-
NSV60201SMTWTBG	0.2218	RFQ	9297	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NSV60201			1.8 w	6-WDFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																						60 V	2 a						100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 200mA，2a	150 @ 100mA，2V	180MHz
NTMTS0D7N04CTXG	7.6500	RFQ	5375	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMTS0		MOSFET （金属 o化物）		8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	65A（TA），420A （TC）	10V	0.67MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	9230 PF @ 25 V	-	4.9W（ta），205W（tc）
NTMTS0D7N06CTXG	12.8200	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMTS0		MOSFET （金属 o化物）		8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	60.5A（TA），464A （TC）	10V	0.72MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	11535 PF @ 30 V	-	5W（5W），294.6W（TC）
NTMYS2D9N04CLTWG	1.7177	RFQ	3623	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NTMYS2		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NTMYS2D9N04CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	27a（27a），110a（tc）	4.5V，10V	2.8mohm @ 40a，10v	2V @ 11µA	35 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	3.7W（TA），68W（tc）
NVC6S5A444NLZT2G	-	RFQ	4625	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NVC6S5		MOSFET （金属 o化物）		6-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	3.5A（ta）	4.5V，10V	78MOHM @ 2A，10V	2.6V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	505 pf @ 20 V	-	970MW（TA）
NVB150N65S3F	4.2100	RFQ	7952	Onmi	汽车，AEC-Q101，SuperFet®III，FRFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NVB150		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak-3（TO-263-3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		650 v	24A（TC）	10V	150MOHM @ 12A，10V	5V @ 540µA	43 NC @ 10 V	±30V	1999 PF @ 400 V		192W
NVMJS2D5N06CLTWG	2.7500	RFQ	8333	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	NVMJS2		MOSFET （金属 o化物）		8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	（31a）（TA），164a （TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 50a，10v	2V @ 135µA	52 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），113W（tc）
FGHL40S65UQ	-	RFQ	1753年	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGHL40	标准		231 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	FGHL40S65UQOS	Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，6ohm，15V													319 ns					沟渠场停止	650 v	80 a	120 a	1.7V @ 15V，40a	1.76mj（在）（362µJ）上）	306 NC	32NS/260NS
CPH3110-TL-E	0.1100	RFQ	39	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				3,000
MTD3N25E1	0.4600	RFQ	13	Onmi	*	大部分	积极的					mtd3n		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1												-
1n4738arl	0.0200	RFQ	60	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	6,000
SMBZ1477LT1	0.0200	RFQ	57	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
SMBZ2606-5LT3	0.0200	RFQ	2904	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响				10,000
1N5228BRL	0.0200	RFQ	275	Onmi	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	做–204AH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	5,000															1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V													3.9 v	23欧姆
2SA1450S-AA	0.1400	RFQ	7598	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1,500
SMSZ1600-35T3	0.0200	RFQ	20	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响				15,000
2SB808F-SPA-ON	0.0500	RFQ	35	Onmi	*	大部分	积极的					2SB808		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1												-
SCH1406-TL-E-ON	0.0700	RFQ	55	Onmi	*	大部分	积极的					SCH1406		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	4,438												-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²