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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FQD19N10LTF	-	RFQ	4594	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FQD1	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道				100 v	15.6A（TC）	5V，10V	100mohm @ 7.8A，10V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	870 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
NTNS3166NZT5G	0.3700	RFQ	4355	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	3-XFDFN		NTNS3166	-		SOT-883（XDFN3）（1x0.6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	8,000		-					-		-	-				-	-
NVMTS001N06CTXG	7.7000	RFQ	8380	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		NVMTS001	MOSFET （金属 o化物）		8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				60 V	53.7a（TA），376A （TC）	10V	910MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V	8705 PF @ 30 V	-	（5W）（244W）（TC）
NTMFS08N003C	8.8100	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		NTMFS08	MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				80 V	22a（22A），147a （TC）	6V，10V	3.1MOHM @ 56A，10V	4V @ 310µA	73 NC @ 10 V	±20V	5350 pf @ 40 V	-	2.7W（ta），125W（tc）
NTS4101PT1G	0.5000	RFQ	7965	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		NTS4101	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道				20 v	1.37A（TA）	2.5V，4.5V	120MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±8V	840 pf @ 20 V	-	329MW（TA）
FDA50N50	-	RFQ	5876	Onmi	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FDA50	MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道				500 v	48A（TC）	10V	105MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	137 NC @ 10 V	±20V	6460 pf @ 25 V	-	625W（TC）
FDMS007N08LC	2.3400	RFQ	3	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS007	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				80 V	14a（14A），84A （TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 21a，10v	2.5V @ 120µA	46 NC @ 10 V	±20V	3100 PF @ 40 V	-	2.5W（TA），92.6W（TC）
FNB34060T	34.6600	RFQ	9836	Onmi	motionspm®3	管子	积极的		通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FNB34060				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	60	3相逆变器		40 a	600 v	2500vrms
NTMD6N02R2G	0.8800	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NTMD6	MOSFET （金属 o化物）	730MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）					20V	3.92a		35mohm @ 6a，4.5V	1.2V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1100pf @ 16V	逻辑级别门
SMMBT3906LT3G	0.3100	RFQ	19	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SMMBT3906		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	10,000																40 V	200 ma	-	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
FDC6318P	0.8900	RFQ	6	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		FDC6318	MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）					12V	2.5a		90MOHM @ 2.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	8NC @ 4.5V		455pf @ 6V	逻辑级别门
FDPF041N06BL1	-	RFQ	1425	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FDPF0	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				60 V	77A（TC）	10V	4.1MOHM @ 77A，10V	4V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±20V	5690 pf @ 30 V	-	44.1W（TC）
FQA90N10V2	-	RFQ	7185	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FQA9	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道				100 v	105A（TC）	10V	10mohm @ 52.5a，10v	4V @ 250µA	191 NC @ 10 V	±30V	6150 pf @ 25 V	-	330W（TC）
ATP212-S-TL-H	-	RFQ	5046	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）		ATP212	-		Atpak	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		-					35A（TJ）		-	-				-	-
FSB50250	-	RFQ	8029	Onmi	SPM®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET	FSB502				下载		3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	450	3期		1 a	500 v	1500vrms
NVMFS5C450NT3G	-	RFQ	7840	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道				40 V	102A（TC）	10V	3.3mohm @ 50a，10v	3.5V @ 65µA	23 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），68W（tc）
FDG329N	-	RFQ	5966	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		FDG329	MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道				20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.6 NC @ 4.5 V	±12V	324 pf @ 10 V	-	420MW（TA）
FSB50250AT	7.5300	RFQ	180	Onmi	MOTIONSPM®5	管子	积极的		通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm）	MOSFET	FSB50250				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	180	3期		1.2 a	500 v	1500vrms
MVGSF1N02LT1G	0.6400	RFQ	23	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MVGSF1	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道				20 v	750mA（TA）	4.5V，10V	90MOHM @ 1.2A，10V	2.4V @ 250µA		±20V	125 pf @ 5 V	-	400MW（TA）
3LN01SS-TL-E	-	RFQ	3609	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-81		3LN01	MOSFET （金属 o化物）		3-SSFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道				30 V	150mA（ta）	1.5V，4V	3.7OHM @ 80mA，4V	-	1.58 NC @ 10 V	±10V	7 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
5HN01SS-TL-H	-	RFQ	7188	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	3-SMD，平坦的铅		5HN01			3-SSFP	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	8,000
NVTFS6H888NTAG	0.6200	RFQ	1998	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		NVTFS6	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道				80 V	4.7a（ta），12a （TC）	10V	55mohm @ 5a，10v	4V @ 15µA	4.7 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 40 V	-	2.9W（ta），18W（tc）
NTD110N02RST4G	-	RFQ	5182	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NTD110	-		DPAK-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		-					32a（ta），110a（tc）	4.5V，10V	-	-		±20V		-	-
NVMFS5C410NLT3G	-	RFQ	7556	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道				40 V	48A（TA），315a （TC）	4.5V，10V	0.9MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±20V	8862 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），167W（TC）
FDD306P	1.0000	RFQ	9340	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FDD306	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道				12 v	6.7a（ta）	1.8V，4.5V	28mohm @ 6.7a，4.5V	1.5V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±8V	1290 pf @ 6 V	-	52W（ta）
NTTFS4965NFTWG	-	RFQ	8528	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Powerwdfn		NTTFS4965	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道				30 V	16.3a（TA），64A （TC）		3.5mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	29.4 NC @ 10 V		2075 PF @ 15 V	-	-
5HP01C-TB-E	-	RFQ	2056	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		5HP01			SMCP	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000							-
SFH154	-	RFQ	6376	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		SFH154	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	450		n通道				150 v	34A（TC）	10V	75mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	3370 pf @ 25 V	-	204W（TC）
HUFA75637S3S	-	RFQ	6737	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		HUFA75	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				100 v	44A（TC）	10V	30mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	108 NC @ 20 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	155W（TC）
NTTFS4965NFTAG	-	RFQ	1026	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Powerwdfn		NTTFS4965	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道				30 V	16.3a（TA），64A （TC）		3.5mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	29.4 NC @ 10 V		2075 PF @ 15 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²