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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NSR05201MX4T5G	0.0709	RFQ	8225	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-		NSR05201		-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	10,000		-																	-	-	-
FFSB0865B-F085	4.0600	RFQ	9459	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FFSB0865		SIC （碳化硅）		D²Pak-2 to-263-2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v	1.7 V @ 8 A	0 ns	40 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	10.1a	336pf @ 1V，100kHz
NRVBA2H100T3G-VF01	-	RFQ	5833	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	NRVBA2		肖特基		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v	790 mv @ 2 a		8 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	2a	-
NRVTS10100EMFST3G	0.3904	RFQ	2657	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NRVTS10100		肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v	720 MV @ 10 A		50 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	10a	-
RS1K	0.4900	RFQ	29	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	RS1		标准		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													800 v	1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V，1MHz
NGTG15N60S1EG	-	RFQ	5009	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NGTG15	标准		117 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				400V，15A，22OHM，15V																		npt	600 v	30 a	120 a	1.7V @ 15V，15a	（550µJ）（在350µJ上）	88 NC	65NS/170NS
MBR2090CTLFAJ	0.7300	RFQ	900	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1
2n5550rlra	-	RFQ	9579	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N5550			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																							140 v	600 MA								100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
3N256	-	RFQ	4801	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm	3N25		标准		kbpm	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30																1.1 V @ 3.14 A		5 µA @ 400 V		2 a										单相	400 v
1N4934	-	RFQ	6662	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4934		标准		do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v	1.2 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	1a	12pf @ 4V，1MHz
BCW30LT1G	0.2300	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW30			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																							32 v	100 ma								100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 500µA，10mA	215 @ 2mA，5v	-
BZX79C9V1-T50A	0.1700	RFQ	15	Onmi	-	（CT）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79C9			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																1.5 V @ 100 ma		500 na @ 6 V															9.1 v	15欧姆
2SA1370D-AE	0.1800	RFQ	58	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
SZMM5Z43VT1G	0.0598	RFQ	1169	Onmi	汽车，AEC-Q101，SZMM5ZXXXT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.98％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523				500兆	SOD-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZMM5Z43VT1GTR	Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		50 NA @ 30.1 V															43 V	150欧姆
MURS140T3H	-	RFQ	3663	Onmi	-	托盘	过时的			表面安装	DO-214AA，SMB	Murs14		标准		SMB	-	rohs3符合条件	供应商不确定	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v	1.25 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	2a	-
2W06G	-	RFQ	4827	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，WOB	2W06		标准		wob	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000																1.1 V @ 2 A		5 µA @ 600 V		2 a										单相	600 v
MTB3N60E	-	RFQ	3065	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	550
NRVBM130LT1G	0.5300	RFQ	5847	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	NRVBM130		肖特基		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V	520 mv @ 3 a		50 µA @ 10 V	-55°C〜125°C	1a	-
BAS19LT3G	0.1300	RFQ	24	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS19		标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <<200ma（io），任何速度													120 v	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 100 V	-55°C〜150°C	200mA	5pf @ 0v，1MHz
SZMM5Z4709T1G	0.0574	RFQ	9156	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	SZMM5			500兆	SOD-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZMM5Z4709T1GTR	Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		10 na @ 18.2 V															24 V
2SK544D-AC	0.0700	RFQ	50	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
FDS86140	2.9500	RFQ	260	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS86		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		100 v	11.2a（ta）	6V，10V	9.8mohm @ 11.2a，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2580 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
1N5946B	-	RFQ	7799	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5946			3 W	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,000																1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 56 V															75 v	140欧姆
FDS4435	-	RFQ	6045	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS44		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		30 V	8.8a（ta）	4.5V，10V	20mohm @ 8.8a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±25V	1604 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
MMBZ5235ELT1G	-	RFQ	5217	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		3 µA @ 5 V															6.8 v	5欧姆
FDC6333C-G	-	RFQ	6759	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6333		MOSFET （金属 o化物）	700MW（TA）	SuperSot™-6	-		（1 （无限）	到达不受影响	488-FDC6333C-GTR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道				30V	2.5A（2a），2a（ta）		95mohm @ 2.5a，10v，130mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	6.6nc @ 10V，5.7nc @ 10V		282pf @ 15V，185pf @ 15V	-
MM3Z3V0C	0.2100	RFQ	62	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	MM3Z3V0			200兆	SOD-323F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																1 V @ 10 mA		9 µA @ 1 V															3 V	89欧姆
NTMD6N02R2G	0.8800	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMD6		MOSFET （金属 o化物）	730MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）				20V	3.92a		35mohm @ 6a，4.5V	1.2V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1100pf @ 16V	逻辑级别门
NTMFS4C03NT1G	2.0300	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		30 V	（30a）（TA），136a （TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	45.2 NC @ 10 V	±20V	3071 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），64W（tc）
1N5373BRL	-	RFQ	7816	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5373			5 w	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000																1.2 V @ 1 A		500 NA @ 51.7 V															68 v	44欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²