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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
MTP23P06VG	-	RFQ	4334	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MTP23		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道		60 V	23A（TC）	10V	120MOHM @ 11.5A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±15V	1620 PF @ 25 V	-	90W（TC）
FCH20N60	-	RFQ	3751	Onmi	SuperFet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH20		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		600 v	20A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	3080 pf @ 25 V	-	208W（TC）
FGI3040G2-F085C	2.9100	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		逻辑		150 w	i2pak（（TO-262）	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FGI3040G2-F085C	Ear99	8541.29.0095	50		300V，6.5a，1KOHM，5V													-	400 v	41 a	1.25V @ 4V，6A	-	21 NC	- /4.8µs
FQAF7N80	-	RFQ	3201	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FQAF7		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360	n通道		800 v	5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1850 pf @ 25 V	-	96W（TC）
FQPF2N30	-	RFQ	4263	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF2		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		300 v	1.34A（TC）	10V	3.7OHM @ 670mA，10V	5V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±30V	130 pf @ 25 V	-	16W（TC）
FDR6674A	-	RFQ	4332	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-lsop （0.130英寸，宽3.30mm）	FDR66		MOSFET （金属 o化物）		Supersot™-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		30 V	11.5A（TA）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 10.5A，4.5V	2V @ 250µA	46 NC @ 4.5 V	±12V	5070 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
FQD6N40TF	-	RFQ	7195	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD6		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		400 v	4.2A（TC）	10V	1.15OHM @ 2.1a，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
FDD6N25TM	0.6700	RFQ	3222	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD6N25		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		250 v	4.4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.2a，10V	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	50W（TC）
NDP7060L	-	RFQ	2694	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	NDP706		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	45	n通道		60 V	75A（TC）		15mohm @ 37.5a，5v	2V @ 250µA	115 NC @ 5 V		4000 pf @ 25 V	-
HUF76013D3S	-	RFQ	6900	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUF76		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道		20 v	20A（TC）	5V，10V	22mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	624 pf @ 20 V	-	50W（TC）
NDS332P	0.4900	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NDS332		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道		20 v	1A（1A）	2.7V，4.5V	300MOHM @ 1.1A，4.5V	1V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±8V	195 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
FDMC2674	1.7900	RFQ	6441	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC26		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		220 v	1A（1A），7A （TC）	10V	366MOHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1180 pf @ 100 V	-	2.1W（ta），42W（tc）
NTD4804NA-1G	-	RFQ	7835	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD48		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道		30 V	14.5A（TA），124A （TC）	4.5V，11.5V	4mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	4490 pf @ 12 V	-	1.43W（ta），93.75W（tc）
FDMS2672	2.9000	RFQ	2	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS26		MOSFET （金属 o化物）		8-MLP（5x6），Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		200 v	3.7A（TA），20A（tc）	6V，10V	77MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	2315 PF @ 100 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
FQB9N25CTM	-	RFQ	9876	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB9		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		250 v	8.8A（TC）	10V	430MOHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	710 PF @ 25 V	-	3.13W（TA），74W（tc）
SSH70N10A	-	RFQ	4933	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	SSH70		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		100 v	70A（TC）	10V	23mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	195 NC @ 10 V	±20V	4870 pf @ 25 V	-	300W（TC）
FQA13N50C	-	RFQ	1796年	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA1		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	n通道		500 v	13.5A（TC）	10V	480MOHM @ 6.75a，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	218W（TC）
FQD12P10TM-F085	1.2200	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD12P10		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道		100 v	9.4A（TC）	10V	290MOHM @ 4.7A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
NTP30N06LG	-	RFQ	9886	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP30N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		60 V	30a（TA）	5V	46mohm @ 15a，5v	2V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±15V	1150 pf @ 25 V	-	88.2W（TC）
NTD60N02R	-	RFQ	8119	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD60		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道		25 v	8.5a（ta），32a（tc）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1330 pf @ 20 V	-	1.25W（TA），58W（tc）
FDZ5047N	-	RFQ	8222	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	36-vfbga	FDZ50		MOSFET （金属 o化物）		36-BGA（5x5.5）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		30 V	22a（22a）	4.5V，10V	2.9mohm @ 22a，10v	3V @ 250µA	73 NC @ 5 V	±20V	4993 PF @ 15 V	-	2.8W（ta）
FDB16AN08A0	2.9600	RFQ	690	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB16AN08		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		75 v	（9A）（ta），58a tc（TC）	6V，10V	16mohm @ 58a，10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1857 PF @ 25 V	-	135W（TC）
HUFA76645S3ST	-	RFQ	3290	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUFA76		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		100 v	75A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±16V	4400 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FQA7N80C	-	RFQ	1303	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA7		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		800 v	7A（TC）	10V	1.9OHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1680 pf @ 25 V	-	198W（TC）
NVMFS6B14NT1G	-	RFQ	3349	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					NVMFS6					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
FQPF12P10	-	RFQ	8615	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道		100 v	8.2A（TC）	10V	290MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	38W（TC）
HUF75637S3ST	-	RFQ	1226	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF75		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		100 v	44A（TC）	10V	30mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	108 NC @ 20 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	155W（TC）
MGP7N60ED	0.5300	RFQ	5	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
MMSZ5234BT3G	-	RFQ	7134	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ5234			500兆	SOD-123	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000													900 mv @ 10 ma	5 µA @ 4 V								6.2 v	7欧姆
NTD18N06L	-	RFQ	1498年	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD18		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道		60 V	18A（18A）	5V	65mohm @ 9a，5v	2V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±15V	675 PF @ 25 V	-	2.1W（ta），55W（（（（（（）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²