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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDWS9420-F085	-	RFQ	9591	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDWS9	MOSFET （金属 o化物）	75W	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			40V	20A（TC）		5.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	43nc @ 10V		2100pf @ 20V	-
NVMFS5C430NLWFAFT1G	2.6400	RFQ	9551	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	40 V	38a（TA），200A（tc）	4.5V，10V	1.4mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
BZX84C9V1LT1G	0.1600	RFQ	5821	Onmi	BZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C9		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V									9.1 v	15欧姆
MMSZ5235BT1G	0.2300	RFQ	2330	Onmi	mmsz52xxxt1g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ523		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		3 µA @ 5 V									6.8 v	5欧姆
1N5998B_T50R	-	RFQ	5008	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5998		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000															1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 6.5 V									8.2 v	7欧姆
NTHD5904NT1G	-	RFQ	2264	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHD59	MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.3a，4.5V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	465 pf @ 16 V	-	640MW（TA）
NTHS5441T1G	1.2000	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHS5441	MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	3.9a（ta）	2.5V，4.5V	46mohm @ 3.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	22 NC @ 4.5 V	±12V	710 pf @ 5 V	-	1.3W（TA）
KSH117TM	-	RFQ	2666	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	KSH11		1.75 w	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500																					100 v	2 a			20µA				pnp-达灵顿	3V @ 40mA，4a	1000 @ 2a，3v	25MHz
NVMFD5C446NT1G	4.2700	RFQ	7041	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5	MOSFET （金属 o化物）	3.2W（TA），89W（tc）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）			40V	24A（24A），127A （TC）		2.9MOHM @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	38nc @ 10V		2450pf @ 25V	-
FCD7N60TM-WS	2.2500	RFQ	10	Onmi	SuperFet™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD7N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	83W（TC）
NTB75N03-06T4	-	RFQ	8194	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB75	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道	30 V	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 37.5A，10V	2V @ 250µA	75 NC @ 5 V	±20V	5635 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
NRVHPM260T3G	0.1803	RFQ	7044	Onmi	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	NRVHPM260	标准		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	12,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	3.8 V @ 2 A	30 ns	500 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	2a	-
MM5Z6V2T1G	0.2500	RFQ	1943年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z6		500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V									6.2 v	10欧姆
NTMFD6H840NLT1G	1.3008	RFQ	4006	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFD6	MOSFET （金属 o化物）	3.1W（ta），90w（tc）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）			80V	（14a）（ta），74a tc（TC）		6.9mohm @ 20a，10v	2V @ 96µA	32NC @ 10V		2022pf @ 40V	-
mpsa42rlrpg	-	RFQ	4654	Onmi	-	（CT）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA42		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000																					300 v	500 MA			100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
MUN5315DW1T1	-	RFQ	1643年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN53		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA			500NA				1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	-
MUN5233T1	0.0400	RFQ	146	Onmi	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	MUN5233		310 MW	SC-70-3（SOT323）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	100 ma			500NA				npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	47科姆斯
2SK2406-TL-E	0.5300	RFQ	23	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	700
KSA1175YBU	-	RFQ	5487	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSA1175		250兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1,000																					50 V	150 ma			100NA（ICBO）				PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
SBRD8835LG	-	RFQ	7389	Onmi	汽车，AEC-Q101，SwitchMode™	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SBRD8835	肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	75		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												35 v	510 MV @ 8 A		1.4 mA @ 35 V	-65°C〜150°C	8a	-
FDD6780A	-	RFQ	9943	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD678	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	25 v	16.4a（TA），30a （TC）	4.5V，10V	8.6mohm @ 16.4a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1235 pf @ 13 V	-	3.7W（TA），32.6W（TC）
NSVMMBD354LT1G	0.6400	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBD354			SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000													300兆							1pf @ 0v，1MHz			肖特基 -1对普通阴极	7V				-
1SMB5940BT3G	0.3800	RFQ	9986	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5940		3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	2,500															1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V									43 V	53欧姆
FQA11N90	-	RFQ	5275	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA1	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			n通道	900 v	11.4A（TC）	10V	960MOHM @ 5.7A，10V	5V @ 250µA	94 NC @ 10 V	±30V	3500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
FDD9411L-F085	-	RFQ	8849	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD9411	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	40 V	25A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	1210 PF @ 20 V	-	48.4W（TJ）
2SK1691-E	1.7600	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
HUF76609D3S	-	RFQ	8644	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUF76	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道	100 v	10A（TC）	4.5V，10V	160MOHM @ 10a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±16V	425 pf @ 25 V	-	49W（TC）
FQA55N25	-	RFQ	5966	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA55	MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			n通道	250 v	55A（TC）	10V	40MOHM @ 27.5A，10V	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±30V	6250 pf @ 25 V	-	310W（TC）
NTMFS5C628NLT1G	5.1200	RFQ	426	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	60 V	15A（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 50a，10v	2V @ 135µA	52 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），110W（TC）
NTD80N02G	-	RFQ	6740	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD80	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	75			n通道	24 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 80a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	2600 PF @ 20 V	-	75W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²