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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
NVTFS5124PLTAG	0.8100	RFQ	8887	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5124	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			P通道	60 V	2.4A（TA）	4.5V，10V	260MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	（3w（ta），18W（tc）
MTP3055VL	1.5700	RFQ	5789	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MTP3055	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	60 V	12A（TC）	5V	180mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	10 NC @ 5 V	±15V	570 pf @ 25 V	-	48W（TC）
NTMSD3P102R2SG	-	RFQ	1389	Onmi	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMSD3	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500			P通道	20 v	2.34A（TA）	4.5V，10V	85MOHM @ 3.05a，10V	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 16 V	Schottky 二极管（孤立）	730MW（TA）
FDD9510L-F085	-	RFQ	6347	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD9510	MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 50a，10v	3V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±16V	2020 PF @ 20 V	-	75W（TJ）
NTD25P03LT4G	1.4300	RFQ	8931	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD25	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	30 V	25A（TA）	4V，5V	80Mohm @ 25a，5v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±15V	1260 pf @ 25 V	-	75W（TJ）
IRLS640A	1.7200	RFQ	5	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRLS640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	200 v	9.8A（TC）	5V	180MOHM @ 4.9A，5V	2V @ 250µA	56 NC @ 5 V	±20V	1705 PF @ 25 V	-	40W（TC）
FDS8813NZ	1.5700	RFQ	57	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS8813	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	18.5a（ta）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 18.5A，10V	3V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	4145 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
WPB4002-1E	-	RFQ	6380	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	WPB40	MOSFET （金属 o化物）		TO-3P-3L	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道	600 v	23a（23A）	10V	360MOHM @ 11.5A，10V	-	84 NC @ 10 V	±30V	2200 PF @ 30 V	-	2.5W（220W）（220W）TC）
MCH6431-TL-W	-	RFQ	7886	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MCH6431	MOSFET （金属 o化物）		SC-88FL/MCPH6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	5A（5A）	4V，10V	55mohm @ 2.5a，10v	2.6V @ 1mA	5.6 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
SFT1446-TL-H	-	RFQ	1876年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SFT144	MOSFET （金属 o化物）		TP-FA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	700			n通道	60 V	20A（TA）	4V，10V	51MOHM @ 10A，10V	2.6V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 20 V	-	1W（TA），23W（tc）
NTD85N02R-001	-	RFQ	7016	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD85	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道	24 V	12a（12A），85a tc（85a tc）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	17.7 NC @ 5 V	±20V	2050 pf @ 20 V	-	1.25W（TA），78.1W（tc）
FDMS0310S	-	RFQ	8145	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS0310	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	19a（19a ta），42a（tc）	4.5V，10V	4mohm @ 18a，10v	3V @ 1mA	46 NC @ 10 V	±20V	2820 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），46W（TC）
NDS9957	-	RFQ	9194	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS995	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）			60V	2.6a		160MOHM @ 2.6a，10V	3V @ 250µA	12nc @ 10V		200pf @ 30V	逻辑级别门
FDS86242	1.1600	RFQ	3	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS86	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	150 v	4.1a（ta）	6V，10V	67MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 75 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
NTMFS4837NHT3G	-	RFQ	7609	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	30 V	10.2A（ta），75a（tc）	4.5V，11.5V	5mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	23.8 NC @ 4.5 V	±20V	3016 pf @ 12 V	-	880MW（TA），48W （TC）
FQD2N40TF	-	RFQ	8328	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD2	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	400 v	1.4A（TC）	10V	5.8ohm @ 700mA，10v	5V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
NVMFS5C646NLAFT1G	2.3100	RFQ	2421	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	60 V	20A（20A），93A （TC）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	33.7 NC @ 10 V	±20V	2164 PF @ 25 V	-	3.7W（ta），79w（tc）
CPH6635-TL-H	-	RFQ	2650	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	CPH663	MOSFET （金属 o化物）	800MW	6-CPH	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			30V，20V	400mA，1.5a		3.7OHM @ 80mA，4V	-	1.58nc @ 10V		7pf @ 10V	逻辑级别门
NTMS4101PR2	-	RFQ	2686	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS41	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTMS4101PR2OS	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	20 v	6.9a（ta）	2.5V，4.5V	19mohm @ 6.9a，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	32 NC @ 4.5 V	±8V	3200 PF @ 10 V	-	1.38W（TJ）
FDG311N	-	RFQ	2884	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG311	MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	20 v	1.9a（ta）	2.5V，4.5V	115MOHM @ 1.9A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.5 NC @ 4.5 V	±8V	270 pf @ 10 V	-	750MW（TA）
HUFA76629D3	-	RFQ	2028	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道	100 v	20A（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1285 PF @ 25 V	-	110W（TC）
NTD50N03R	-	RFQ	2808	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD50	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道	25 v	7.8A（ta），45a（tc）	4.5V，11.5V	12mohm @ 30a，11.5V	2V @ 250µA	15 NC @ 11.5 V	±20V	750 pf @ 12 V	-	1.5W（ta），50W（TC）
SBC856BDW1T1G	0.4800	RFQ	14	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SBC856		380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					65V	100mA			15NA（icbo）			2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
NRVHP260SFT3G	0.1460	RFQ	4209	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	NRVHP260	标准		SOD-123FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NRVHP260SFT3GTR	Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	4.2 V @ 2 A	50 ns	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	2a	-
FDD8880-G	-	RFQ	4373	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FD8880-GTR	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	（13a）（ta），58a tc）	4.5V，10V	9mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1260 pf @ 15 V	-	55W（TC）
MV2109G	-	RFQ	4583	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-2，TO-92-2 to-226ac）	MV210			到92	下载		（1 （无限）	到达不受影响	MV2109GOS	Ear99	8541.10.0070	1,000																				36.3pf @ 4V，1MHz			单身的	30 V								3.2	C2/C30	200 @ 4V，50MHz
Mur180erl	-	RFQ	4223	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	Mur18	标准		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												800 v	1.75 V @ 1 A	100 ns	10 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	-
FDWS9420-F085	-	RFQ	9591	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDWS9	MOSFET （金属 o化物）	75W	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			40V	20A（TC）		5.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	43nc @ 10V		2100pf @ 20V	-
NVMFS5C430NLWFAFT1G	2.6400	RFQ	9551	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	40 V	38a（TA），200A（tc）	4.5V，10V	1.4mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
BZX84C9V1LT1G	0.1600	RFQ	5821	Onmi	BZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C9		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V									9.1 v	15欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²